We investigated the adsorption of benzene and pyridine on $Si(5\;5\;12)-2\times1$ at 80 K by using variable-low temperature scanning tunneling microscopy (STM) and density functional theory (DFT) calculations. The benzene molecule most strongly binds to two adatoms on the D3 and D2 units in a tilted butterfly configuration, which consists of $di-\sigma$ bonds between C atoms and Si adatoms and two C=C double bonds in the benzene molecule Pyridine molecules interact with adatom(s) on the D2 and D3 units through both Si-N dative bonding and $di-\sigma$ bonds. The dative bonding through the lone pair electrons of N atom produces a vertical configuration (pyridine-like), which is more stable than $di-\sigma$ bonds $Di-\sigma$ bonds can be formed either through Si-N1 and Si-C4 or Si-C2 and Si-C5.
In order to address many issues associated with large volume changes of silicon, which has very low electrical conductivity but offers about 10 times higher theoretical capacity than graphite (Gr), a silicon nanoparticles/hollow carbon (SiNP/HC) composite having bimodal-mesopores was prepared using silica nanoparticles as a template. A control SiNP/C composite without a hollow structure was also prepared for comparison. The physico-chemical and electrochemical properties of SiNP/HC were analyzed by X-ray diffractometry, X-ray photoelectron spectroscopy, nitrogen adsorption/desorption measurements for surface area and pore size distribution, scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, galvanostatic cycling, and cyclic voltammetry tests to compare them with those of the SiNP/C composite. The SiNP/HC composite showed significantly better cycle life and efficiency than the SiNP/C, with minimal increase in electrode thickness after long cycles. A hybrid composite, SiNP/HC@Gr, prepared by physical mixing of the SiNP/HC and Gr at a 50:50 weight ratio, exhibited even better cycle life and efficiency than the SiNP/HC at low capacity. Thus, silicon/carbon composites designed to have hollow spaces capable of accommodating volume expansion were found to be highly effective for long cycle life of silicon-based composites. However, further study is required to improve the low initial coulombic efficiency of SiNP/HC and SiNP/HC@Gr, which is possibly because of their high surface area causing excessive electrolyte decomposition for the formation of solid-electrolyte-interface layers.
This paper describes empirical approach methodology for the quantitative risk assessment of maritime transportation accident (MTA) of a merchant ship. The principal aim of this project is to estimate the risk of MTA that could degrade the ship safety by analyzing the underlying factors contributing to MTA based on the IMO's Formal Safety Assessment techniques and, by assessing the probabilistic risk level of MTA based on the quantitative risk assessment methodology. The probabilistic risk level of MTA to Risk Index (RI) composed with Probability Index (PI) and Severity Index (SI) can be estimated from proposed Maritime Transportation Accident Model (MTAM) based on Bayesian Network with Bayesian theorem Then the applicability of the proposed MTAM can be evaluated using the scenario group with 355 core damaged accident history. As evaluation results, the correction rate of estimated PI, $r_{Acc}$ is shown as 82.8%, the over ranged rate of PI variable sensitivity with $S_p{\gg}1.0$ and $S_p{\ll}1.0$ is shown within 10%, the averaged error of estimated SI, $\bar{d_{SI}}$ is shown as 0.0195 and, the correction rate of estimated RI, $r_{Acc}$(%), is shown as 91.8%. These results clearly shown that the proposed accident model and methodology can be use in the practical maritime transportation field.
Graphite is used as a sample anode active material. However, since the maximum theoretical capacity is limited to $372mA\;h\;g^{-1}$, a new anode active material is required for the development of a high capacity lithium ion battery. The maximum theoretical capacity of Si is $4200mA\;h\;g^{-1}$, which is higher than that of graphite. However, it is not suitable for direct application to the anode active material because it has a volume expansion of 400%. In order to minimize the decrease of the discharge capacity due to the volume expansion, the Si was pulverized by the dry method to reduce the mechanical stress and the volume change of the reaction phase, and the change of the volume was suppressed by coating the carbon layers to the particle size controlled Si particles. And carbon fiber is grown like a thread on the particle surface to control secondary volume expansion and improve electrical conductivity. The physical and chemical properties of the materials were measured by XRD, SEM and TEM, and their electrochemical properties were evaluated. In this study, we have investigated the synthesis method that can be used as anode active material by improving cycle characteristics of Si.
Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
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v.14
no.2
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pp.90-100
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1994
Ultrasonic velocities are widely used in the investigation of material properties. In this paper, a micromechanics model and the ultrasonic velocity were used to develop a nondestructive method to determine the density variation due to porosity in structural SiC. The micromechanics model developed can consider the pore shape and orientation. The model also takes into account the interaction between pores so that it can be applied to the material with high porosity content. A contact pulse overlap method was used to measure the ultrasonic velocities of porous SiC samples, and there was a linear correlation between the velocity and density (or porosity). Using the model and the measured velocity, the bulk density can be easily calculated. The calculated density was in good agreement with that obtained by Archimedes' method.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.303.1-303.1
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2014
좋은 전기적 특성을 가지면서 소자의 크기를 줄이기에 용이한 Gate-all-around (GAA) twin Si nanowire field-effect transistors (TSNWFETs)의 연구가 많이 진행되고 있다. Switching 특성과 단채널 효과가 없는 TSNWFETs의 특성은 GAA 구조의 본질적인 특성이다. TSNWFETs는 기존의 single Si nanowire TSNWFETs와 bulk FET에 비하여 Drive current가 nanowire의 지름에 많은 영향을 받지 않는다. 그러나 TSNWFETs의 전체 on-current는 훨씬 작고 nanowire의 지름이 작아지면서 줄어들게 되면서 소자의 sensing speed와 sensing margin 특성의 악화를 가지고 온다. GAA TSNWFETs의 제작 및 전기적 실험에 대한 연구는 많이 진행되었으나, GAA TSNWFETs의 전기적 특성에 대한 이론적 연구는 매우 적다. 본 연구에서는 GAA TSNWFETs의 nanowire 크기에 따른 전기적 특성을 관찰하였다. GAA TSNWFETs와 bulk FET의 전기적 특성을 양자역학을 고려하여 3차원 TCAD 시뮬레이션을 툴을 이용하여 계산하였다. GAA TSNWFETs와 bulk FET의 전류-전압 특성 계산을 통해 on-current 크기, subthreshold swing, drain-induced barrier lowering (DIBL), gate-induced drain leakage를 보았다. 전류가 흐르는 경로와 전기적 특성의 물리적 의미에 대한 연구를 위해 TSNWFETs에서의 전류 밀도, conduction band edge, potential 특성을 분석하였다. 시뮬레이션 결과를 통해 Switching 특성, 단채널 효과에 대한 면역 특성, nanowire의 단면적에 따른 전류 흐름을 보았다. nanowire의 크기가 작아지면서 DIBL이 증가하고 문턱전압과 전체 on-current는 감소하면서 소자의 특성이 악화된다. 이러한 결과는 GAA TSNWFETs의 전기적 특성을 이해하고 좋은 소자 특성을 위한 구조를 연구하는데 많은 도움이 될 것이다.
For fast neutron spectroscopy in MeV region, a recoil proton telescope detector was designed and constructed so as to increase in detection efficiency without appreciable deterioration in energy resolution by adopting a special type of recoil proton radiator which is a combination of a ring-shaped vertical radiator and a cone-shaped horizontal radiator at a certain geometry. A neutron stopper was built in the detector system to minimize the background due to direct exposure of the Si(Li) detectors to primary incident neutrons. The detection efficiency and the energy resolution calculated at various neutron energies and geometries are given and these characteristics of the detector system were tested by 14.1 MeV neutrons. As the calculation predicted, the relative detection efficiency in case of the combined radiator system is almost 2.2 times of that for a single, ring-shaped vertical radiator system. The calculated energy resolution is 3.7% FWHM, whereas the measured resolution was 3.9% which means resolution broadening of approximately. 30% was resulted by introducing a combined radiator system into the telescope. Increase in background less than 40% was also observed.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.2
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pp.260-265
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1999
$SiC/Si_3N_4$ composites were prepared by mixing ${\alpha}-Si_3N_4$ powder to $\alpha$-SiC powder in the range of 10 to 30 vol% with 10 vol% interval. 6 wt% of $Al_2O_3$ and $Y_2O_3$ were also added respectively as sintering aids. Then, pressureless sintering was performed at 1,78$0^{\circ}C$ for 2 hours in $N_2$ gas. In the case of adding 20 vol% of ${\alpha}-Si_3N_4$ powder, the relative desity to theoretical value and the flexutal strength were 92 % and 3,560 MPa, respectively. The smallest relative worn amount thereof was $2.68{\times}10^{-3}\;mm^2$ for 20 vol% ${\alpha}-Si_3N_4$. The composite containing 30 vol % of ${\alpha}-Si_3N_4$ powder showed the highest fracture toughness $(K_{1c})$ of $4.9\;MN/m^{3/2}$, although the reduction of the wear resistance due to the effect of the pores was observed.
Removal of Cu impurities on Si substrates using remote H-plasma was investigated. Si substrates were intentionally contaminated by 1ppm ${CuCI}_{2}$, standard chemical solution. To determine the optimal process condition, remote H-plasma cleaning was conducted varying the parameters of rf power, cleaning time and remoteness(the distance between the center of plasma and the surface of Si substrate). After remote H-plasma cleaning was conducted, Si surfaces were analysed by TXRF(total x-ray reflection fluorescence) and AFM(atomic force microscope). The concentration of Cu impurity was reduced by more than a factor of 10 and its RMS roughness was improved by more than 30% after remote H-plasma cleaning. TXRF analysis results show that remote H-plasma cleaning is effective in eliminating Cu impurity on Si surface when it is performed under the optimal process condition. AFM analysis results also verifies that remote H-plasma cleaning makes no damage to the Si surface. The deposition mechanism of Cu impurity may be explained by the redox potential(oxidation-reduction reaction potential) theory. Based on the XPS analysis results we could draw a conclusion that Cu impurities on the Si substrate are removed together with the oxide by a "lift-off" mechanism when the chemical oxide( which forms when Cu ions are adsorbed on the Si surface) is etched off by reactive hydrogen atoms.gen atoms.
Multilayer mirrors have widely been used for monochromatization of X-ray with high reflection efficiency. The reflected X-ray energy or wavelength is determined by the d-spacing of a multilayer mirror and the incidence angle. The reflectivity critically depends on the number of bilayers and surface roughness on each interface. The multilayer mirror has a structure of alternative deposition of high and low Z-elements on the substrate. Each interface should be considered in the calculation of reflectivity. In this paper, we examine the degradation of reflectivity by the inter-diffusion combined with surface roughness on each interface for a W/Si multilayer mirror. In the depth-graded W/Si multilayer mirror, the FWHMs for angle and energy were larger than them of the uniform multilayer mirror. Inter-diffusion considerable gave rise to the degradation of reflectivity. To obtain measured reflectivity closed to the expected reflectivity, the inter-diffusion on W-Si and Si-W interfaces should be considered.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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