• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 1998.07d
• /
• pp.1355-1357
• /
• 1998

TFT의 게이트 절연막으로 사용되는 절연체는 우수한 절연특성과 낮은 계면포획전하밀도($D_{it}$)를 요구한다. 이에 본 연구에서는 우수한 절연특성을 가지며, 격자상수가 Si과 유사한 $CaF_2$의 증착 특성을 연구하였다. 진공증착법을 이용하여 p형 Si(100) 기판위에 $CaF_2$의 기판온도, 두께를 변화시켜 전기적, 구조적 특성을 평가하였다. 또한 Si 기판에 방향에 따른 박막의 특성을 조사하였다. 구조적 특성분석으로부터 Si(100) 기판의 경우 $CaF_2$는 (200)방향으로 주도적인 성장을 하였으며 기판온도를 상승시킴에 따라 (220)방향으로도 성장을 하는 것으로 나타났다. 열처리 전후의 구조적 특성은 SEM을 통해서 확인 할 수 있었다. 열처리 전후의 특성 변화로부터 저온($100^{\circ}C$이하)에서는 기판과의 성장방향과 동일하였으며 고온($200^{\circ}C$이상)에서는 기판방향과는 다른 방향 성장 결과를 얻었다. 전기적 특성평가를 위하여 C-V 특성을 평가하였다. C-V 특성으로부터 Si(100) 기판의 온도가 $100^{\circ}C$, $1455\AA$ 두께로 증착한$CaF_2$ 박막의 $D_{it}$는 $1.8{\times}10^{11}cm^{-1}eV^{-1}$로 낮은 값을 가지 고 있었으며 0.1MV/cm에서 누설전류밀도가 $10^{-8}A/cm^2$ 이었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2011.08a
• /
• pp.186-186
• /
• 2011

[100] 방향으로 4$^{\circ}$ 기울어진 Si(001)-2${\times}$1(vicinal surface)을 초고진공하(UHV)에서 청결하게 하고 열처리하면 rebonded-atom을 가진 DB double step과 이 step에 나란한 아홉 개의 dimer를 가진 평균 폭이 4.0 nm인 single-domain의 (001)-2${\times}$1 테라스의 면으로 재구조된다 [그림 a]. 본 연구에서는 이 표면 위에 Sb을 상온에서 증착하여 덮고 후열처리하면(2 ML, 500$^{\circ}C$ 10 분), Sb-dimer가 Si 표면을 한 층 덮고 (001) 테라스의 Sb-dimer 방향이 DA double-step과 수직을 이루는 1${\times}$2 구조를 이룬다는 사실을 STM으로 확인하였다 [그림 b]. 이러한 Sb-passivation의 효과는 표면 Si-dimer의 부분적으로 채워진 dangling-bond를 Sb-dimer의 완전히 채워진 고립쌍(lone-pair)으로 바꿈으로써 표면 자유 에너지를 줄이고, 나아가 계면 Si 층은 bulk에 유사하게 되는 데에 있다. 이 passivation 된 표면은 Ge/Si 등의 heteroepitaxy에 사용할 수 있고, 특히 single-domain을 유지하며 step 방향에 대해 평행인 dimer-row로 이루어져 있어서 원자나 전자의 이동에 비등방적 효과를 증가시킬 것이 예측된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.371-371
• /
• 2012

단일 Si 나노와이어 전체에 대한 편광 및 공간 분해된 라만 산란 실험을 보고한다. 투과전자현미경 실험을 통해 나노와이어가 길이 방향으로 성장함에 따라서 두께가 점차 증가할 뿐만 아니라 결정 방향이 비균질적으로 형성됨을 알 수 있었다. 비균질적인 결정성은 아래 부분에서 두드러지게 나타났다. Si 나노와이어의 길이 방향으로 공간 분해된 마이크로-라만 산란 실험을 수행한 결과 에너지 및 선폭에 변화가 있음을 알았다. 이러한 변화와 결정 방향의 비균질성을 이해하기 위하여 나노와이어의 위 부분과 아래 부분으로부터 각각 편광 라만 산란 실험을 하였다. 라만 편광 선택 규칙을 이용하여 입사 편광 각도의 변화에 따른 광학 포논의 세기 변화를 분석한 결과 결정 방향이 부분적으로 어긋나 있는 나노와이어의 아래 부분에서의 편광 비율의 수치가 위 부분에서의 수치보다 작게 나타남을 알 수 있었으며 이는 결정성의 변화와 일치한다.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
• /
• v.34 no.1
• /
• pp.23-30
• /
• 2014

