Silicene is an emerging two-dimensional (2D) semiconductor material which has been envisaged to be compatible with conventional silicon technology. This paper presents a theoretical study of uniformly doped silicene with aluminium (AlSi3) Field-Effect Transistor (FET) along with the benchmark of device performance metrics with other 2D materials. The simulations are carried out by employing nearest neighbour tight-binding approach and top-of-the-barrier ballistic nanotransistor model. Further investigations on the effects of the operating temperature and oxide thickness to the device performance metrics of AlSi3 FET are also discussed. The simulation results demonstrate that the proposed AlSi3 FET can achieve on-to-off current ratio up to the order of seven and subthreshold swing of 67.6 mV/dec within the ballistic performance limit at room temperature. The simulation results of AlSi3 FET are benchmarked with FETs based on other competitive 2D materials such as silicene, graphene, phosphorene and molybdenum disulphide.
In general the chemical composition of glass ceramics in Li2O-Al2O3-SiO2 system is similar to the composition of $\beta$-spodumene (Li2O-Al2O3-4SiO2). With the object to manufacture the glass ceramics which can be produced in the domestic pot the composition of glass was so settled at 1.0 Li2O.0.9Al2O3.6.0SiO2 in order to reduce the contents of Li2O, to prevent the corrosion of the pot and to decrease the cost of raw materials. 0.2 mole and 0.1 mole of the mixture of TiO2 and ZrO2 as nucleants were added to the basic composition of 1.0 Li2O-0.9Al2O3-6.0SiO2. Each sample was divided into two kinds with a TiO2/ZrO2 ratio of 2 to 1 and the other with a TiO2/ZrO2 ratio fo 1 to 1. Thermal expansion coefficient, the most important property of glass ceramics, was tested. The softening point and the melting point of the samples were observed by the use of a heating microscope. The results obtained were as follows. The manufacturing of glass ceramics seems to be possible in the industrial plant using the domestic pot. 1) The composition of the glass which can be melted in the domestic pot process was near 1.0 Li2O.0.9Al2O3.6.0SiO2. 2) The temperature range of crystal creation and crystal growth was between 850-94$0^{\circ}C$, and 5 hours holding the samples at the temperature range was enough to crystallize them. The major crystal was $\beta$-spdumene and there existed petalite partialy. 3) The thermal expansion coefficient fo the crystallized glass was negative. 4) The deforming point of the crystallized glass was 1435$^{\circ}C$.
Chemical composition of fine sediments from Jeongdongjin area are analyzed with XRF method. The results are compared with previously reported results of sandstones of the nearest Simgok port. The weight percentage of $SiO_2$ of the samples are far lower than those of sandstones of Simgok. It is supposed to be happened by the selective elution of $SiO_2$ from the sediment layer of coastal terrace, as there's no evidence of selective input or precipitation of other elements from outside. As a result of chemical alteration or weathering of sediment at coastal terrace, weight percentage of $Al_2O_3$ and $Fe_2O_3$ of samples show far higher values than those of Simgok sandstone. In addition, the relative portion of $Al_2O_3$ and $Fe_2O_3$ are decreased to upward within outcrop of terrace sediment layers. It could be caused by the chemical weathering progress with time. However Chemical Index of alteration(CIA) of sediment samples are no larger than 90 and it could be interpreted that it would take over 100ka for total weathering of sediment in this area. Meanwhile the ratio of $SiO_2/Al2O_3$ of terrace sediment showed as 3.48~6.0 and it is far smaller than those of Simgok sandstones(23.9~49.0). The ratio of $SiO_2/Fe_2O_3$ of terrace sediment(19.19~55.85) showed similar pattern with $SiO_2/Al2O_3$ (Simgok sanstone: 119.6~601.8). The ratios have a weak trend of decreasing upwards within the outcrop, there also a huge difference in value among the samples. Chemical composition of reddish brown and gray layers which suspected as the result of psudogleization reveals that reddish brown parts have higher concentration of $Fe_2O_3$ than other parts, while there was no significant difference in concentration of $Al_2O_3$ and CaO.
In the study the characteristics change of crystallized $Li_2O$.$Al_2O_3$.$SiO_2$ glass-ceramics when varying RO ratio and increasing Al2O3 were investigated to produce a glass-ceramics with high mechanical strength and low thermal expansion. Parent glass was obtained by melting at 1,350~1,40$0^{\circ}C$ for 3 hours and annealing at 45$0^{\circ}C$ and the various physical characteristics were measured. Results were as follows; 1. When ZnO was replaced by MgO thermal expansion coefficient was lowered when increasing ZnO content. 2. Major crystal phase was $\beta$-spodumene the crystal growth mophology was the three dimensional sphere and the activation energy for crystallization was 54.6 Kcal/mol. 3. Parent glass heat-treated at 95$0^{\circ}C$ for 10 hours had ; a) thermal expansion coeff. of $23.2{\times}10^{-7}$/$^{\circ}C$ b)whiteness of 76 c) microhardness of 1,089kg/$mm^2$
수용액 내 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 전위차 적정 실험과 FITEQL3.2 프로그램을 이용하여 연구하였다. 표면복합반응 모델 중 일정용량 모델을 적용하였으며, 표면을 사면체 자리와 팔면체 자리로 나누어 설정한 2 sites - 3 $pK_{a/s}$ 모델은 캐올리나이트와 할로이사이트의 표면화학 특성을 설명하는데 적합하였다. 두 점토광물 표면은 pH 4 이상에서 음전하를 띄며 pH가 높아질수록 양성자 표면 전하 밀도는 낮아진다. 산성 및 중성 영역에선 Si 사리(≡$SiO^{-}$ )가, 염기성 영역에선 Al 자리(≡$AlO^{-}$)가 양이온을 흡착하는데 중요한 역할을 할 것으로 예상된다. 모델링 결과 캐올리나이트의 경우 $pK_{a2(si)}$ /$^{int}$, p $K_{al(Al) }$ /$^{int}$ /, $pK_{a2}$$(Al)^{int}$ /는 각각 4.436. 4.564, 및 8.461이며, 할로이사이트의 경우는 각각 7.852, 3.885, 7.084이다. 캐올리나이트의 총 Si 표면자리 농도와 총 Al 표면자리 농도는 0.215와 0.148 mM이며, 할로이사이트의 경우는 0.357과 0.246 mM이다 두 광물 모두 Si 표면자리 밀도 : Al 표면자리 밀도가 1 : 0.69로 비슷하다. 캐올리나이트의 총 표면자리 밀도는 3.774 sites/$nm^2$로 할로이사이트의 2.292 sites/n $m^2$ 값보다 약 1.6배정도 높다.다.
