• 한국전자파학회논문지
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• 제28권11호
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• pp.924-927
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• 2017

본 논문에서는 6~18 GHz 대역 8-비트 true time delay(TTD) 회로의 설계 및 측정결과에 대하여 기술하였다. 단위 지연 회로는 상대적으로 시간 지연 변화율이 일정한 m-유도 필터(m-derived filter)를 이용하였다. 설계한 8-비트 TTD는 2개의 single-pole double-throw(SPDT)와 7개의 double-pole double-throw(DPDT) 스위치로 구현하였으며, 인덕터를 이용하여 반사 특성을 개선하였다. 설계된 8-비트 TTD는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 측정된 TTD 회로의 시간 가변 범위는 250 ps이고, 시간 지연 해상도는 약 1 ps이다. 6~18 GHz의 동작 주파수에서 RMS 시간 지연 오차는 11 ps 미만이며, 입출력 반사 손실은 10 dB 이상이다. 공급 전압은 1.8 V이며, 소비 전력은 0.0 mW이다. 칩 면적은 $2.36{\times}1.04mm^2$이다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제22권8호
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• pp.52-58
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• 2008

본 논문에서는 2.4[GHz]/5.8[GHz] 대역의 이중대역 스위치 설계에 대하여 논한다. 이 스위치는 TDD시스템에 적용 가능하며, 광대역 특성을 개선할 수 있는 새로운 구조를 제안하고 시뮬레이션을 통해 최적의 구조로 설계하였다. 2.4[GHz]/5.8[GHz] 이중대역 스위치는 현재 상용화되고 있는 802.11a/b/g 시스템에 응용할 수 있는 광대역, 고출력, 높은 격리도를 갖는 구조를 연구하였다. 스위치의 송신부는 2개의 FET를 스택 구조로 병렬 스위칭 소자로 동작하도록 설계하였다. 수신부는 기본적인 직/병렬 FET에 추가로 직렬 FET를 삽입한 비대칭 구조를 갖도록 수신부를 설계하였다. SPDT(Single Pole Double Throw) Tx/Rx FET 스위치는 하나의 입력에 2개의 출력으로 스위칭할 수 있는 장치이다. 이 제작된 스위치는 삽입손실 특성은 DC$\sim$6[GHz]까지 3[dB]보다 낮으며 수신경로의 격리도는 -30[dB]이하의 특성을 가지고 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.1003-1009
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• 2005

본 논문에서는 결함접지구조(Defected Ground Structure: DGS)의 전파 지연 특성을 이용하여 소형으로 구현한 휴대 인터넷용 고전력 Single Pole Double Throw(SPDT) 스위치의 특성이 제공되며 1/4 파장 전송선을 이용하여 제작된 일반적인 방식의 스위치와 그 특성이 비교된다. DGS를 활용하여 제작된 스위치는 높은 격리도를 확보하기 위해 병렬구조의 다이오드를 사용하여 구성되었으며 2.3 GHz에서 0.8 dB의 삽입 손실과 50 dB 이상의 격리도 특성을 보였고 50 W 이상의 전력을 다룰 수 있었다. DGS를 활용한 스위치는 기존의 전송선 방식의 스위치와 거의 동일한 스위칭 특성을 보이면서도 $50\%$ 가까운 회로의 크기 감소를 달성할 수 있었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.155-159
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• 2004

본 논문은 마이크로 스트립 라인을 무선 랜(IEEE 802.11a, IEEE 802.11b, IEEE 802.llg)에 사용할 수 있는 SPDT FET 스위치를 설계하고 시뮬레이션 하였다. 특히 주파수에 따른 능동소자의 영향을 최소화하기 위하여 임피던스 변환회로를 적용하여 설계하였다. 이 SPDT스위치 수신경로의 삽입손실은 2(㎓)에서 4(㎓)까지 0.8(㏈)에서 1.462(㏈)를 나타내고 있으며, 4.7(㎓)에서 6.7(㎓)까지 1.26(㏈)에서 2.3(㏈)을 보이고, 격리도는 2[㎓)에서 6.7(㎓)의 대역에서 30(㏈)이하를 나타낸다. 그리고 송신경로에서의 삽입손실은 2(㎓)에서 4(㎓)까지 1.18(㏈)에서 2.87(㏈)를 나타내고 있으며, 4.7(㎓)에서 6.7(㎓)까지 0.625(㏈)에서 1.2(㏈)을 나타내고 있다. 격리도는 2(㎓)에서 6.7(㎓)의 대역에서 30(㏈)이하를 나타낸다

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권1호
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• pp.143-148
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• 2006