The wear characteristics of $SiC_f$/SiC composites were evaluated according to the alignment direction of the fibers, and the elastic wave-generated friction was detected and analyzed in wearing. The friction coefficient and wear loss were similar in the longitudinal and the transverse direction of the fibers. However, these values were lower in the vertical direction of the fibers because of the brittle nature of the fiber. The friction coefficient and the wear loss were directly proportional to each other. The dominant frequencies were 58.6 kHz for monolithic SiC and 117.2 and 136.7 kHz for $SiC_f$/SiC composites, respectively.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.103-103
• /
• 1999

CeO2 는 cubic 구조의 일종인 CeF2 구조를 가지며 격자 상수가 0.541nm로 Si의 격자 상수 0.543nm와 거의 비슷하여 Si과의 부정합도가 0.35%에 불과하여 CeO2를 Si 기판 위에 에피택셜하게 성장시킬 수 있는 가능성이 크다. 따라서 SOI(Silicon-On-Insulator) 구조의 실현을 위하여 Si 기판위에 CeO2를 에피택셜하게 성장시키려는 많은 노력이 있었다. 또한 CeO2 는 열 적으로 대단히 안정된 물질로서 금속/강유전체/반도체 전계효과 트랜지스터(MFSFET : metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor)에서 ferroelectric 박막과 Si 기판사이에 완충층으로 사용되어 강유전체의 구성 원자와 Si 원자들간의 상호 확산을 방지함으로써 경계면의 특성을 향상시기키 위해 사용된다. e-beam evaporation와 laser ablation에 의한 Si 기판 위의 CeO2 격자 성장에 관한 많은 보고서가 있다. 이 방법들은 대규모 생산 공정에서 사용하기 어려운 반면 RF-magnetron sputtering은 대규모 반도체 공정에 널리 쓰인다. Sputtering에 의한 Si 기판위의 CeO2 막의 성장에 관한 보고서의 수는 매우 적다. 이 논문에서는 Ce target을 사용한 reactive rf-magnetron sputtering에 의해 Si(100) 과 Si(111) 기판위에 성장된 CeO2 의 구조 및 전기적 특성을 보고하고자 한다. 주요한 증착 변수인 증착 power와 증착온도, Seed Layer Time이 성장막의 결정성에 미치는 영향을 XRD(X-Ray Diffractometry) 분석과 TED(Transmission Electron Diffration) 분석에 의해 연구하였고 CeO2 /Si 구조의 C-V(capacitance-voltage)특성을 분석함으로써 증차된 CeO2 막과 실리콘 기판과의 계면 특성을 연구하였다. CeO2 와 Si 사이의 계면을 TEM 측정에 의해 분석하였고, Ce와 O의 화학적 조성비를 RBS에 의해 측정하였다. Si(100) 기판위에 증착된 CeO2 는 $600^{\circ}C$ 낮은 증착률에서 seed layer를 하지 않은 조건에서 CeO2 (200) 방향으로 우선 성장하였으며, Si(111) 기판 위의 CeO2 박막은 40$0^{\circ}C$ 높은 증착률에서 seed layer를 2분이상 한 조건에서 CeO2 (111) 방향으로 우선 성장하였다. TEM 분석에서 CeO2 와 Si 기판사이에서 계면에서 얇은 SiO2층이 형성되었으며, TED 분석은 Si(100) 과 Si(111) 위에 증착한 CeO2 박막이 각각 우선 방향성을 가진 다결정임을 보여주었다. C-V 곡선에서 나타난 Hysteresis는 CeO2 박막과 Si 사이의 결함때문이라고 사료된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.186-186
• /
• 1999

