• 제목/요약/키워드: SPICE Parameters

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유기 박막 트랜지스터의 스파이스 모형화 (SPICE Modeling of Organic Field Effect Transistors (OFETs))

  • 이재우;박응석;박소정;장도영;김강현;김규태
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.142-143
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    • 2006
  • Organic thin film transistors(OTFTs) were simulated by a SPICE model adopted in the amorphous TFTs(a-Si:H TFTs). The gate voltage-dependent mobilities were assumed to fit the representative current-voltage characteristics. The optimal fitting procedures were suggested to compare the experimental data with the mathematical expressions used in the amorphous TFTs. Each SPICE parameter explains the gate dependent mobilities in OTFTs which might originate from the influence of the hopping conduction.

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SPICE를 사용한 다결정 실리콘 TFT-LCD 화소의 전기적 특성 시뮬레이션 방법의 체계화 (A Systematic Method for SPICE Simulation of Electrical Characteristics of Poly-Si TFT-LCD Pixel)

  • 손명식;유재일;심성륭;장진;유건호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권12호
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    • pp.25-35
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    • 2001
  • 복잡한 thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) array 회로의 전기적 특성을 분석하기 위해서는 PSPICE나 AIM-SPICE와 같은 회로 시뮬레이터를 사용하는 것이 필수적이다. 본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 다결정 실리콘 (poly-Si) TFT 소자의 입력 변수 추출을 체계화하는 방법을 도입한다. 이 방법을 excimer laser annealing 및 silicide mediated crystallization 방법으로 각각 제작된 다결정 실리콘 TFT 소자에 적용하여 실험 결과와 잘 일치하는 결과를 얻었다. SPICE 시뮬레이터 중에서 PSPICE는 graphic user interface(GUI) 방식의 편의성을 제공하므로 손쉽게 복잡한 회로를 구성할 수가 있다는 장점이 있으나, poly-Si TFT 소자 모델을 가지고 있지 않다. 이 연구에서는 PSPICE에 다결정 실리콘 TFT 소자 모델을 이식하고, TFT가 이식된 PSPICE를 사용하여 poly-Si TFT-LCD 단위 화소 및 라인 RC 지연을 고려한 화소에 대한 전기적 특성을 분석하였다. 이러한 결과는 TFT-LCD 어레이 특성 분석을 위한 시뮬레이션을 효율적으로 수행하는데 기여할 수 있을 것으로 기대된다.

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SPICE 기반의 발광 다이오드 3차원 회로 모델 (A SPICE-based 3-dimensional circuit model for Light-Emitting Diode)

  • 엄해용;유순재;서종욱
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제44권2호
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    • pp.7-12
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    • 2007
  • 고휘도 LED(Light-Emitting Diode)를 구현하기 위한 칩 설계의 최적화에 이용할 수 있는 SPICE 기반의 LED 3차원 회로 모델을 개발하였다. 본 모델은 LED를 일정한 면적의 픽셀로 구획하고, 각각의 픽셀은 n-전극, n-형 반도체, p-형 반도체, 및 p-전극 등의 일반적인 LED 레이어 구조를 반영하는 회로망으로 나타낸다. 개별의 박막 층과 접촉 저항은 저항 네트웍으로, pn-접합부는 일반적인 pn-접합 다이오드로 각각 모델링 한다. 별도의 테스트 패턴을 이용하여 독립적으로 추출한 파라미터를 이용한 시뮬레이션 결과는 실험 결과와 정확하게 일치함을 확인하였다.

CMOS 인버터의 최대 전력소모 예측을 위한 모델링 (A Modeling of CMOS Inverter for Maximum Power Dissipation Prediction)

  • 정영권;김동욱
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.1057-1060
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    • 1998
  • Power Dissipation and circuit speed become the most importance parameters in VLSI system maximum power dissipation for VLSI system design. We remodeled CMOS inverter according to the operating region, saturation region or linear regin, and calculate maximum power dissipation point of CMOS inverter. The result of proposed maximum power dissipation model compared with those from SPICE simulation which results that the proposed maximum power dissipation model has the error rate within 10% to SPICE simulation.

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SPICE를 이용한 GTO의 단일 운전과 스너버의 영향 (Single Operation of GTO's and Effect of Snubber Using SPICE)

  • 김윤호;윤병도;이장선
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.1012-1015
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    • 1992
  • A gate-turn-off thyristor (GTO) that has a fuction of self-commutation is a device that can be turned on like a thyristor with a single pulse of gate current and turned-off by injecting a negative gate current pulse. GTOs have been in existence almost from the beginning of thyristor era, recently are these devices being developed with large power-handling capabilities and improved performance, and they are gaining popularity In conversion equipment. In this paper, the effects of internal parameters of GTO model using a circuit containing two transistors and three resistors the switching operation and the turn-off snubber characteristics is investigated using SPICE program.