Al doped ZnO (AZO) thin films were deposited on Si substrates with rod-shaped-surface by pulsed laser deposition method (PLD). Si-rods were prepared through chemical etching. To analyze the influence on the formation of the rod structure, samples with various chemical etching conditions such as AgNO3/HF ratio, etching time, and solution temperature were prepared. The morphology of Si-rod structures were examined by FE-SEM. Fig. 1 shows a typical structure of n-AZO/p-Si-rod juncions. The fabricated n-AZO/p-Si-rod devices exhibited p-n diode current-voltage characteristics. We compared the I-V characteristics of n-AZO/p-Si-rod devices with the samples without Si-rod structure.
For the purpose of development of domestic carburizer, when the basicity of ash in carburizer was changed from $Na_2O/Al_2O_3+SiO_2$ ; 0.06 to $Na_2O/Al_2O_3+SiO_2$ ; 0,196wt%, using $Na_2O$ as flux for domestic graphite resource (Bong Myung armorphous graphite), carburizing efficiency was improved as basicity increased, optimum basicity value was $Na_2O/Al_2O_3+SiO_2$ ; 0.151. This means that $Na_2O$ contributed to lower viscosity of slag and raise occurence probability of specific reaction surface between molten iron and carburizer. The experiment of effect of general characteristics offecting carburizing ability of this carburizer was performed, the result is that 10/30 mesh was optimum size of the carburizer and as carbon equivalent of molten iron was higher, carburizing ratio was lowered, but when si concentration was below 1.8% in general cast iron melting region, recovery showed 75-85%. As agitation rate of molten iron and temperature interval were higher, Carburizing ratio was increased and showed max, 94%. Desulfurizing phenomena of molten iron by $Na_2O$ in carburizer didn't appear.
The reduction behavior of $TiO_{2}$ in Al and Al/CaSi containing self-reducing $TiO_{2}$ briquettes(SRTB) was investigated. The maximum yield of Ti was expected with the slag composition of 45-55%CaO in the $CaO-Al_{2}O_{3}$ system. When $CaCO_{3}$ was used as a flux, the oxidation loss of reducing agent by $CO_{2}$ should be compensated, and therefore it leads to excessive requirement of the reducing agent. By using Al and CaSi mixture as a reducing agent of $TiO_{2}$, the reaction products both oxide and metal could be liquefied, and separated effectively with each other. As a result, the yield of Ti increases remarkably. The optimum mixing ratio of CaSi to Al is 78%CaSi-22%Al.
Understanding of effects of changes in the particle size of the matrix material on the mullite whisker growth during the production of porous mullite is crucial for better design of new porous ceramics materials in different applications. Commercially, raw materials such as Al2O3/SiO2 and Al(OH)3/SiO2 are used as starting materials, while AlF3 is added to fabricate porous mullite through reaction sintering process. When Al2O3 is used as a starting material, a porous microstructure can be identified, but a more developed needle shaped microstructure is identified in the specimen using Al(OH)3, which has excellent reactivity. The specimen using Al2O3/SiO2 composite powder does not undergo mulliteization even at 1,400 ℃, but the specimen using the Al(OH)3/SiO2 composite powder had already formed complete mullite whiskers from the particle size specimen milled for 3 h at 1,100 ℃. As a result, the change in sintering temperature does not significantly affect formation of microstructures. As the particle size of the matrix materials, Al2O3 and Al(OH)3, decreases, the porosity tends to decrease. In the case of the Al(OH)3/SiO2 composite powder, the highest porosity obtained is 75 % when the particle size passes through a milling time of 3 h. The smaller the particle size of Al(OH)3 is and the more the long/short ratio of the mullite whisker phase decreases, the higher the density becomes.
The performance of the AlGaN/GaN MSM-2DEG varactor with different dielectric films deposited by the E-beam deposition is investigated in detail. The capacitance swing and the capacitance ratio of the varactor without dielectric film as well as with, SiO2, Gd2O3, and Si3N4 films, respectively, are determined by electrodes of varying areas. The maximum capacitance, the minimum capacitance and the capacitance ratios are proportional to the increasing of the electrode areas. The capacitance ratio determined by the maximum and the minimum capacitance is found to be 18.35 (with Si3N4 dielectric film) and 149.51 (without dielectric film), respectively. The transition voltages of the fabricated varactors are almost the same for a bias voltage of about ±5 V and leakage current can be lower three orders of magnitude while the varactors with dielectric films. The tunability of the capacitance ratio makes the AlGaN/GaN MSM-2DEG varactor with a dielectric film highly useful in multirange applications of a surge free preamplier.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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