• 한국도서관정보학회지
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• 제44권4호
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• pp.209-231
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• 2013

이 연구는 2008년에서 2012년까지 5년간의 SCI 논문분석을 통해 국내 외 10개 해양연구기관의 연구성과와 연구협력관계를 비교분석한 것이다. 전체 논문수는 SIO, WHOI, NOC가 많았고, 논문생산의 성장속도를 분석한 결과, NFRDI, KIOST, IOCAS, JAMSTEC과 같이 동아시아 국가의 성장세가 두드러졌다. 연구자 1인당 논문수는 WHOI, SIO, NOC이 대체로 높았고, 연구개발비 10억원 당 논문수는 IOCAS, NOC, GEOMAR, SIO 순으로 나타났다. 논문 피인용지수(CPP)는 WHOI, SIO, NOC, GEOMAR, JAMSTEC, IFREMER 등 대체로 북미권과 유럽권이 높았고, 아시아권에서는 일본이 높았다. 논문당 투고학술지 영향력지수(IF)는 IFREMER, KIOST, JAMSTEC이 대체로 상승하고 있고, 타 기관의 경우는 증가와 감소를 반복하고 있다. 기관별 국가 간 연구협력현황을 분석한 결과, 아시아권의 연구협력이 상대적으로 폐쇄적이고, 유럽권이 대체로 개방적인 양상을 나타내고 있었다. 유럽권과 아시아권의 경우 연구협력국가가 많을수록, 투고논문의 질적 수준도 비교적 높은 것으로 나타났다.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제28권4호
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• pp.621-630
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• 2001

최근 멀티미디어 서비스에 대한 사용자의 요구가 증가되고 있다. 그러나 서버 시스템은 이러한 멀티미디어 데이타를 사용자들에게 효율적으로 공급하지 못한다. 본 논문에서는 기존의 운영체제에 멀티미디어 데이타를 효율적으로 전송하기 위한 방안으로 RTP(Real-time Transport Protocol) 프로토콜을 SIO(Special Input/Output) 메커니즘과 함께 커널 영역에 내장하는 SRTPIO(Special RTP Input/Output) 모듈을 제안한다. SIO 메커니즘은 일반적인 서버 시스템에서 발생하는 사용자 영역과 커널 영역 사이의 데이타 복사와 문맥 교환을 줄임으로써 데이타 전송의 효율을 증가시킨다. SRTPIO 모듈은 RTP 프로토콜을 SIO 메커니즘과 커널 영역에서 통합해 효율적 멀티미디어 데이타 전송 구조를 지원한다.

• 한국재료학회지
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• 제4권2호
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• pp.127-135
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• 1994

직접 접합된 Si 기판들의 접합계면에 관하여 연구하였다. 경사 연마 및 결함묘사, 계면의 비등방성 식각, TEM 및 HR-TEM 등의 방법들을 이용하여 접합계면에 발생하는 계면결함과 과도영역, 여러형태의 void 들, 계면 산화막의 형성 및 안정화 과정등을 조사하였다. 또한 접합된 $Si-Sio_{2}$계면과 일반적인 $Si-Sio_{2}$계면의 형상등을 비교 검토하였다.

• 한국섬유공학회:학술대회논문집
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• 한국섬유공학회 2007년도 학술발표회 논문집
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• pp.417-418
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• 2007

• Structural Engineering and Mechanics
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• 제76권2호
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• pp.175-191
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• 2020

