• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권2호
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• pp.13-17
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• 2006

Pentacene channel PTFT(organic thin film transistor)을 SiOC 절연박막 위에서 thermal evaporation 방법을 이용하여 성장시켰다. CVD 방법으로 증착시킨 SiOC 절연막은 조성비에 따라 특성이 달라지므로 절연막 위에서의 펜타센의 화학적 반응을 조사하기 위해서 inorganic-type인 $O_2/(BTMSM+O_2)=0.5$의 비율을 갖는 SiOC 박막을 사용하였다. 펜타센 분자의 말단에서 SiOC 표면에서 Diels-Alder 반응에 의한 이중결합이 깨어지면서 안정된 성장을 하지만 온도가 높아감에 따라 표면에서의 $SN_2(bimolecular nucleophilic substitution)$ 반응과 연쇄적인 화학반응에 의해 .펜타센의 성장을 방해하는 것으로 나타났다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.199-200
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• 2010

• 해양환경안전학회지
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• 제25권7호
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• pp.974-981
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• 2019

미세먼지발생 문제는 커다란 사회적 문제로 대두되고 있다. 선박에서는 주 추진 동력원으로 디젤엔진을 주로 사용하고 있다. 본 연구에서는 디젤엔진에서 발생하는 미세먼지로 알려진 입자상 물질을 줄이기 위해서 디젤엔진의 후처리시스템으로 사용 중인 DPF(디젤미립자 필터, Diesel particulate filter)를 소개하고자 한다. DPF의 소재로는 Cordierite와 SiC (Silicon carbide)의 두 가지가 사용되고 있다. 본 논문에서는 SiC DPF에 사용되는 접합제의 물성 향상을 위해서 기존 접합제로 사용된 SiC 계열의 물질 대신 코디얼라이트를 사용하여 열팽창계수 변화를 통한 고온 변형에 대한 열 내구성을 평가하였으며, 접합제와 Segment 사이의 결합을 결정짓는 바탕제에 주성분인 실리카졸의 pH 변화에 따른 물성 변화를 확인하였다. 이를 기반으로 실리카 졸의 반응성을 높이기 위해 Siline계 커플링제를 첨가하거나 SiC를 일부 첨가함으로써 접합제의 물성 변화의 영향에 대해서 실험을 통하여 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제5권6호
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• pp.706-714
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• 1995

원거리 플라즈마 화학증착법을 이용하여 저온에서 이산화규소박막을 제조하였다. 본 연구 에서는 공정변수인 기판의 온도, 반응기체의 조성 및 분압과 플라즈마 전력에 따른 산화막의 재료적인 물성을 평가하였다. XPS결과에서 산화막은 양론비(O/Si=2)보다 약간 적어 실리콘이 많이 함유된 막으로 나타났다. 이 경우 굴절율과 ESR분석에 의해 미결합된 실리콘의 양이 증가함을 알 수 있었다. SIMS분석에 의해 미량의 질소성분이 계면에 존재하는 것과 실리콘 미결함을 관찰하였다. FT-IR로부터 막내 수소량을 정량화하였으며 결합각 분포는 20$0^{\circ}C$이상에서 열산화막과 비슷한 값을 얻었다. 하지만 열산화막에 비해 높은 식각율을 보여 계면 스트레스에 의해 막내의 결합력이 약해진 것으로 생각된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권6호
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• pp.327-332
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• 2006

The effect of the processing parameters on the sintered density and strength of silica-bonded SiC (SBSC) ceramics was investigated for three types of batches with different particle sizes. The SBSC ceramics were fabricated by an oxidation-bonding process. The process involves the sintering of powder compacts in air so that the SiC particles bond to each other by oxidation-derived $SiO_2$ glass or cristobalite. A finding of this study was that a higher flexural strength was obtained when the starting powder was smaller. When a ${\sim}0.3_{-{\mu}m}$ SiC powder was used as a starting powder, a high strength of $257{\pm}42\;MPa$ was achieved at a relative density of ${\sim}80%$.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제6권4호
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• pp.196-202
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• 1985

