• 한국세라믹학회지
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• 제39권9호
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• pp.896-901
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• 2002

FHD(Flame Hydrolysis Deposition)공정은 화염 형성에 관여하는 장비의 조건들과 그에 따른 다양한 공정인자에 의하여 박막의 조성이 결정되며, 증착된 막을 치밀화하는 첨가물의 증발로 인해 열처리공정에서 조성이 변화되므로 공정인자로부터 최종적인 광도파막의 조성을 예측하는 것은 매우 어렵다. 본 연구에서는 FHD 공정에서 첨가가스의 유량을 제어하여 박막의 조성 및 광학적 특성을 예측할 수 있는 공정 분석의 기초자료를 제공하기 위하여 FTIR(Fourier Transformation Infrared Spectroscopy)측정과 ICP-AES(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry)측정을 통해 실리카 막의 조성분석에 대한 연구를 수행하였다. FTIR 흡수 스펙트럼을 통해 실리카 막에 존재하는 Si-O, B-O band를 측정하고 정성적 농도변화를 관찰 하였고, ICP-AES를 통해 Boron의 농도를 정량적으로 측정하였다. 이 두 결과로부터 FTIR을 이용한 정량적 조성분석의 기초자료인 B-O band의 흡광계수를 구하였다.

• 폴리머
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• 제32권3호
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• pp.239-245
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• 2008

Block copolymers of the general formula $[(-CO-R'-CO-HN-Ar-NH-CO-R'-CO)_xNH(CH_2)_3-(Me_2SiO)_y(CH_2)_3NH_2]_n$, [n=18.00 to 1175.0] where $R'=CH_2CH(CH_2GeCl_3)$;$CH_2CHGeCl_3CH_2$; and $Ar=-C_6H_4$;$-(o.CH_3C_6H_4)_2$;$-o.CH_3OC_6H_4)_2$;$-(o.CH_3C_6H_4)$ were prepared by a polycondensation reaction of polyamide containing a pendant trichlorogermyl group and terminal acid chloride $Cl(-CO-R'-CO-NH-Ar-NH-CO-R'-CO-)_xCl$ with aminopropyl-terminated polydimethylsiloxane $H_2N(CH_2)_3(Me_2SiO)_y-(CH_2)_3NH_2]$, (PDMS). These polymers were characterized by elemental analysis, $T_g$, FT-IR, $^1H$-NMR, solid state $^{13}C$-NMR, and molecular weight determination. The thermal stability of these copolymers was examined using thermal analysis techniques, such as TGA and DSC. Their molecular weights as determined by laser light scattering technique ranged $5.13{\times}10^5$ to $331{\times}10^5\;g/mol$. These polymers display their $T_g$ in the range of 337 to $393^{\circ}C$ with an average decomposition temperature at $582^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.387-387
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• 2007

기능성 나노소자를 구현할 수 있는 나노 소재로 0차원 구조의 양자점(quantum dot)과 1차원 구조의 양자선 및 나노선(nanorod)이 제안되고 있다. 나노선의 경우 나노스케일의 dimension, 앙자 제한 효과, 탁월한 결정성, self-assembly, internal stress등 기존의 벌크형 소재에서 발견할 수 없는 새로운 기능성이 나타나고 있어서 바이오, 에너지, 구조, 전자, 센서 등의 분야에서 활용되고 있다. 현재 국내외적으로 널리 연구되고 있는 나노선으로는 Si 및 Ge, $SnO_2$, SiC, ZnO 등이 있으며 특히, ZnO는 우수한 물리적 전기적 특성과 함께 나노선으로의 합성이 비교적 쉬워 주목받고 있는 재료이다. ZnO의 합성방법으로는 thermal CVD, MOCVD, PLD, wet-chemistry 등 다양한 방법이 사용되고 있다. 특히 MOCVD 법은 수직 정렬된 ZnO 나노막대를 합성하기가 매우 용이하다. 본 실험에서는 자체개발된 MOCVD 장비를 이용한 일차원 ZnO 나노선을 성장하였다. 이러한 ZnO 나노선의 성장은 사파이어 기판과 실리콘 기판 위에서 이루어졌으며 기판의 종류와 격자상수 불일도에 따른 상이한 성장과정을 온도에 따른 나노선 성장에서 관찰할 수 있었다. 사파이어 기판의 경우, 240도의 온도에서는 박막형상을 지닌 ZnO가 온도가 320도 이상으로 상승하면서 나노선으로 변함을 보였고, 실리콘 기판의 경우 380도 이상에서 기울기률 가진 나노선을 관찰하였으며, 420도에서는 나노선을 관찰 할 수 없었다. 또한 PL 장비를 이용한 PL 강도와 성장과정을 연관하여 생각하였을 때, 나노선의 기물기가 PL 강도비과 연관성을 가진다는 것을 측정을 통해 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.338-338
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• 2013

