• 센서학회지
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• 제5권1호
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• pp.71-77
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• 1996

마이크로머시닝의 구조재료인 다결정 Si이 희생산화막의 영향을 받음을 고려하여 다결정 Si을 열산화시킨 다결정-산화막을 새로운 희생산화막의 재료로서 제안하고 평가하였다. 다결정-산화막상에 성장시킨 다결정 Si은 통상의 희생산화막상에 성장시키는 경우보다 grain size가 증가하였고, XRD결과를 통해 (111) texture의 증가와, 부가적인 (220) texture가 형성됨을 관찰하였다. 또한, 다결정-산화막상에 성장시킨 다결정 Si의 경우, 그 응력이 작고 균일한 분포를 나타내었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권2호
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• pp.49-53
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• 2018

최근 유연 소자, 투명 소자, MEMS 소자와 같은 다양한 소자를 결합하는 시스템 집적화 기술이 많이 개발되고 있다. 이러한 다종 소자 시스템 제조 기술의 핵심 공정은 칩 또는 웨이퍼 레벨의 접합 공정, 기판 연삭 공정, 그리고 박막 기판 핸들링 기술이라 하겠다. 본 연구에서는 Si 기판 연삭 공정이 투명 박막 트랜지스터나 유연 전극 소재로 적용되는 산화주석 박막의 전기적 성질에 미치는 영향을 분석하였다. Si 기판의 두께가 얇아질수록 Si d-spacing은 감소하였고, Si 격자 내에 strain이 발생하였다. 또한, Si 기판의 두께가 얇아질수록 산화주석 박막 내 캐리어 농도가 감소하여 전기전도도가 감소하였다. 얇은 산화 주석 박막의 경우 전기전도도는 두꺼운 산화 주석 박막보다 낮았으며 Si 기판의 두께에 의해 크게 변하지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.53-53
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• 2009

Charge trap flash memory devices with modified tunneling barriers were fabricated using the tunneling barrier engineering technique. Variable oxide thickness (VARIOT) barrier and CRESTED barrier consisting of thin $SiO_2$ and $Si_3N_4$ dielectric layers were used as engineered tunneling barriers. The VARIOT type tunneling barrier composed of oxide-nitride-oxide (ONO) layers revealed reliable electrical characteristics; long retention time and superior endurance. On the other hand, the CRESTED tunneling barrier composed of nitride-oxide-nitride (NON) layers showed degraded retention and endurance characteristics. It is found that the degradation of NON barrier is associated with the increase of interface state density at tunneling barrier/silicon channel by programming and erasing (P/E) stress.

• 한국표면공학회지
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• 제22권4호
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• pp.179-184
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• 1989

This study seeks to the morphological changes in the oxide skin of the Al-10wt.%si alloy melts. These changes depend on the oxidation time and the temperature of the molten alloy, as well as the effects of adding Mg, Cu and Ni. Thess affects observed by X-ray diffractometer(XRD) and scanning electron microscope(SEM)' Very litte oxide skins on Al-10wtwt.%Si alloy melts can be detected by XRD because it is less than the measuring capabillity of the XRD, or the formation of noncrystalline oxide skins oxide skins canbe deteced by SEM. The addition of 1%Mg and 1%Cu-1%Mg-2.5%Ni to this base alloy crystallized the structure of the oxide skins and increased the oxidation in proportion to the length of time, but adding 3% had hardiy anyaffect at all on the crystal structure of the oxide skins.

• 한국재료학회지
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• 제9권5호
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• pp.491-495
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• 1999

In this study, we focus on Ca contaminant which affects on the roughness Si substrate after thermal process. The initial Si substrates were contaminated intentionally by using a standard Ca solution. The contamination levels of Ca impurity were measured by TXRF and the chemical composition of that was analyzed by AES. Then we gre the thermal oxide to investigate the effect of Ca contaminants. The microroughness of the Si surface, the thermal oxide surface, and the surface after removing the thermal oxide were measured to examine the electrical characteristics. The initial substrates that were contaminated with the standard solution of Ca exhibited the contamination levels of 10\ulcorner~10\ulcorneratoms/$\textrm{cm}^2$ which was measured by TXRF. The Ca contaminants were detected by AES and exhibited the peaks of Ca, SI, C and O.After intentional contamination, the surface microroughness of this initial substrate was increased from $1.5\AA$ to 4$\AA$ as contamination levels became higher. The microroughness of the thermal oxide surfaces of both contaminated and bare Si substrates exhibits similar values. But the microroughness of the contaminated$ Si/SiO_2$ interface was increased as contamination increased. The thermal oxide of contaminated substrate exhibited the small minority carrier diffusion length, low breakdown voltage, and slightly high leakage current.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권5호
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• pp.224-230
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• 2001

