• 한국세라믹학회지
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• 제40권8호
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• pp.765-769
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• 2003

2 keV의 저에너지 He$^{+}$ 이온을 사용한 비행시간형 직충돌 이온산란 분광법을 이용하여 Si(100) 표면의 원자구조를 해석하였다. [011] 방위를 따라 이온빔을 입사시키고, 입사 각도에 따른 산란된 이온의 강도를 측정하였다. 20$^{\circ}$, 28$^{\circ}$, 46$^{\circ}$, 63$^{\circ}$, 80$^{\circ}$등의 5가지 입사각도에서 집속 효과가 일어났다. 이 각도를 설명하기 위해 그림자 원뿔을 계산하여 원자의 위치를 모사하였으며, 이 결과는 실험과 잘 일치하였다. 28$^{\circ}$, 46$^{\circ}$, 63$^{\circ}$ 및 80$^{\circ}$에서 일어나는 4개의 집속 효과는 표면 최외층에서 이 합체가 자리하지 않는 {011}면을 따라서 발생한 것이며 벌크 구조가 반영된 결과이다. 그 반면에 이합체를 이루는 원자사이에서 발생한 산란은 20$^{\circ}$에서 집속 효과를 나타내었다.