• 제목/요약/키워드: SD(SI)

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Low temperature electron mobility property in Si/$Si_{1-x}Ge_{x}$ modulation doped quantum well structure with thermally grown oxide

  • Kim, Jin-Young
    • Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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    • 제4권1호
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    • pp.11-17
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    • 2000
  • The low temperature electron mobilities were investigated in Si/$Si_{1-x}Ge_{x}$ modulation Doped (MOD) quantum well structure with thermally grown oxide. N-type Si/$Si_{1-x}Ge_{x}$ structures were fabricated by a gas source MBE. Thermal oxidation was carried out in a dry $O_2$ atmosphere at $700^{\circ}C$ for 7 hours. Electron mobilities were measured by a Hall effect and a magnetoresistant effect at low temperatures down to 0.4 K. Pronounced Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations were observed at a low temperature showing two dimensional electron gases (2 DEG) in a tensile strained Si quantum well. The electron sheet density ($n_{s}$) of 1.5${\times}$$10^{12}$[$cm^{-2}$] and corresponding electron mobility of 14200 [$cm^2$$V^{-1}$$s^{-1}$] were obtained at low temperature of 0.4 K from Si/$Si_{1-x}Ge_{x}$ MOD quantum well structure with thermally grown oxide.

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Si $p^+n$ 접합 다이오드의 온도를 고려한 유효 이온화 계수 모델링 (Modeling for Temperature Dependent Effective ionization Coefficient of Si $p^+n$ Junction Diodes)

  • 정용성
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권1호
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    • pp.9-14
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    • 2004
  • 본 논문에서는 Si의 유효 이온화 계수를 온도 함수로 추출하였고, 이 유효 이온화 계수를 이용하여 Si $p^+n$ 접합에서의 항복 전압을 위한 해석적 표현식을 온도 함수로 유도하였다. 100K 300K 및 500K일 경우, 해석적 항복 전압 결과는 $10^{14}cm^{-3}{\~} 10^{17}cm^{-3}$의 농도 범위에서 실험 결과 및 시뮬레이션 결과와 비교하여 오차 범위 $3\%$ 이내로 잘 일치하였다.

실내사무환경에서의 환경성담배연기(ETS)중 일부 휘발성유기화합물(VOC)에 관한 연구 (A Study on Volatile Organic Compounds(VOC) in Environmental Tobacco Smoke(ETS) at Indoor Office Environments)

  • 하권철
    • 한국환경보건학회지
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    • 제27권3호
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    • pp.87-98
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    • 2001
  • There has been increased interest in the health effects of the Environmental Tobacco Smoke(ETS) as a confirmed human carcinogen. It has been known to be extremely difficult to make an accurate assessment of exposure to ETS since it is consisted of a variety of components and there are a number of labile chemicals. Therefore, it is necessary to obtain, to interpretate and to provide the data of quantitative exposure assessment to ETS in the field of environmental health. The purpose of this research is to evaluate the concentration of ETS using VOC in indoor office environments. The correlations and concentrations of benzene, RSP, 3-EP, nicotine that are indicators for ETS were investigate with smoking density, air change per hour(ventilation rate). Air samples were taken in smoking room(7 sites), smoking allowed office (3 sites), corridor outside smoking room(7 sites), non-smoking office (9 sites). The concentrations of benzene showed significant difference according to category of indoor office environments. The geometric mean concentration of benzene were 23.56 ${\mu}{\textrm}{m}$/㎥(range 4.80~192.90 ${\mu}{\textrm}{m}$/㎥) in smoking rooms. 6.16 ${\mu}{\textrm}{m}$/㎥ in smoking allowed offices, 1.32 ${\mu}{\textrm}{m}$/㎥ in the non-smoking offices respectively. The ratios of the concentration of benzene between outdoor air and smoking room, smoking allowed office, and non-smoking indicators concentrations, SD, and SI were 0.82(benzene and nicotine). 0.76(benzene and RSP), 0.60(benzene and SD), 0.76(benzene and SI). It is proposed that benzene is a good indicator for ETS.

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Diagnostic Value of Early Inflammatory Reaction in Postoperative Infection of the Lumbar Spine

  • Mun, Ji-Hun;Kim, Dong-Hyun;Ryu, Kyeong-Sik;Park, Chun-Kun;Kim, Moon-Chan
    • Journal of Korean Neurosurgical Society
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    • 제38권3호
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    • pp.206-210
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    • 2005
  • Objective : Our aim is to evaluate the early changes of biologic markers such as white blood cell[WBC] count, erythrocyte sedimentation rate[ESR] and C-reactive protein[CRP] in early diagnosis of postoperative infection and to differentiate infection from inflammatory reaction in lumbar spine surgery. Methods : We reviewed 330patients who had undergone spinal operations between May 1999 and October 2001. For this study, the patients were classified into two groups, which include a group that underwent spinal decompressive surgery without instrumentation[SD], and the other group that underwent fusion surgery with spinal instrumentation[SI]. And each group was also subdivided into two groups respectively, one with infection and the other without infection. We retrospectively analyzed the WBC count, ESR and CRP preoperatively and postoperatively, according to their operation type and postoperative infection history. Results : Inflammatory indices were physiologically affected by instrumentation itself. But ESR and CRP elevations were more prolonged and sustained under infection. In SD patients without infection, ESR and CRP were stabilized 5 days after surgery. In SI patients without infection, CRP was stabilized about 7days after surgery, but ESR showed sustained and variously elevated. In both SD and SI groups, the stabilization of CRP was the most reliable behavior of surgery without infection. Conclusion : C-reactive protein is most sensitive parameter for postoperative spine infection. The knowledge of the inflammatory indices and their relatively uniform patterns with or without infection offers surgeons the ability to infer the state of surgical wound.

