• Current Photovoltaic Research
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• 제3권2호
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• pp.39-44
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• 2015

$Cu(In,Ga)_3Se_5$ (${\beta}-CIGS$) has a band gap of 1.35 eV which is an optimum value for high solar-energy conversion efficiency. However, ${\beta}-CIGS$ film was not well characterized yet due to lower efficiency compared to $Cu(In,Ga)Se_2$ (${\alpha}-CIGS$). In this work, ${\beta}-CIGS$ films were fabricated by a three-stage co-evaporation of elemental sources with various Se fluxes. As the Se flux increased, the crystallinity of ${\beta}-CIGS$ phase was improved from the analysis of Raman spectroscopy and a deep-level defect was reduced from the analysis of photoluminescence spectroscopy. A Se treatment of the ${\beta}-CIGS$ film at $200^{\circ}C$ increased Ga content and decreased Cu content at the surface of the film. With the Se treatment at $200^{\circ}C$, the cell efficiency was greatly improved for the CIGS films prepared with low Se flux due to the increase of short-circuit current and fill factor. It was found that the main reason of performance improvement was lower Cu content at the surface instead of higher Ga content.

• 전기학회논문지
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• 제63권8호
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• pp.1070-1074
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• 2014

With the development of the electronics industry and widespread supply of many different electrical appliances, the factors of the electrical fires are also diversified. For this reason, the fuse, safety-critical component, needs accurate and stable operating characteristics for preventing various fire factor, and also needs various operating characteristics. Especially when the all electrical resistance are dropped by internal short of circuit, high current inrushes and makes the fire. In order to prevent this, very fast acting fuses should be applied. However, existing very fast acting characteristics fuse has less wire dimension of element Ag100% metal than that of fast acting fuse, and it is made of plating with low melting point metals, so it satisfy very fast acting but it can't satisfy durability and safety. For this reason, in this study, through the analyzing fusing characteristics of Ag-Cu alloy composition, the new alloy composition, which implement to very fast acting fuse without decrease of fuse elements dimension, is suggested. And this study classify the operating characteristics changes, a resistance change, and the rated current of the fuse in the overall composition change of Ag-Cu alloying. and it can be utilized for designing fuse.

• KIEE International Transactions on Power Engineering
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• 제5A권4호
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• pp.357-365
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• 2005

This research investigates the influences of distributed generations (DG), which are interconnected to the bus by the dedicated lines, on the overcurrent relays (OCR) of the neighboring distribution feeders and also proposes a novel method to reduce the negative effects on the feeder protection. Due to the grid connected DG, the entire short-circuit capacity of the distribution networks increases, which may raise the current of the distribution feeder during normal operations as well as fault conditions. In particular, during the switching period for loop operation, the current level of the distribution feeder can be larger than the pickup value for the fault of the feeder's OCR, thereby causing the OCR to perform a mal-operation. This paper proposes the adaptive setting algorithm for the OCR of the distribution feeders having the neighboring dedicated feeders for the DG to prevent the mal-operations of the OCR under normal conditions. The proposed method changes the pickup value of the OCR by adapting the power output of the DG monitored at the relaying point in the distribution network. We tested the proposed method with the actual distribution network model of the Hoenggye substation at the Korea Electric Power Co., which is composed of five feeders supplying the power to network loads and two dedicated feeders for the wind turbine generators. The simulation results demonstrate that the proposed adaptive protection method could enhance the conventional OCR of the distribution feeders with the neighboring dedicated lines for the DG.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권9호
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• pp.8-13
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• 2008

균일하게 도핑된 반도체에서, 분포된 확산 잡음원에 의해서 발생하는 단자잡음전류의 전력주파수밀도를 계산하였다. 고정된 전압에서 반도체의 길이가 작아짐에 따라, 또는 주어진 반도체에서 전류레벨이 증가함에 따라, AC 단락잡음전류는 열잡음 뿐만 아니라 과잉잡음을 보인다. 이 과잉잡음은 채널길이가 외인성 Debye 길이에 비해 매우 작은 경우에는 산탄잡음의 스펙트럼과 같은 모습을 보인다. 유한한 주파수에서 속도요동 잡음원에 의한 외인성 반도체에서 발생하는 과잉잡음을 최초로 유도하였다. 유도된 과잉잡음 공식은 반도체 채널의 통과 시간, 유전 이완 시간, 속도 이완 사이의 상호 작용에 따라 단자잡음 전류와 캐리어 농도 요동이 결정됨을 명시적으로 보여준다. 또한 유도된 해석적 식을 사용하여 여러 가지 반도체 샘플 길이와 바이어스, 주파수에 따른 잡음 스펙트럼의 변화도를 계산하였다. 유도된 공식은 quasi-ballistic 수송현상이 중요한 역할을 하는 나노스케일 MOSFET의 잡음 발생 기제를 이해할 수 있는 기반이 된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권6호
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• pp.111-118
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• 2008

액정 구동 IC에서 발생하는 기생 p-n-p-n 회로의 래치업 문제를 개선하기 위해 power-up 순서상에 순차 스위치를 삽입하는 방법을 제안하였다. 제안된 순차 스위치는 2차-승압회로와 3차-승압회로 내에 삽입되며, power-up 순서상에서 해당 승압회로가 동작하기 전에 기생 p-n-p-n 회로의 분리된 에미터-베이스 단자를 순차적으로 연결하게 된다. 제안된 구조의 성능을 검증하기 위해 0.13-um CMOS 공정을 이용하여 테스트 IC를 설계 제작하였다 측정 결과, 기존의 경우 $50^{\circ}C$에서 액정 구동 전압이 VSS로 수렴하면서 과전류를 동반하며 래치업 모드로 진입하였으나, 제안 회로를 삽입한 경우는 고온($100^{\circ}C$)에서도 정상 전류 0.9mA와 정상 액정 구동 전압을 나타내어 래치업이 방지되고 있음을 확인하였다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제2권2호
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• pp.59-62
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• 2014