In this study, the effect of Nano silica (SiO2) on the buckling strength of the glass fiber reinforced laminates containing the machining process causes holes were investigated. The tests have been applied on two status milled and non-milled. To promote the mechanical behavior of the fiber-reinforced glass epoxy-based composites, Nano sio2 was added to the matrix to improve and gradation. Nano sio2 is chosen because of flexibility and high mechanical features; the effect of Nanoparticles on surface serenity has been studied. Thus the effect of Nanoparticles on crack growth and machining process and delamination caused by machining has been studied. We can also imply that many machining factors are essential: feed rate, thrust force, and spindle speed. Also, feed rate and spindle speed were studied in constant values, that the thrust forces were studied as the main factor caused residual stress. Moreover, entrance forces were measured by local calibrated load cells on machining devices. The results showed that the buckling load of milled laminates had been increased by about 50% with adding 2 wt% of silica in comparison with the neat damaged laminates while adding more contents caused adverse effects. Also, with a comparison of two milling tools, the cylindrical radius-end tool had less destructive effects on specimens.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2000년도 추계학술발표논문집 (하)
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• pp.1145-1148
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• 2000

최근 멀티미디어 데이터에 대한 요구는 사용자가 증가함에 따라 데이터 양도 증가하고 있다. 이에 반해 서버시스템이나 네트워크의 대역폭은 이러한 서비스 요구를 충족시키기에 미흡하다. 본 논문에서는 리눅스 환경에서 일반적인 UDP(User Datagram Protocol) 전송 메커니즘을 SIO(Special Input/Output) 시스템 콜을 커널 내부에 추가하였다. UDP전송을 커널 내부에서 수행함으로써, 사용자 모드와 커널 모드사이의 데이터 복사의 횟수와 문맥 교환을 줄였다. 커널 내부에서 수행하게 SIO 시스템 콜을 설계하고 구현함으로써 일반적인 리눅스 환경보다 약 31%의 성능향상을 보았다. 본 논문에서는 SIO와 같은 효과적인 커널 내부의 전송 시스템 콜을 사용함으로써 멀티미디어 관련 서버에 적응할 수 있도록 하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.1089-1091
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• 2004

본 연구에서는 fiexible 기판에 e-beam으로 sio2를 증착 한 후 R.F 스퍼터링으로 ito 박막을 증착한 경우와 polyimide를 스핀 코팅한 후 ito를 증착한 경우로 나누어서 실험 하였다. SIO2 박막은 ITO증착을 위해 증착온도 $100^{\circ}C$에서 증착 하였으며 ITO 박막은 투과율을 향상 시키기 위해서 Ar/O2 혼합가스를 이용하였다. SIO2 와 ITO 박막의 두께는 각각 500nm, 200nm로 증착하였다. Stress 분포는 bending test를 통해 발생하는 island의 crackt 수로 측정 하였다. 그 결과 crack 분포는 buffer layer의 young's modulus 크기와 island density 영향이 지배적임을 확인 하였다.

• 한국재료학회지
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• 제4권4호
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• pp.416-427
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• 1994

비정질 $SiO_{2}$위에서 증착시킨 $Si_{1-x}Ge_x$합금의 증착온도에 따른 결정성, 미세구조와 조성의 균일성을 X선 회절법과 투과 전자현미겨으로 조사하였고, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$계면을 고분해능 투과 전자현미경을 이용하여 원자단위로 관찰하였다. Ge의 몰분율을 0.3으로 놓고 증착온도를 $300^{\circ}C,400^{\circ}C,500^{\circ}C,600^{\circ}C,700^{\circ}C$로 변화시키며 Si-MBE로 증착된 박막은 , 분석 결과 $300^{\circ}C$에서는 비정질상만이 존재하였고 $400^{\circ}C$에서는 결정상과 비정질상이 공존하고 있었다. 두상은 $SiO_2$위에 함께 증착되었으나 초기 성장에서는 비정질상이 주로 성장되었으며 박막의 두께가 비정질층이 관찰되었다. $600^{\circ}C$이상에서는 결정상으로만 증착되었다. 증착된 다결정상은 주상성장을 하였다. 증착된 박막의 조성은 중착온도에 관계없이 균일하였으며, $Si_{1-x}Ge_x/Sio_2$계면은 다결정상이나 비정질상에 관계없이 평탄하였다.

• 시멘트 심포지엄
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• 6호
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• pp.30-40
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• 1978

• 전자공학회지
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• 제42권3호
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• pp.33-39
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• 2015