A Very Low Pressure Reactor (VLPR) is constructed for the kinetic study of atom-molecule bimolecular elementary reactions. The basic principles and the versatility of the method are described. By using the VLPR technique the forward (k1) and the reverse (k-1) rate constants for Br atom reaction with trimethylsilane are studied; Br + $(CH_3)_3$SiH k1 ${\leftrightarrow}$ k-1 HBr + $(CH_3)_3$Si. From the kinetic data and the entropy estimation the bond dissociation energy for Si-H bond in trimethylsilane is calculated to be 90.1 kcal/mole $({\pm}1.1$ kcal/mole). The Arrhenius parameters for k1 are found to be log A = 10.6 l/mole·sec, $E_a$ = 4.4 kcal/mole respectively. For the comparison purpose analogous reaction for carbon compound ; Br + $(CH_3)_3$CH ${\rightarrow}$ HBr + $(CH_3)_3$C was also studied. The corresponding rate constant and equilibrium constant at $25^{\circ}C$ are found to be 2.67 ${\times}$ $10^6l$/mole${\cdot}$sec and 160 respectively.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권7호
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• pp.2162-2166
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• 2013

The tailored surface modification of electrode materials is crucial to realize the wanted electronic and electrochemical properties. In this regard, a dexterous carbon encapsulation technique can be one of the most essential preparation methods for the electrode materials for lithium rechargeable batteries. For this purpose, DL-malic acid ($C_4H_6O_5$) was here used as the carbon source enabling an amorphous carbon layer to be formed on the surface of Si nanoparticles at enough low temperature to maintain their own physical or chemical properties. Various structural characterizations proved that the bulk structure of Si doesn't undergo any discernible change except for the evolution of C-C bond attributed to the formed carbon layer on the surface of Si. The improved electrochemical performance of the carbon-encapsulated Si compared to Si can be attributed to the enhanced electrical conductivity by the surface carbon layer as well as its role as a buffering agent to absorb the volume expansion of Si during lithiation and delithiation.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제53권2호
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• pp.247-252
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• 2015

${\alpha}$-상 과 ${\beta}$-상 두 가지 종류의 탄화규소(SiC) 입자 표면에 수열 합성 방법으로 ZSM-5 결정을 형성하였다. SiC는 $50{\mu}m$ 이상이 되는 크기의 입자를 사용하였으며, ZSM-5 결정이 SiC 표면에서부터 성장하도록 유도하기 위하여 합성 단계에 앞서 SiC 표면에 산화층을 형성하였으며, 수열합성 온도와 시간을 변화시켜 보았다. 그 결과 ${\beta}$-SiC는 $900^{\circ}C$ 조건에서도 산화막이 형성되었으며, 특히 $150^{\circ}C$ 합성 조건에서 ZSM-5가 ${\beta}$-SiC 표면에서부터 성장하였음이 뚜렷이 관찰되었다. $200^{\circ}C$ 조건에서는 ZSM-5의 결정의 크기가 성장할 뿐 아니라, 시간의 증가에 따라 결정의 형태가 뚜렷해지고 SiC 표면에 도포되는 양이 증가하는 것을 확인할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권12호
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• pp.1319-1324
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• 1996

Silica aerogels were synthesis by the sol-gel-supercritical drying process using isopropanol as a solvent. Effets of the heat-treatment and the surface modification through propoxylation on the structural reinforcement as well as the surface hydrophobic/hydrophilic characteristics of aerogels were investigated. Silica aerogels synthesized by supercritical drying were hydrophobic but aerogels heat-treated above 20$0^{\circ}C$ were transformed to be hydrophilic. In particular it was found that the skeletal structure of aerogels heat-treated at 50$0^{\circ}C$ was strong enough not to crack after adsorbing a large amount of water vapor. Hydrophilic aerogels modified by propoxylation at 28$0^{\circ}C$ for 20 h were reversed to the hydrophobic form. Transition between hydrophobicity and hydrophilicity was reversible. The hydrophobicvity and the hydrophilicity of silica aerogels were attributed to the Si-Oh bond and the nonpolar C-H bond groups of orgainc species respectively.

• 한국재료학회지
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• 제1권4호
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• pp.214-220
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• 1991

실리콘 산화막을 $CHF_{3/}C_2F_6$ 혼합가스를 사용하여 반응성이온 건식식각을 행할 때 실리콘 표면에 형성되는 잔류막과 손상층을 X-선 광전자 분광기(XPS)와 이차이온 질량 분석기(SIMS)를 사용, 연구하였다. 실리콘, 탄소, 산소 및 불소의 angle-resolved XPS분석기술을 이용한 비파괴적 화학결합상태의 깊이분포 분석을 통하여 잔류막의 표면부에 O-F 결합이 존재하며 잔류막은 주로 탄소와 불소의 결합체인 C-F 플리머로 구성되어져 있고 Si-O, Si-C 및 Si-F 결합 등이 존재함을 알았다. 손상층은 실리콘 표면에서 약 60nm 깊이까지 탄소와 불소의 침투에 의해 형성되어져 있음을 알았다.