시뮬레이션 모델 및 AES, SIMS에 의한 깊이방향 분석의 유용성을 확인하기 위해 이체 충돌모델에 기초한 몬테칼로 시뮬레이션을 수행하였다. 이를 위해, 현 시뮬레이션에서는 충돌 캐스캐이드에 의한 interstitial 및 vacancy 원자의 발생과 각 원자 층이 일정한 원자농도를 유지하도록 interstitial에 의한 vacancy의 소멸을 고려하였다. 이 모델은 AES 깊이 방향 분석에서는 AsAs/GaAs 초격자에, SIMS 깊이 방향 분석에는 Ta2O5/SiO2 초격자에 적용되었고, 실험으로부터 얻어진 결과들을 잘 나타냈다. 0.5keV Ar+ 이온 스퍼터링에 의한 AES 깊이방향 분석의 경우 AlAs 층에서 Al의 선택 스퍼터링에 의해 AlAs 층에서 As(MVV-32eV)의 Auger 강도는 GaAs 층에서보다 약 1.2배 크게 나타났다. 이 시뮬레이션은 Ta2O5(18nm)/SiO2(0.5nm)에 대한 SIMS 깊이방향 분석에서 표면 쪽으로의 1-3nm 정도의 피크(SiO+) 이동 및 decay length도 또한 잘 설명할 수 있었다. 이때, 낮은 에너지에서 보다 더 깊은 이온빔 믹싱이 발생하기 때문에 높은 에너지에서 오히려 더 좋은 분해능을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
• /
• v.5 no.1
• /
• pp.44-49
• /
• 1995

Abstract The surface of 6H - SiC bulk crystal grown by sublimation process was investigated by optical microscope observation. Since, in the 6H crystal growing, the crystal had the habitual step growth attitude such that the lateral growth rate along the random a - axis orientation was higher than that along the c - axis of the growth direction, then many steps were developed. There were, also, many micropipes on the surface in the form of as-like large voids. However, they were differenciated with pores and cross- sectional shape of them were close to the circle. In this study, many micropipes, planar defects and the growth steps appeared on the grown crystal surface were investigated.

• Proceedings of the Korea Society for Energy Engineering kosee Conference
• /
• 1998.05a
• /
• pp.153-158
• /
• 1998

현재 변압기 철심 재료는 주로 방향성 전기 강판이 사용되고 있으며, 우수한 자기유도 특성과 낮은 철손이 중요한 요건이다. 방향성 전기강판은 약 3%Si을 함유하며 2차 재결정에 의해 {100}<001> Gross texture로 배향된다. 극박 3%Si-Fe의 2차 재결정에 미치는 냉간 압연율의 효과에 대한 연구결과 보고는 거의 없다. 본 연구의 목적은 다단 냉간압연에 의해 제조되는 박판 3%Si-Fe strip의 자기유도에 미치는 최종 냉간 압연율의 효과를 밝히는 것이다. (중략)

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
• /
• v.11 no.4
• /
• pp.267-273
• /
• 1998

The band structures of $Si_{1-x}Ge_x$ layers grown on $Si_{1-y}Ge_y$ substrate are calculated using k$\cdot$p and strain Hamiltonians. The hole drift mobilities in the plane direction are then calculated by taking into account the screening effect and the density-of-states of the impurity band. When $Si_{1-x}Ge_x$ is grown on Si substrate, the mobilities of (110) and (111) $Si_{1-x}Ge_x$ layers are larger than that of (001) $Si_{1-x}Ge_x$. However, due to the large defect and surface scattering, (110) and (111) $Si_{1-x}Ge_x$ layers may not be useful for the development of the fast device. Meanwhile, when Si is grown on $Si_{1-y}Ge_y$ substrate, the mobilities of (001) and (110) Si layers are greatly enhanced. Based on the amount of defect and the surface scattering, it is expected that Si grown on (001) $Si_{1-y}Ge_y$ substrate, where the Ge contents is larger than 10%(y>0.1), has the highest mobility.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• v.23 no.1
• /
• pp.59-63
• /
• 1998

The light sensitivity and angular dependence of the $Mg_2SiO_4$:Tb(MSO-5) TLD which affect the accuracy of the radiation dose measurement are investigated. Light-induced thermoluminescence of MSO-S TLD under the 200 lux fluorescent and the incandescent lamp for 8 hours are corresponding to 11 and 3 mR exposure, respectively. TL intensity ratio of the incident angle of ${\pm}80^{\circ}$ to normal incidence for MSO-S and badge type MSO-L are about 0.8 and 0.15, respectively.