• 전기학회논문지
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• 제59권2호
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• pp.328-332
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• 2010

The SLF(Short Line Fault) breaking capability test for high voltage class $SF_6$ GCB(Gas Circuit Breaker) was conducted. Simplified LC resonant circuit test facility was used for SLF breaking test. During test, Test current was measured by Rogwski coil and arc voltage was measured by voltage divider. Arc conductance was calculated by using these test results before 200ns at current zero. Critical arc conductance value at rated voltage 145kV class is about 2.3mS regardless of breaking current magnitude and arc conductance value at rated voltage 170kV class is about 2.6mS.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.700-703
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• 1999

Thls paper describes the process of corona discharge in $SF_6$ gas. The discharge characteristm such as electric field distribution, electron density, ion density and current denslty distribution are considered as time go by, The result show that difference between electronegative gas and nonelectronegative gas.

• 대한환경공학회지
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• 제35권4호
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• pp.240-246
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• 2013

$SF_6$는 지구온난화지수가 가장 높은 중요한 온실가스이다. 본 연구에서는 마이크로파 조사에 따른 산화알루미늄이 혼합된 실리콘카바이드의 SF6 제거실험을 실시하였다. DRE (Decomposition and Removal Efficiencies)실험은 3,000 ppm의 $SF_6$를 사용하여 GC-TCD를 통하여 분석하였다. 산화알루미늄의 함량이 10~30 wt%까지 $SF_6$의 제거효율은 증가하였으나 산화알루미늄의 함량이 40~50 wt%에서 제거효율이 감소하였다. 특히 $900^{\circ}C$ 이상 에서 SiC-$Al_2O_3$ (20 wt%)와 SiC-$Al_2O_3$ (30 wt%)는 99.99%의 $SF_6$ 제거효율을 보여주었으며 SiC-$Al_2O_3$ (30 wt%)가 $700^{\circ}C$에서 96.72%의 제거효율을 보여주었다. 마이크로파 조사량과 산화알루미늄의 함량을 고려시 SiC-$Al_2O_3$ (30 wt%)가 $SF_6$ 제거에 가장 적절하였다. 본 연구의 결과로 마이크로파에 의한 $SF_6$ 제거시 SiC에 $Al_2O_3$의 함량 조절이 중요할 것으로 사료되어진다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.447-452
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• 1998

The selective dry etching of GaAs to Al\ulcornerGa\ulcornerAs using $BCI_3/SF_6$ gas mixture in electron cyclotron resonance(ECR) plasma is investigated. A selectivity of GaAs to AlGaAs of more than 100 and maximum etch rate of GaAs are obtained at a gas ratio $SF_6/BCI_3+SF_6$ of 25%. We verified the formation of $AlF_3$ on $Al_{0.25}Ga_{0.75}As$from the Auger spectra which enhanced the etch selectivity. In order to investigate surface damage of AlGaAs caused by ECR plasma, we performed a low temperature photoluminescence(PL) measurement as a function of RF power. As the RF power. As the RF power increases, the PL intensity decreases monotonically from 50 to 100 Wand then repidly decreases until 250 W. This behavior is due to surface damage by plasma treatment. This dry etching technique using $BCI_3/SF_6$ gas mixture in ECR plasma is suitable for gate recess formation on the GaAs based pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.560-562
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• 2004

$SF_6$ gas has been increasingly used as the insulating and arc-suppressing medium in switchgears which are used as the protection devices of power system. Nowadays, most of power companies adopted the $SF_6$ gas-type load break switch for increasing the reliability of distribution network by its superior durability against external environmental condition, in substitution for air-type and oil-type switches. But, it is important to establish the general estimation process for the testing and estimation for long-term reliability Accordingly, the national standard(RS C0031) was made for the reliability assessment of $SF_6$ gas load break switch and the testing facilities were also set in KERI(Korea Electrotechlology Research Institute). This paper presents the requirements of RS C0031 for reliability assessment of $SF_6$ gas load break switch and synopsis of the accelerated life testing facilities for $SF_6$ gas load break switch.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.395-396
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• 2011

