• 한국광학회지
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• 제4권2호
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• pp.188-194
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• 1993

루비듐-87 원자의 $D_2$ 전이선에 대해 Nakayama의 광펌핑 효과를 고려한 포화분광이론을 적용하여 공진신호의 상대적인 크기를 펌프광과 조사광의 편광 조합에 따라 계산하였고, 선폭 축소된 반도체 레이저를 사용한 실험결과와 비교해 보았다. 그 결과, 지자장을 차례했을 때의 실험결과와 계산 결과는 잘 일치하는 것을 알았다.

• 한국세라믹학회지
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• 제26권1호
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• pp.1-6
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• 1989

The phenomena that the electrical conductivity of rutile single crystal changes with time were investigated along the a and c crystallographic axes, at 85$0^{\circ}C$ and Po2 in the range of 1~10-18.5atm. The D.C. conductivity decreased with and saturated some value after ca. 100 hours. But the A.C. conductivity showed no time dependence in the whole Po2 range. These experimental results suggest that the time dependence of D.C. conductivity of rutile single crystal is due to space charge polarization effect; the electrode was Pt which is complete electronic conductor, while the sample was TiO2 which is mixed conductor.

• 환경생물
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• 제22권1호
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• pp.89-92
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• 2004

The effects of different light quality on the change of membrane potential difference (PD) of the guard cell in the intact leaf have been investigated. The mombrane PD was about -5.5 mV by white light of 600 $\mu$moles $m^{-2}\; s^{-1}$. The mean PD of change caused by red light was about -5.2 mV at the light intensity of 80 $\mu$moles $m^{-2}\; s^{-1}$. Membrane PD of guard cells in response to blue light was saturated at low light intensity. However, red and green light enhanced the change of membrane PD of guard cells with increasing intensity. In green light the biggest change of memrane PD was around -4 mV, whereas, with blue light the change of of memrane PD was around -2 mV. Accordingly, the membrane PD of guard cell showed the different degree of hyper-polarization by each wavelength.

• 한국표면공학회지
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• 제12권3호
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• pp.161-166
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• 1979

Theoretical and practical aspects are investigated for electrochemical behavious, plating processes and the structures of electrodeposit of Pb-Sn binary alloy plating through numerous literatures in this report. The anodic and cathodic electrode reaction mechanisms of Pb and Sn could co-deposit and make Pb-Sn alloy deposit from the results of cathode current density-cathode potential curves of Pb, Sn and Pb-Sn alloys in fluoborate solutions. The compositions of the best alloy plating solutions are obtained for the purpose of bearing, anticorrosion and solder plating. In general, the casting anodes of Pb-Sn alloys are used, but separated anodes of Pb and Sn pure metal are used in order to obtain the fine compositions of Pb-Sn alloy deposits. The electrodeposits of Pb-Sn alloy are in nonequilibrium state and saturated solid solutions. Thus, ${\beta}$-phase (Sn-phase) is precipitated by heat treatment. The texture and structure of the electrodeposit are associated with the surface energies of deposit lattice planes and with the cathode polarization. The electrodeposit of Pb-Sn alloy is shown as lamellar structure.

• 지질공학
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• 제18권4호
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• pp.423-431
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• 2008

충적층의 구성물질 중에서 포화된 실트 또는 점토층은 다른 층들에 비해 상대적으로 낮은 전기비저항 값을 나타낸다. 따라서 자료해석에 있어서 실트 및 점토층이 전기비저항이 작고 투수성이 높은 대수층으로 오인될 수 있다. 본 연구에서는 이러한 문제를 극복하고 충적층 내 포화된 실트 또는 점토층과 모래 또는 자갈 대수층을 구분하기 위해 충적층을 구설하고 있는 물질의 전기비저항 및 유도분극 값을 함께 측정하는 실내실험을 실시하였다. 실험결과 실트 또는 점토시료가 모래시료보다 충전성이 높게 나타났으며, 또한 모래와 점토 혼합시료에서 점토함량이 증가함에 따라 전기비저항은 감소하고 충전성은 증가하다가 다시 감소하는 경향을 보였다.

• 대한토목학회논문집
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• 제29권3C호
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• pp.127-136
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• 2009

본 연구의 목적은 포화지반의 전기적 특성파악을 위한 4전극 전기비저항 프로브(4-Electrode Resistivity Probe: 4ERP)의 개발과 검증이다. 4ERP는 웨너 배열을 적용하여 전극에서 분극작용 없이 전기비저항을 산정할 수 있도록 쐐기형과 평면형으로 제작되었다. 쐐기형은 지반속에 관입하기 위한 용도이며 평면형은 실내실험시 사용되는 셀등에 설치하기 위한 것이다. 크기가 다른 6종류의 글라스비드와 3종류의 모래를 사용하여 압밀시험을 수행한 결과, 간극률이 감소함에 따라 전기비저항이 증가하였으며, Arichie 공식에 사용되는 m값이 입자의 크기보다 형상에 영향을 받는 것으로 나타났다. 액상화 수조에서 수행된 실험결과 체적간극률과 유사한 전기비저항 간극률이 산정되었다. 대형 토조에서 수행된 관입실험으로부터 간극률 주상도를 얻을수 있었다. 본 논문에서 제시된 4ERP는 포화 지반의 간극률을 효과적으로 산정할 수 있는 장비가 될 수 있을것으로 판단된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권8호
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• pp.1-12
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• 2001

