Multilayered films (MLF) consisting of transition metals and semiconductors have drawn a great deal of interest because of their unique properties and potential technological applications. Fe/Si MLF are a particular topic of research due to their interesting antiferromagnetic coupling behavior. although a number of experimental works have been done to understand the mechanism of the interlayer coupling in this system, the results are controversial and it is not yet well understood how the formation of an iron silicide in the spacer layers affects the coupling. The interpretation of the coupling data had been hampered by the lack of knowledge about the intermixed iron silicide layer which has been variously hypothesized to be a metallic compound in the B2 structure or a semiconductor in the more complex B20 structure. It is well known that both magneto-optical (MO0 and optical properties of a metal depend strongly on their electronic structure that is also correlated with the atomic and chemical ordering. In order to understand the structure and physical properties of the interfacial regions, Fe/Si multilayers with very thin sublayers were investigated by the MO and optical spectroscopies. The Fe/si MLF were prepared by rf-sputtering onto glass substrates at room temperature with a totall thickness of about 100nm. The thicknesses of Fe and Si sublayers were varied from 0.3 to 0.8 nm. In order to understand the fully intermixed state, the MLF were also annealed at various temperatures. The structure and magnetic properties of Fe/Si MLF were investigated by x-ray diffraction and vibrating sample magnertometer, respectively. The MO and optical properties were measured at toom temperature in the 1.0-4.7 eV energy range. The results were analyzed in connection with the MO and optical properties of bulk and thin-film silicides with various structures and stoichiometries.
Li, Chunquan;Zou, Meng-Qiang;Shang, Yuling;Zhang, Ming
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제15권3호
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pp.356-364
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2015
The transmission performance of TSV considering the effect of electronic-thermal coupling is an new challenge in three dimension integrated circuit. This paper presents the thermal equivalent circuit (TEC) model of the TSV, and discussed the thermal equivalent parameters for TSV. Si layer is equivalent to transmission line according to its thermal characteristic. Thermal transient response (TTR) of TSV considering electronic-thermal coupling effects are proposed, iteration flow electronic-thermal coupling for TSV is analyzed. Furthermore, the influences of TTR are investigated with the non-coupling and considering coupling for TSV. Finally, the relationship among temperature, thickness of $SiO_2$, radius of via and frequency of excitation source are addressed, which are verified by the simulation.
In this study as treating to filter silance coupling agent (KM-6030 improving coupling strength between matrix resin (bisphenole-A type epoxy resin) and filler (SiO2), breakdown strength was investigated on cases applying DC voltage to specimen. In the case on DC voltage, breakdown strength was improved bout 12.73% and 10.77% in specimen of 5[wt%] and 50[wt%] of filler content of 10 of epoxy. Therefore, it was investigate the effect that concentration of coupling agent and content of filler was influential on breakdown strength of epoxy resin.
The Grignard coupling reaction of bis(chloromethyl)diorganosilanes [(ClCH2)2SiR1R2: R1 = R2 = Me, la; R1 = Me, R2 = Ph, lb; R1 = R2 = Ph, lc] with diorganodichlorosilanes [(Cl2SiR3R4: R3 = R4 = Me, 2a; R3 = Me, R4 = Ph, 2b; R3 = R4 = Ph, 2c] at THE reflux temperature gave the intermolecular C-Si coupling product of 1,1,3,3-tetraorgano-1,3-disilacyclobutanes 3a-f in poor to moderate yields ranging from 7% to 50% along with polydiorganosilapropanes. The cyclization reaction of la-c with methyl-substituted dichlorosilanes 2a, b gave 1,3-disilacyclobutanes 3a-c, e, d in moderate yields (42-50%), while the same reaction with dichlorodiphenylsilane (2c) to 1,3-disilacyclobutanes 3d, f resulted in low yield (7-18%) probably due to the steric hindrance of two-phenyl groups on the silicon of 2c.