본 논문에서는 30% 내외의 평균반사율을 가지는 다결정 실리콘 태양전지의 입사광 손실을 최소화하여 광전변환효율 극대화를 구현하기 위해서 SF6/O2 혼합가스를 이용한 RIE 표면 texturing 공정을 수행하였다. 현재 다결정 실리콘 태양전지는 다양한 방향의 grain을 가지기 때문에 단결정 실리콘에 적용되는 습식 식각 방식이 다결정 실리콘 표면 texturing에 적절하지 않은 것으로 알려져 있다. 이를 개선하기 위해서 이방성 식각 특성을 가지는 다양한 texturing 방법이 시도되고 있다. 대표적으로 기계적인 방식의 V-grooving, 레이저 grooving, 플라즈마 건식식각을 이용한 texturing 및 산 용액을 이용한 texturing 등의 연구가 보고되고 있다. 그 중에서 플라즈마 건식식각 방식의 하나인 RIE를 이용한 표면 texturing 공정이 간단한 공정과 산업계 응용의 용이성 때문에 활발히 연구되어 왔다. 특히 Sandia group과 일본 Kyocera사의 연구 결과에서는 그 가능성을 입증하고 있다. 본 연구에서는 공정의 단순화와 안전한 공정을 위해서 SF6/O2 혼합 가스를 이용하여 마스크 패턴 공정없이 RIE texturing 공정을 수행하였으며, RIE-textured 다결정 실리콘에 대해서 태양전지를 제작하여 표면 texturing이 광전변환효율에 미치는 영향에 대해서 분석하였다. 그 결과 SF6/O2 혼합 가스를 이용한 RIE texturing은 다결정 실리콘 표면에 주로 needle 구조를 형성하는 것을 확인하였다. 각 texturing 조건별 반사율의 차이는 needle 구조의 조밀도와 관련되는 것을 알 수 있었으며, 동일 공정 parameter 상에서 식각 시간 1, 2, 3, 4, 5분 기준 시간에 따른 표면 구조 분석 결과 seed 가 형성되고 그에 따라서 needle 형태로 식각되는 과정을 관찰하였다. 반사율은 분당 약 4%씩 낮아져 5분 식각 후 14.45% 까지 낮아졌으며, 표면 구조에서 폭은 약 30 nm로 모두 일정하며, 길이가 약 20, 30, 50, 80, 100 nm으로 증가되었다. 이 결과로 보아 seed로부터 needle 구조가 심화되어가는 것을 알 수 있었다. 시간에 따른 RIE texturing 후 제작된 태양전지는 효율이 1분 식각 기준 15.92%에서 약 0.35% 씩 낮아져 5분 식각 후 14.4%로 낮아졌다. Voc 는 texturing 시간에 관계없이 일정하며 Isc가 점점 감소되는 것으로 확인되었다. EQE 결과도 이와 동일하게 RIE texturing 시간이 길어질수록 전체 파장 범위에서 일정하게 낮아지는 것이 관찰되었다. Electroluminescence(EL) 이미지 결과 texturing 시간이 길어진 태양전지일수록 점점 어두운 이미지가 나타나 5분 식각의 경우 가장 어두운 결과를 나타내었다. 이런 결과는 한 가지 이유보다는 복합적인 문제로 예상되는데 궁극적으로는 RIE 공정 후 표면에 쌓인 charged particle들이 trap 준위를 형성하여 효율 및 공정상에 영향을 미친 것으로 보이며, 특히 잔류 O기가 불균일한 산화막을 형성하는 것으로 예상된다. 또한 EL 분석 결과를 볼 때 RIE texturing 공정이 길어질수록 불안정한 pn-junction을 형성하는 것을 확인하였으며, emitter 층 형성 후 PSG (phosphorous silica glass) 공정에서 needle의 상부 구조가 무너지면서 면저항이 증가된 결과로 분석된다. PSG 제거 후 측정된 면저항의 경우 3분 texturing 샘플부터 면저항이 약 4${\Omega}/sq$ 정도 증가됨을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권9호
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• pp.816-820
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• 2007

We measured the electron drift velocity, W, in 0.5% $SF_6-Ar$ mixture over the E/N range from 30 Td to 300 Td and gas pressure range from 0.1 to 0.5 Torr by the double shutter drift tube with a variable drift distance, and calculated over the same E/N and gas pressure range by using the two-term approximation of the Boltzmann equation. The measured and calculated values at different gas pressure at each E/N was appreciable dependence in the results on the gas pressure.

• 대한전기학회논문지
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• 제40권1호
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• pp.18-23
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• 1991

Recently SLAMECKA suggested the mathematical dynamic arc model of the SF6 gas circuit breaker [1]. The author applied the above dynamic arc model to the E.H.V. transmission line and investigated the interrupting capability of the SF6 gas circuit breaker. In particular the Runge-Kutta-England numerical method suitable for the use in systems that involve nonlinear dynamic arc and traveling wave was used by converting the current source into the voltage source in the DOMMEL's method [2]. The successful computer resultls were obtained and it was found that the arc time constant and the second derivative of the arc conductance are closely related to the interrupting capability of the SF6 gas circuit breaker.

• 전기의세계
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• 제30권3호
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• pp.172-176
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• 1981

The reduction in the breakdown field strength due to electrode surface roughness was calculated by applying the streamer breakdown criterion and the surface roughness factor, and measurements of static breakdown voltage for a gap with an artificial protrusion were made under the uniform field at pressures up to 4 bar in pressurized $SF_{6}$. The effect of polarity of highly stressed electrode on the breakdown field strength was also investigated. The measurements have shown that the measured breakdown levels for a protrusion located on the cathode agree with those calculated and the values measured with an identical anode protrusion are substantially higher and more scattered. This may be explained if it assumed that a high rate of production of initiatory electrons is maintained at the tip of a cathode protrusion by field emission. In practical point of view, the breakdown levels in pressurized $SF_{6}$ can be bereliably estimated from the values calculated.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제54권2호
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• pp.76-82
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• 2005

In this paper, a method for analyzing the thermal recovery characteristics of the nozzle of gas circuit breaker was described. In order to obtain thermal recovery characteristics, the transient simulation of SF6 arc plasma within the nozzle was carried out. In particular, the nozzle ablation was taken into account by simultaneously solving the PTFE concentration equation with the governing equations such as continuity, momentum and energy equation. After that, post arc current calculation was performed with the rate of rise of recovery voltage changed. From the calculated post arc current, it was possible to suggest the thermal recovery characteristics of the nozzle of gas circuit breaker.