본 논문에서는 이중대역 무선랜 응용을 위한 SPDT(single-pole double-throw) 스위치를 설계 및 제작하였다. 높은 격리도와 송신단의 선형성을 개선하기 위해 적층-게이트(stacked-gate)를 이용하는 비대칭구조를 제안하였다. 제안한 SPDT 스위치의 트랜지스터의 게이트-폭과 제어전압 그리고 적층-게이트의 개수는 모의실험을 통해 최적의 값으로 설계되었고, 500mS/mm의 Gmmax와 150GHz의 fmax를 갖는 $0.25{\mu}m$ GaAs pHEMT 공정을 이용하여 제작하였다. 설계된 스위치는 $DC\~6GHz$ 대역에서 0.9dB 이하의 삽입손실과 송신시 40dB 이상의 격리도와 수신시 25dB 이상의 격리도를 나타내었고, -3/0V 제어전압으로 23dBm의 입력 PldB 를 보였다. 제작된 SPDT 스위치는 $1.8mm{\times}1.8mm$의 면적을 갖는다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제22권6호
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• pp.223-229
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• 2023

본 논문에서는 3.6 ~ 4.0 GHz 대역의 6단의 방사형 스터브 공진기를 갖는 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치를 제안한다. SPDT 스위치는 무선통신회로 설계 툴인ADS(Advanced Design Software) 시뮬레이션을 통해 pcb 기판 위에 제작되었다. SPDT 스위치 측정결과, 격리도는 평균 90 dB, 삽입 손실은 1.5 dB 정도인 것으로 나타났다. 본 논문에서 제안한 스위치는 현재 연구되어 있거나 상용화 되어 있는 비슷한 구조의 스위치들보다 해당 주파수 대역에서 평균 20dB 이상의 고격리도를 나타내고 있다. 제안된 SPDT 스위치는 WiMAX, LTE/5G, WiFi 및 HyperLAN과 같은 다중 대역 RF front-end 시스템에 적용 가능하다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제14권4호
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• pp.411-414
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• 2014

A switch is one of the most useful circuits for controlling the path of signal transmission. It can be added to digital circuits to create a kind of gate-level device and it can also save information into memory. In RF subsystems, a switch is used in a different way than its general role in digital circuits. The most important characteristic to consider when designing an RF switch is keeping the isolation as high as possible while also keeping insertion loss as low as possible. For high isolation, we propose leakage signal cancellation and inductive switching for designing a singlepole double-throw (SPDT) RF switch. By using the proposed method, an isolation level of more than 23 dB can be achieved. Furthermore, the heterojunction bipolar transistor (HBT) process is used in the RF switch design to keep the insertion loss low. It is demonstrated that the proposed RF switch has an insertion loss of less than 2 dB. The RF switch operates from 1 to 8 GHz based on the $0.18-{\mu}m$ SiGe HBT process, taking up an area of $0.3mm^2$.

• IEIE Transactions on Smart Processing and Computing
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• 제5권3호
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• pp.164-168
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• 2016

A low insertion-loss, high-isolation switch based on single pole double throw (SPDT) for a 2.4GHz Bluetooth low-energy transceiver is presented in this paper. In order to increase isolation, the body floating technique is implemented. Based on characteristics whereby the ratio of the sizes of the shunt and the series transistors significantly affect the performance of the switches, the device sizes are optimized. A simple matching network is also designed to enhance the insertion loss. Thus, the SPDT switch has high isolation and low insertion loss without increasing the complexity of the circuit. The proposed SPDT is designed and simulated in a complementary metal-oxide semiconductor 65nm process. The switch has a $530{\mu}m{\times}270{\mu}m$ area and achieves 0.9dB, 1.78dB insertion loss and 40dB, 41dB isolation of transmission, reception modes, respectively.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권9호
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• pp.833-839
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• 2011

본 논문에서는 다양한 변조 신호에 대한 1.8 GHz 대역 VSWR을 구하는 방법을 제시하였다. 방향성 결합기를 이용하여 입사 전력과 반사 전력을 측정하였으며, 측정 회로 크기와 비용을 최소화하기 위해 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위치를 사용하여 한 개의 검파기와 한 개의 AD(Analog to Digital) 변환기로 회로 구현이 가능하게 되었다. MCU(Micro Control Unit)를 이용하여 전압 반사 계수와 VSWR을 계산하였으며, 다양한 변조 신호에 대한 측정오차를 줄이고 MCU의 처리 시간 및 부하를 최소화하기 위해, 간단한 버블정렬 알고리즘을 적용하여 비적용한 경우보다 0.2의 VSWR 오차를 개선할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.422-423
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• 2005

RF Micro switches is a miniature device or an array of integration devices and mechanical components and fabricated with Ie batch-processing techniques. RF Micro switches application area are in phased arrays and reconfigurable apertures for defence and telecommunication systems, switching network for satellite communication, and single-pole double throw switches for wireless application. Recently, RF Micro switches have been developed for the application to the milimeter wave system. RF Micro switches offer a substantilly higher performance than PIN diode or FET switches. In this paper, SPDT(single-pole-double-throw) switch are designed to use 10 GHz. Actuation voltage and displacement are simulated by tool.