본 연구에서는 MFSFET (Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET) 소자의 모델링을 바탕으로 adaptive learning 회로를 설계하고, 그 수치적인 결과를 분석하였다. Adaptive learning 회로에서 출력주파수는 MFSFET 소자의 소스-드레인 저항과 캐패시턴스에 반비례하는 특성을 보여주었다. Short pulse 수에 따른 포화드레인 전류곡선은 강유전체의 분극반전 특성과 유사함을 확인할 수 있었고, 이는 강유전체 분극이 MFSFET 소자의 드레인 전류조절에 핵심적인 요소로 작용한다는 사실을 의미한다. 다음으로 MFSFET 소자의 드레인 전류조절에 핵심적인 요소로 작용한다는 사실을 의미한다. 다음으로 MFSFET 소자의 소스-드레인 저항으로부터 dimensionality factor 와 adaptive learning 회로의 펄스 수에 따른 출력주파수 변화를 분석하였다. 이 특성으로부터, adaptive learning 회로의 주파수변조 특성 즉, 입력펄스의 진행에 따라 출력펄스의 점진적인 주파수 변화를 의미하는 adaptive learning 특성을 명화하게 확인할 수 있었고, 뉴럴 네트워크에서 본 회로가 뉴런의 시넵스 부분에 효과적으로 사용될 수 있음을 입증하였다.

• 한국광학회지
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• 제25권1호
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• pp.1-7
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• 2014

구름에서의 다중산란 효과는 Mie 산란현상을 이용하는 탄성산란 라이다에서 그 해를 구하는데 있어서, 매우 중요한 오차요인으로 작용하기 때문에 이 효과를 보정하는 것은 그 자체만으로도 매우 중요하다. 이를 위하여 구름에서 다중산란되는 현상을 Monte Carlo 방법으로 계산하였으며, 이 결과를 적용하여 물방울 구름의 총량과 유효입자크기를 추출하는 방법을 제안하였다. 구름의 유효입자 크기가 $2.5{\mu}m$ 이하일 경우엔 355 nm나 1064 nm에서 얻은 두 파장의 소광계수로 쉽게 그 값들을 구할 수 있음을 알 수 있었다. 크기가 큰 경우엔 라이다 신호의 안정화된 선형편광도가 유효입자크기, 총량, 그리고 소광계수와 관련이 있음을 알 수 있었으며, 이 관계를 통하여 큰 입자의 경우에도 라만 라이다와 편광 라이다를 이용한다면 유효입자크기와 총량을 구할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권11호
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• pp.688-692
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• 2006

Ferroelectric lanthanides-substituted $Bi_4Ti_3O_{12}$ $(Bi_{4-x}Ln_xTi_3O_{12}, BLnT)$ thin films approximately 200 nm in thickness were deposited by metal organic chemical vapor deposition onto Pt(111)/Ti/SiO$_2$/Si(100) substrates. Many researchers reported that the lanthanides substitution for Bi in the pseudo-perovskite layer caused the distortion of TiO$_6$ octahedron in the a-b plane accompanied with a shift of the octahedron along the a-axis. In this study, the effect of lanthanides (Ln=Pr, Eu, Gd, Dy)-substitution and crystallization temperature on their ferroelectric properties of bismuth titanate $(Bi_4Ti_3O_{12}, BIT)$ thin films were investigated. As BLnT thin films were substituted to lanthanide elements (Pr, Eu, Gd, Dy) with a smaller ionic radius, the remnant polarization (2P$_r$) values had a tendency to increase and made an exception of the Eu-substituted case because $Bi_{4-x}Eu_xTi_3O_{12}$ (BET) thin films had the smaller grain sizes than the others. In this study, we confirmed that better ferroelectric properties can be expected for films composed of larger grains in bismuth layered peroskite materials. The crystallinity of the thin films was improved and the average grain size increased as the crystallization temperature,increased from 600 to 720$^{\circ}C$. Moreover, the BLnT thin film capacitor is characterized by well-saturated polarization-electric field (P-E) curves with an increase in annealing temperature. The BLnT thin films exhibited no significant degradation of switching charge for at least up to $1.0\times10^{11}$ switching cycles at a frequency of 1 MHz. From these results, we can suggest that the BLnT thin films are the suitable dielectric materials for ferroelectric random access memory applications.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.534-540
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• 2008

본 연구에서는 MFSFET (Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET) 소자의 모델링을 바탕으로 적응형 학습회로를 설계하고, 그 수치적인 결과를 분석하였다. 적응형 학습회로에서 출력주파수는 MFSFET 소자의 소스-드레인 저항과 캐패시턴스에 반비례하는 특성을 보여주었다. Short pulse 수에 따른 포화드레인 전류곡선은 강유전체의 분극반전 특성과 유사함을 확인할 수 있었고, 이는 강유전체 분극이 MFSFET 소자의 드레인 전류조절에 핵심적인 요소로 작용한다는 사실을 의미한다. 다음으로 MFSFET 소자의 소스-드레인 저항으로부터 dimensionality factor와 적응형 학습회로의 펄스 수에 따른 출력주파수 변화를 분석하였다. 이 특성으로부터 입력펄스의 진행에 따라 출력펄스의 점진적인 주파수 변화를 의미하는 적응형 학습 특성을 명확하게 확인할 수 있었고, 미래 뉴럴 네트워크에서 본 회로가 뉴런의 시넵스 부분에 효과적으로 사용될 수 있음을 입증하였다.