Park, Jin-Ho;Youn, Suk-Ju;Min, Byung-Il;Yi, Jae-Yel
Journal of Magnetics
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제1권1호
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pp.4-8
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1996
Employing the LMTO band method, we have studied electronic and magnetic properties of Fe/Si/Fe trilayer in which the z-direction is chosen to be (111) direction of FeSi with B2 phase, We have also determined electronic structure of bulk FeSi, as a reference material. The ground state of FeSi is paramagnetic insulator with a band gap of 0.05 eV. Band structures of Fe/Si/Fe with varying the thickness of the spacer layer reveal that the spacer layer is metallic, and the states along the growth direction do not disperse much reflecting a two-dimensional nature. Magnetic moment of Fe atom in the interfacial layer of Fe/Si/Fe is reduced a lot as compared to the bulk value, suggesting a strong hybridization between Fe and Si states. The geometry of the Fermi surface indicates that the magnetic coupling period of ~8ML (monolayers) in Fe/Si/Fe is explained with a short Fermi wave vector of bcc Si.
본 연구의 목적은 순수 카본블랙과 이중상 구조의 카본블랙 (DPCB)이 함유되어 있는 고무조성물의 물리적 특성에 대하여 조사하였다. DPCB는 FT-IR분석결과 1100~1200 파장에서 실리카 표면에 존재하는 Si-O 피크를 나타냈다. DPCB와 유기 실란커프링제 (Si69)를 함유하는 고무조성물의 가황속도는 순수 카본블랙을 함유한 고무조성물에 비해 지연되었다. Si69를 함유한 DPCB의 300% 모듈러스와 상호작용계수 ($a_f$)는 순수 카본블랙보다 높게 나타났으며, 내마모특성 지표인 피코 무게감소량은 일정하게 나타났다. DPCB의 $0^{\circ}C$에서의 tan ${\delta}$는 DPCB 50 phr 기준 실란커플링제를 2.0% 사용한 수준에서 순수 카본블랙보다 우수하였으며, $60^{\circ}C$에서의 tan ${\delta}$는 실란커프링제의 사용량이 증가 할수륵 감소하였다. 결국 본 연구에 사용된 DPCB는 일정한 마모저항을 유지하면서 회전저항을 개선하는데 적합하다고 생각한다.
본 연구에서는 모양으로 유도된 자기 이방성을 가진 $Ni_{80}Fe_{20}/SiO_2$ laminates 다층막의 자기적 성질을 조사 하였다. 다층막은 rf 다이오드 스퍼터링 시스템을 이용하여 개개의 $Ni_{80}Fe_{20} 와 $SiO_2$ (at%) 합금 타겟들로부터 Si 또는 upilex 기판에 적층하였다. 여러 가지 개수(N)의 이중층으로 구성된 $Ni_{80}Fe_{20}/SiO_2$ laminates 가 적층되었다. 사진식각기술을 사용하여 타원형 어레이 패턴을 가진 $Ni_{80}Fe_{20}/SiO_2$ laminates 가 제작 되었다. 자기적 성질은 B-H 히스테리시스 그래프와 고주파 permeameter를 사용하여 상온에서 측정 되었다. 다층막에서 도메인 reversal 시 발견된 몇 개의 스텝들은 자성체 박막 사이에 존재하는 coupling 때문으로 사료된다. 내재하는 intrinsic 일축 자기 이방성 field는 N이 증가하면 증가한다. 전체 자기 이방성 field의 실험값은 계산된 값과 잘 일치 하였다. 본 연구에서는 소형의 타원형 어레이를 가진 다층막의 laminate 구조체를 이용하여 더 큰 일축 자기 이방성을 유도하고 그 결과 laminate의 동작 주파수를 극대화시키고자 하였다.