Minority carrier diffusion length is one of the most important parameters of solar cells, especially for short circuit current density (Jsc). In this report, we proposed the calculating method of the minority carrier diffusion length ($L_n$) in CIGS solar cells through biased quantum efficiency (QE). To verify this method's reliability, we chose two CIGS samples which have different grain size and calculated $L_n$ for each sample. First of all, we calculated out that $L_n$ was 56nm and 97nm for small and large grain sized-cell through this method, respectively. Second, we found out the large grain sized-cell has about 7 times lower defect density than the small grain sized-cell using drive level capacitance profiling (DLCP) method. Consequently, we confirmed that $L_n$ was mainly affected by the micro-structure and defect density of CIGS layer, and could explain the cause of Jsc difference between two samples having same band gap.

• 수산해양기술연구
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• 제37권2호
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• pp.147-152
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• 2001

본 연구에서는 수도수 중에서 Mg합금유전양극에 의한 연강재 온수보일러의 음극방식특성을 연구한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. 1) 온수보일러 관체의 개로전위에서나 전위가 높은 구간에서 모재의 부식전류밀도가 용접부위의 부식전류밀도보다 더 적게 배류된다. 2) 주조된 표면 그대로의 Mg합금 유전양극의 전류밀도는 주조된 표면을 연마한 상태의 Mg합금 유전양극의 전류밀도보다 더 많이 배류된다. 3) Mg합금 유전양극으로부터 거리가 멀어질수록 연강재 온수보일러의 음극방식전위는 높게 나타나고, 음극방식시간이 경과하면서 방식전위는 높게 나타나다가 6-10일 이후부터 방식전위는 안정되고 있다.

• 전력전자학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.218-225
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• 2010

본 논문은 인버터 AC 스폿용접시스템의 용접시간을 최소화하기 위한 방법에 관한 것이다. 기존의 SCR 회로방식을 이용한 스폿용접시스템의 경우 제어속도가 느리고 전류제어가 정밀하지 않다. 따라서 최근에는 인버터를 이용한 용접시스템이 점차 증가하고 있다. 2차전지의 전극과 같은 박판을 용접해야 하는 경우에는 용접시간이 수 [ms] 정도로 짧아야 한다. 수 [ms] 정도로 용접시간을 최소화하면서 수 천 [A]에 달하는 대전류를 흘리기 위해서 일반적으로 수십개의 스위칭 소자들을 병렬로 연결하여 사용하기도 한다. 본 논문에서는 단지 4개의 IGBT로 구성된 인버터와 60[Hz] 변압기만으로 수 [ms] 대의 용접이 가능한 비용절감형 용접시스템을 제안하고 특성을 분석하였다. 그리고 실험을 통하여 타당성과 효용성을 입증하였다.

• 대한조선학회논문집
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• 제35권4호
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• pp.65-75
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• 1998

GMA 용접 중 100% $CO_2$ 가스를 사용하는 $CO_2$ 용접은 경제적이고 고능률적이라는 점 때문에 많이 사용되고 있다. $CO_2$ 용접의 아크현상과 스패터 발생량은 용접용 와이어의 화학성분, 실드가스, 용접조건 등에 영향을 받는다. 특히 용접조건은 용적이행 모드를 결정하기 때문에 스패터 발생량에 커다란 영향을 미친다. 본 연구는 $CO_2$ 용접 재료 중 두 type의 FCW(titania계, semi-metal계)를 이용하여 용접조건을 변화시켜 아크현상과 스패터 발생량을 파악하여 용접부의 품질 평가와 용접조건 설정에 기여코져 한다. 본 연구를 통해, 다음과 같은 결론을 얻을 수 있다. 1) 저전류 영역(140A)의 FCW 모두 22V까지는 전형적이 단락이행이 나타났고, 스패터 발생량의 증가와 저전류 스패터 입도를 대립화하였다. 2) 대전류 영역(320A)의 전형적인 globular이행에서 titania계 FCW가 semi-metal계 FCW보다 아크 안정성이 양호하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.91-96
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• 1992

The nonvolatile SNOSFET EEPROM memory devices with the channel width and iength of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$15[$\mu\textrm{m}$], 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.5[$\mu\textrm{m}$] and 1.9[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.7[$\mu\textrm{m}$] were fabricated by using the actual CMOS 1 [Mbit] process technology. The charateristics of I$\_$D/-V$\_$D/, I$\_$D/-V$\_$G/ were investigated and compared with the channel width and length. From the result of measuring the I$\_$D/-V$\_$D/ charges into the nitride layer by applying the gate voltage, these devices ere found to have a low conductance state with little drain current and a high conductance state with much drain current. It was shown that the devices of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$15[$\mu\textrm{m}$] represented the long channel characteristics and the devices of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.5[$\mu\textrm{m}$] and 1.9[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.7[$\mu\textrm{m}$] represented the short channel characteristics. In the characteristics of I$\_$D/-V$\_$D/, the critical threshold voltages of the devices were V$\_$w/ = +34[V] at t$\_$w/ = 50[sec] in the low conductance state, and the memory window sizes wee 6.3[V], 7.4[V] and 3.4[V] at the channel width and length of 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$15[$\mu\textrm{m}$], 15[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.5[$\mu\textrm{m}$], 1.9[$\mu\textrm{m}$]${\times}$1.7[$\mu\textrm{m}$], respectively. The positive logic conductive characteristics are suitable to the logic circuit designing.