초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 $NO/N_2O$ 열처리된 재산화 질화산 화막의 특성을 D-SIMS(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry), ToF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry), AES(Auger Electron Spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 $N_2O$ 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록하였다. 재산화에 있어서 습식산화시 공정에 사용된 수소에 의한 영향으로 계면 근처에 축적된 질소가 Si≡N 결합을 쉽게 이탈함에 따라 방출이 촉진되어 건식산화에 비하여 질소의 감소가 더욱 두드러지게 나타났다. 재산화에 따른 질화산화막내 질소의 거동은 외부로의 방출과 기판으로의 확산이 동시에 나타난다. 재산화후 질화산화막내 축적된 질소의 결합종을 분석한 결과, 초기산화막 계면근처의 질소는 SiON의 결합종이 주도적으로 나타나는 반면 재산화 후 새롭게 형성된 $Si-SiO_2$ 계면근처로 확산한 질소는 $Si_2NO$ 결합종이 주로 검출된다. SiON에 의한 질소의 미결합손과 $Si_2$NO에 의한 실리콘의 미겨랍손은 기억특성에 기여하는 결함을 포함하기 때문에 재산화 질화산화막내 존재하는 SiON과 $Si_2$NO 결합종은 모두 전하트랩의 기원과 관련된 결합상태로 예상된다.

• 한국표면공학회지
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• 제42권6호
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• pp.260-266
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• 2009

The anodic oxidation behaviour of a cast component of AC2A Al alloy with machined surface and ascast surface was investigated in sulfuric acid solution. The anodized specimen showed relatively uniform and thick anodic oxide films on the as-cast surface, while non-uniform and very thin oxide films were formed on the machined surface. Non-anodized as-cast surface was observed to be covered with thick oxide scales and showed a number of second-phase particles containing Si, while non-anodized machined surface showed no oxide scales and relatively very small number of Si particles. Thus, the very limited growth of anodic oxide films on the as-cast surface was attributed to the presence of thick oxide scales and Si-containing second-phase particles on its surface.

• 공업화학
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• 제9권7호
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• pp.990-997
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• 1998

ECR 산소플라즈마를 이용하여 저온 확산법에 의해 서로 다른 종류의 기판에 마이크로파 출력, 기판의 위치 등을 실험변수로 실리콘 산화막을 제조하고, 열처리 전 후 물리 화학적 특성을 분석하여 Si/O 의 조성비, 산화막 표면의 morphology와 전기적 특성과의 관계를 살펴보았다. 마이크로파 출력이 높은 영역에서, 산화속도는 증가하지만 식각으로 인하여 표면조도가 증가하였다. 따라서 막내에 결함이 증가하고 기판자체에 걸리는 DC bias의 증가로 기상에 존재하는 산소 양이온이 다량 함유되어 산화막의 질이 저하되었다. 기판의 종류에 따라 기상에 존재하는 산소 양이온의 함량은 Si(100) $Si/SiO_2$계면에 존재하는 결함들은 줄일 수 있으나, 고정전하와 계면포획전하 밀도는 열처리와 무관하고 단지 기상에 존재하는 반응성 산소이온의 양과 기판자체 DS bias에 의존하였다. 마이크로파 출력이 300, 400 W인 실험조건에서 표면조도가 낮고, 계면결함밀도가 ${\sim}9{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$로 $Si/SiO_2$계면에서 결함이 적은 양질의 산화막이 얻어졌다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.64-64
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• 2009

Atomic force microscopy (AFM) fabrication of oxide patterns is an attractive technique for nanoscale patterns and related device structures, SiC exhibits good performance in high-power, high-frequency, and high-temperature conditions that is comparable to the performance of Si. The AFM fabrication of oxide patterns on SiC is important for electronic applications. However, there has not been much reported investigations on oxidation of SiC using AFM. We achieved the local oxidation of 4H-SiC using the high loading force of ~100 nN, although the oxidation of SiC is generally difficult mainly due to the physical hardness and chemical inactivity. All the experiments were performed using atomic force microscopy (S.I.S. GmbH, Germany) with a Pt/Ir-coated Si tip at ~40% humidity and room temperature. The spring constant and resonance frequency of the tip were around ~3 N/m and ~70 kHz. We fabricated oxide patterns on n-type 4H-SiC ($\sim10^{19}/cm^3$) and n-type Si ($\sim1.9\times10^{16}/cm^3$). In summary, we demonstrated that the oxide patterns can be obtained over the electric field of ${\sim}\times10^7 V/cm$ and the high loading force using the tip as a cathode. The electric field transports the oxyanions (OH-) to the positively biased surface.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권1호
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• pp.25-31
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• 1994

Properties of oxynitride films reoxidized by $N_2{O}$ gas after thermal oxidation and $N_2{O}$ oxide films directly oxidized by using $N_2{O}$ gas on the bare silicon wafer have been studied. From the AES analysis, nitrogen pile-up at the interface of Si/oxynitride and Si/$N_2{O}$ oxide has observed. $N_2{O}$ oxide and oxynitride films have the self-limited characteristics. Therefore, it will be possible to obtain ultra-thin films. Nitrogen pile-up at the interfaces of Si/oxynitride and Si/$N_2{O}$ oxide strengthens film structure and improves dielectric reliability. Although fixed charge densities and interface trap densities of N20 oxide and oxynitride films have somewhat higher than those of thermal $SiO_2{O}$, $N_2{O}$ oxide and oxynitride films showed improved I-V characteristics and constant current stress.