The sintering behavior of zircon with silica was investigated. Zircon with 5 vol% of sedimentation $SiO_2$ resulted in the apparent density of $4.45\;g/cm^3$, the diametral tensile strength of $12.125\;kgf/cm^2$, and the micro Vickers hardness of 1283 HV. The dissociation temperature and mechanical characteristics of the $ZrSiO_4$ were changed with different kinds of $SiO_2$. $SiO_2$ addition prevented dissociation of $ZrSiO_4$. Zircon with 5 vol% of sedimentation $SiO_2$ and with 5 vol% of fused $SiO_2$ resulted in increased diametral tensile strength and increased micro Vickers hardness by suppression of $ZrSiO_4$ dissociation and low temperature liquid $SiO_2$ formation. Zircon with fumed $SiO_2$ and quartz $SiO_2$ resulted in decreased diametral tensile strength and decreased micro Vickers hardness because of cristobalite and quartz phase formation and high temperature liquid $SiO_2$ formation. Zircon with 10 vol% of $SiO_2$ resulted in decreased diametral tensile strength and decreased micro Vickers hardness because of weak particle coupling due to excess formation of liquid $SiO_2$.
Si이 체심입방구조(body centered cubic; bcc) Fe에 불순물로 포함된 경우에 Fe의 전자구조와 자성에 미치는 영향을 스핀-궤도 상호작용(spin-orbit coupling, SOC)을 고려한 제일원리방법을 통하여 연구하였다. Si 불순물의 효과를 기술하기 위하여 27개의 원자가 포함된 bcc Fe 초격자 구조를 고려하였다. 제일원리방법은 전전자 총퍼텐셜선형보강평면파(all-electron full-potential linearized augmented plane wave, FLAPW) 방법을 일반기울기 근사(generalized gradient approximation, GGA) 하에서 계산하였다. 스핀-궤도 상호작용은 스핀대각항 만을 고려한 이차변분방법을 이용하여 자체충족적으로 계산하였다. SOC를 고려하지 않은 강자성(ferromagnetic, FM) 상태의 경우 Si 불순물의 경우에는 $-0.143{\mu}B$의 스핀 자기모멘트가 계산되었으며, Fe 원자가 Si 불순물에서 멀어지면서 각각 $2.214{\mu}B$, $2.327{\mu}B$, 및 $2.354{\mu}B$의 값을 얻었다. 그러나, SOC를 고려한 경우 Si 불순물의 스핀 자기모멘트는 $-0.144{\mu}B$로 계산되어 SOC의 효과가 크지 않았으나, Fe 원자의 경우 각각 $2.189{\mu}B$, $2.310{\mu}B$, 및 $2.325{\mu}B$로 계산되어 SOC를 고려한 경우 스핀 자기모멘트 값이 줄어드는 것을 알 수 있었다. 총전하 및 스핀밀도의 비교와 상태밀도의 비교를 통하여 이러한 현상은 Si 불순물에 의한 영향을 가리는데 참여하는 Fe 원자의 $t_{2g}$ 전자 궤도의 변형의 효과로서 SOC를 고려할 때만 얻을 수 있다.
폴리프로필렌(PP)과 케나프섬유(KF) 펠트의 상용성 개선을 위해 3종류의 실란 커플링제 1 wt%를 PP/KF 펠트에 처리하여 PP/KF와 PP/KF/폴리우레탄(PU) 펠트 복합체를 제조하였다. KF에 실란 커플링제 결합여부 확인을 위해 Si-O-Si와 Si-O-C 작용기를 적외선분광기(FT-IR)와 X선 광전자분광분석기(XPS)를 이용하여 측정하였다. 열적 특성분석을 위해 시차주사열용량분석기와 열중량분석기를 이용하였으며, 실란 커플링제가 처리된 PP/KF 복합체의 열안정성이 증가하는 결과를 보여주었다. PP/KF와 PP/KF/PU 복합체의 인장, 굴곡 그리고 충격특성을 분석한 결과 기계적 특성의 개선효과는 (3-Aminopropyl)triethoxysilane (APS) 1-2 wt%에서 가장 우수하였다. 이와 같은 기계적물성의 개선은 실란 작용기가 천연섬유와 결합하여 PP와 KF의 상용성을 향상시킨 결과로 해석할 수 있고, 인장시험 후 파단면의 SEM 결과를 통해 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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