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RF MOSFET을 위한 SPICE 기판 모델의 스케일링 정확도 분석 (Scaling Accuracy Analysis of Substrate SPICE Model for RF MOSFETs)

  • 이현준;이성현
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권12호
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    • pp.173-178
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    • 2012
  • RF 직접 추출 방법을 통해 얻은 정확한 MOSFET 기판 파라미터를 이용하여 기판저항만을 가진 BSIM4 모델은 스케일링 부정확성 때문에 넓은 영역의 게이트 길이에 적용하기에는 물리적으로 맞지 않다는 것이 증명됐다. BSIM4의 비물리적인 문제점을 제거하기 위해서 추가적인 유전체 기판 캐패시터를 가진 수정된 BSIM4 모델이 사용되었고, 이 모델의 물리적 타당성은 우수한 게이트 길이 scalability를 관찰함으로써 증명되었다.

광감지 제어성을 갖는 카오스 신호 생성회로 (Photo Sensitive Chaotic Signal Generator with Light Controllability)

  • 오세진;송한정
    • 센서학회지
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    • 제21권5호
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    • pp.389-393
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    • 2012
  • A chaotic oscillator with light controllability was designed. The proposed chaotic oscillator consists of a photo sensor, two phase clock driven MOS switches, nonlinear function blocks for chaotic signal generation. SPICE circuit analysis using a 0.35 um CMOS process parameters was performed for its chaotic dynamics. And we confirmed that chaotic behaviors of the circuit can be controlled according to light intensity. By SPICE simulation, chaotic dynamics by time waveforms, frequency analysis was analyzed. SPICE results showed that proposed circuit can make various light-controlled chaotic signals.

몇가지 천연 산화방지물의 첨가가 가열 팜유에 미치는 영향 (Influence of some Natural Antioxidants Effect on Thermal Oxidation in Palm Oil)

  • 장영상;이영수;강우석;신재익
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.9-14
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    • 1989
  • Effectiveness of some natural antioxidants were investigated by measuring the physico-chemical charcteristics and fatty acid composition during thermal oxidation in palm oil. Tocopherol showed most enhanced thermal oxidation stabilities compared to the other natural antioxidants. AR spice was no good AOM stability and changes of acid value but the other parameters were obtained desirable results. The changes of linoleic aicd content was slightly decreased during thermal oxidation. Addition of rosemary and glycyrriza extract increased the stabilities of oil less than tocopherol and AR spice. Order of antioxdative effects was tocopherol, AR spice and others. There was no significiant difference in stability of rosemary and glycyrriza extract.

POWER LIGBT의 모델링에 관한 연구 (A study on Mode ling of the Power LIGBT)

  • 임경문;정세진;이현석;조호열;김영식;성만영
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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    • pp.249-252
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    • 1991
  • I-V characteristics of LIGBT is studied by SPICE simulation which includes device parameters and process parameters. Analysis and modeling of ON-resistance are discussed in this paper. Compare with experimental values, SPICE simulation and modeling results show that our simulation is valid for LIGBT.

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고전압 IGBT SPICE 시뮬레이션을 위한 모델 연구 (A Study on the Modeling of a High-Voltage IGBT for SPICE Simulations)

  • 최윤철;고웅준;권기원;전정훈
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권12호
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    • pp.194-200
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    • 2012
  • 본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 고전압 insulated gate bipolar transistor(IGBT)의 개선된 모델을 제안하였다. IGBT를 부속 소자인 MOSFET과 BJT의 조합으로 구성하고, 각 소자의 각종 파라미터 값을 조절하여 기본적인 전류-전압 특성과 온도변화에 따른 출력특성의 변화 등을 재현하였다. 그리고 비선형적인 리버스 트랜스퍼 커패시턴스 등의 기생 커패시턴스의 전압에 따른 변화를 높은 정확도로 재현하기 위해, 복수의 접합 다이오드, 이상적인 전압 및 전류 증폭기, 전압제어 저항, 저항과 커패시터 수동소자 등을 추가하였다. 본 회로모델을 1200V급의 트렌치 게이트 IGBT의 모델링에 이용하였으며, 실측자료와 비교하여 통해 모델의 정확도를 검증하였다.