Monolithic three-dimensional integrated circuits (3D-ICs) 구현 시 bonding 과정에서 발생되는 aluminum (Al) 이나 copper (Cu) 등의 interconnect metal의 확산, 열적 스트레스, 결함의 발생, 도펀트 재분포와 같은 문제들을 피하기 위해서는 저온 공정이 필수적이다. 지금까지는 polymer 기반의 bonding이나 Cu/Cu와 같은 metal 기반의 bonding 등과 같은 저온 bonding 방법이 연구되어 왔다. 그러나 이와 같은 bonding 공정들은 공정 시 void와 같은 문제가 발생하거나 공정을 위한 특수한 장비가 필수적이다. 반면, 두 물질의 합금을 이용해 녹는점을 낮추는 eutectic bonding 공정은 저온에서 공정이 가능할 뿐만 아니라 void의 발생 없이 강한 bonding 강도를 얻을 수 있다. Aluminum-germanium (Al-Ge) 및 aluminum-indium (Al-In) 등의 조합이 eutectic bonding에 이용되어 각각 $424^{\circ}C$ 및 $454^{\circ}C$의 저온 공정을 성취하였으나 여전히 $400^{\circ}C$이상의 eutectic 온도로 인해 3D-ICs의 구현 시에는 적용이 불가능하다. 이러한 metal 조합들에 비해 indium (In)과 tin (Sn)은 각각 $156^{\circ}C$ 및 $232^{\circ}C$로 굉장히 낮은 녹는점을 가지고 있기 때문에 In-Sn 조합은 약 $120^{\circ}C$ 정도의 상당히 낮은eutectic 온도를 갖는다. 따라서 본 연구팀은 In-Sn 조합을 이용하여 $200^{\circ}C$ 이하에서monolithic 3D-IC 구현 시 사용될 eutectic bonding 공정을 개발하였다. 100 nm SiO2가 증착된 Si wafer 위에 50 nm Ti 및 410 nm In을 증착하고, 다른Si wafer 위에 50 nm Ti 및 500 nm Sn을 증착하였다. Ti는 adhesion 향상 및 diffusion barrier 역할을 위해 증착되었다. In과 Sn의 두께는 binary phase diagram을 통해 In-Sn의 eutectic 온도인 $120^{\circ}C$ 지점의 조성 비율인 48 at% Sn과 52 at% In에 해당되는 410 nm (In) 그리고 500 nm (Sn)로 결정되었다. Bonding은 Tbon-100 장비를 이용하여 $140^{\circ}C$, $170^{\circ}C$ 그리고 $200^{\circ}C$에서 2,000 N의 압력으로 진행되었으며 각각의 샘플들은 scanning electron microscope (SEM)을 통해 확인된 후, 접합 강도 테스트를 진행하였다. 추가로 bonding 층의 In 및 Sn 분포를 확인하기 위하여 Si wafer 위에 Ti/In/Sn/Ti를 차례로 증착시킨 뒤 bonding 조건과 같은 온도에서 열처리하고secondary ion mass spectrometry (SIMS) profile 분석을 시행하였다. 결론적으로 본 연구를 통하여 충분히 높은 접합 강도를 갖는 In-Sn eutectic bonding 공정을 $140^{\circ}C$의 낮은 공정온도에서 성공적으로 개발하였다.

• ETRI Journal
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• 제29권3호
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• pp.371-380
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• 2007

This paper proposes a new automatic compensation network (ACN) for a system-on-chip (SoC) transceiver. We built a 5 GHz low noise amplifier (LNA) with an on-chip ACN using 0.18 ${\mu}m$ SiGe technology. This network is extremely useful for today's radio frequency (RF) integrated circuit devices in a complete RF transceiver environment. The network comprises an RF design-for-testability (DFT) circuit, capacitor mirror banks, and a digital signal processor. The RF DFT circuit consists of a test amplifier and RF peak detectors. The RF DFT circuit helps the network to provide DC output voltages, which makes the compensation network automatic. The proposed technique utilizes output DC voltage measurements and these measured values are translated into the LNA specifications such as input impedance, gain, and noise figure using the developed mathematical equations. The ACN automatically adjusts the performance of the 5 GHz LNA with the processor in the SoC transceiver when the LNA goes out of the normal range of operation. The ACN compensates abnormal operation due to unusual thermal variation or unusual process variation. The ACN is simple, inexpensive and suitable for a complete RF transceiver environment.

• Journal of Power Electronics
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• 제15권6호
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• pp.1456-1467
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• 2015

This paper presents a novel close-loop control scheme based on small signal modeling and weighted composite voltage feedback for a three-phase input and single-phase output Matrix Converter (3-1MC). A small non-polar capacitor is employed as the decoupling unit. The composite voltage weighted by the load voltage and the decoupling unit voltage is used as the feedback value for the voltage controller. Together with the current loop, the dual-loop control is implemented in the 3-1MC. In this paper, the weighted composite voltage expression is derived based on the sinusoidal pulse-width modulation (SPWM) strategy. The switch functions of the 3-1MC are deduced, and the average signal model and small signal model are built. Furthermore, the stability and dynamic performance of the 3-1MC are studied, and simulation and experiment studies are executed. The results show that the control method is effective and feasible. They also show that the design is reasonable and that the operating performance of the 3-1MC is good.

• 한국고분자학회:학술대회논문집
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• 한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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• pp.325-325
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• 2006

Cationic polymerization of isobutyl vinyl ether using various metal halides was examined in toluene in the presence of an added base at $0^{\circ}C$. In conjunction with an appropriate weak base such as ethyl acetate or 1,4-dioxane, all metal halides but $FeBr_{3}\;and\;GaCl_{3}$ led to living cationic polymerization. The polymerization rates varied as follows: $FeBr_{3},\;GaCl_{3}\;>\;FeCl_{3}\;>\;SnCl_{4}\;>\;InCl_{3}\;>\;ZnCl_{2}\;>>\;AlCl_{3},\;HfCl_{4},\;ZrCl_{4}\;>\;EtAlCl_{2},\;BiCl_{3},\;TiCl4\;>>\;SiCl_{4}\;>\;GeCl_{4}$. This order partially corresponds to that of the equilibrium constant in the formation of a carbocation from a chloroalkane in the presence of a carbonyl compound. With extremely active Lewis acids, such as $FeBr_{3}\;and\;GaCl_{3}$, the use of a stronger base, THF, was required to achieve living polymerization.

• 대한한방내과학회지
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• 제12권2호
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• pp.138-147
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• 1991

Review of literature on stomachache. According to investigated the pathology of a stomachache about all sorts of falling ill, I have been obtained following conclusions. 1. The cause of Ui Wan Tong are clod-wet-ui wan, sik juk, dam eum, a huy1 be made of gi bul soon (氣不順). 2. Pain of Je sang bu are called jung wan tong, dae bok tong, jung cho tong, cause are sik juk, han sa, chung juk. pain of je ha bu are called so bok tong, hache tong, soh bok tong, so bok are devided two part, one is so eum sin the other is gul eum gan, cause are jo gyul dae jang, yul gyu1 bang kwang, hyul gyul bang kwang, porak hu ect. 3. Pain of je bu are called je bok tong, hwan je e tong, so bok je ju tong, and cause are juk yu1, jo si, dam hwa. Pain of yang hyup bu are called yang hyup ha so bok tong, yang bang ge hyup tong, yang hup jisang tong, cause are ban gi,yang myung jo geom. According to above results, the patholosy of a stomach ache about the part of falling ill in a course of transformation on the epidemic fever comes into the viscera.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권10호
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• pp.846-851
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• 2007

In this work, the etching characteristics of $Ge_2Sb_2Te_5(GST)$ thin films were investigated using an inductively coupled plasma (ICP) of $Cl_2/Ar$ gas mixture. To analyze the etching mechanism, an optical emission spectroscopy (OES) and surface analysis using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) were carried out. The etch rate of the GST films decreased with decreasing Ar fraction. At the same time, high selective etch rate over $SiO_2$ films was obtained and the selectivity over photoresist films decreased with increasing the he fraction. From XPS results, we found that Te halides were formed at the etching surface and Te halides limited the etch rate of the GST films.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권10호
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• pp.9-15
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• 2009

본 논문에서는 고속 ATC(Automatic Threshold Control) 회로 구조를 고안하고 이를 이용하여 고속 ATC 기능을 갖는 버스트 모드 제한증폭기를 설계하였고, $0.8{\mu}m$ SiGe BiCMOS 상용 파운드리 기술을 이용하여 제작하였다. 제작된 버스트 모드 제한증폭기는 $PRBS=2^7-1$에서 무에러(error free)의 아이를 보였고, 160ps이내의 지터 특성과 95ps이내의 상승/하강시간을 보였다. ATC특성 측정결과 버스트 데이터의 신호의 초기부터 안정되게 파형을 잘 잡아낼 정도로 빠른 ATC동작이 이루어지고 있어 고안한 ATC회로의 고속특성을 확인할 수 있었다. 그러나 버스트 초기에서 듀티사이클 왜곡이 발생했고, 입력 신호의 크기가 커짐에 따라 듀티사이클이 59%까지 증가하는 특성을 보였다. 그러나 10 사이클이 지난 후에는 모든 입력 신호의 크기에 대해 듀티사이클이 52% 이내로 안정화되고 있음을 확인하였다