4H-SiC ${p^+}$접합의 해석적 항복 전압 (Analytical Breakdown Voltage for 4H-SiC ${p^+}$ Junction)

  • 정용성
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권1호
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    • pp.12-17
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    • 2002
  • 본 논문에서는 전자와 정공의 이온화 계수로부터 4H-SiC를 위한 유효 이온화 계수를 cㆍE/sup m/의 형태로 추출하였고, 이 유효 이온화 계수를 이용하여 4H-SiC p/sup +/n 접합에서의 항복시 임계 전계와 항복 전압을 위한 해석적 표현식을 유도하였다. 해석적 항복 전압 및 항복 전계 결과는 10/sup 15/㎝/sup -3/∼10/sup 18/㎝/sup -3/의 농도 범위에서 실험 결과와 비교하여 오차 범위 10% 이내로 잘 일치하였다.

6H-SiC $p^{+}n$ 접합의 항복 전압을 위한 해석적 모형 (Analytical Model of Breakdown Voltages for 6H-SiC $p^{+}n$ Junction)

  • 정용성
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권6호
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    • pp.398-403
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    • 2001
  • 본 논문에서는 6H-SiC의 유효 이온화 계수를 추출하였고, 이 이온화 계수를 이용하여 6H-SiC p+n 접합의 해석적 항복 전압 식을 유도하였다. 해석적 항복 전압 결과는 10/sup 15/ cm/sup -3/ ∼ 10/sup 18/ cm/sup -3/의 농도 범위에서 Dmitriev의 수치적 결과[3] 및 Cree Research의 실험 결과[9]와 비교하여 잘 일치하였다.

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Kinetic analysis of Drosophila Vnd protein containing homeodomain with its target sequence

  • Yoo, Si-Uk
    • BMB Reports
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    • 제43권6호
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    • pp.407-412
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    • 2010
  • Homeodomain (HD) is a highly conserved DNA-binding domain composed of helix-turn-helix motif. Drosophila Vnd (Ventral nervous system defective) containing HD acts as a regulator to either enhance or suppress gene expression upon binding to its target sequence. In this study, kinetic analysis of Vnd binding to DNA was performed. The result demonstrates that DNA-binding affinity of the recombinant protein containing HD and NK2-specific domain (NK2-SD) was higher than that of the full-length Vnd. To access whether phosphorylation sites within HD and NK2-SD affect the interaction of the protein with the target sequence, alanine substitutions were introduced. The result shows that S631A mutation within NK2-SD does not contribute significantly to the DNA-binding affinity. However, S571A and T600A mutations within HD showed lower affinity for DNA binding. In addition, DNA-binding analysis using embryonic nuclear protein also demonstrates that Vnd interacts with other nuclear proteins, suggesting the existence of Vnd as a complex.

압저항 효과를 이용한 실리콘 압력센서 제작공정의 최적화 (Optimization on the fabrication process of Si pressure sensors utilizing piezoresistive effect)

  • 윤의중;김좌연;이석태
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제42권1호
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    • pp.19-24
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    • 2005
  • 본 논문에서는 압저항 효과를 이용한 Si 압력센서 제작을 최적화하였다. Si 압저항형 압력센서의 제작공정에 있어서 압저항과 알루미늄 회로 패턴 이후에 Si 이방성 식각을 통하여 수율이 개선되었다. 압저항의 위치와 공정 파라메터는 각각 ANSYS와 SUPREME 시뮬레이터를 이용하여 결정하였다. Boron-depth 프로파일 측정으로부터 p-형 Si 압저항의 두께를 측정한 결과 SUPREME 시뮬레이션으로부터 얻은 결과와 잘 부합하였다. 다이아프램을 위한 Si 이방성 식각 공정은 암모늄 첨가제 AP(Ammonium persulfate)를 TMAH(Tetra-methyl ammonium hydroxide) 용액에 첨가함으로써 최적화되었다.

저 유전체 SiOC 박막의 열처리 공정 온도에 따른 전기적인 특성에 관한 연구 (Study on the Electrical Characteristic of Low-k SiOC films due to the Appropriate Annealing Temperature)

  • 오데레사
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권8호
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    • pp.1-4
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    • 2011
  • SiOC 박막과 같은 유무기 하이브리드 저유전 물질에서의 열처리효과에 의한 전기적인 특성의 변화와 유전상수에 관하여 연구하였다. SiOC 박막은 분극에 따른 특성을 분석하기 위해서 TMS과 산소의 혼합가스를 이용한 CVD방법에 의하여 증착되었으며, 300~500도까지 변화하면서 열처리를 하였다. SiOC 박막은 열처리에 의하여 유전상수는 더욱 낮아지며, 400도에서 열처리 한 경우 전기적인 특성이 우수한 것을 확인하였다. XRD 패턴에 의하면 300도이하에서 열처리한 박막과 400도 이상에서 열처리 한 경우 결합구조가 달라지는 것을 알 수 있고 400도 근처에서 급격한 변화가 일어나고 있는 것을 확인하였다.

IoT에서 효율적인 서비스 제공을 위한 이름 기반 서비스 탐색 메커니즘 (A Name-based Service Discovering Mechanism for Efficient Service Delivery in IoT)

  • 조국현;김정재;류민우;차시호
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제19권6호
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    • pp.46-54
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    • 2018
  • IoT는 다양한 디바이스들이 통신을 통해 사용자에게 서비스를 제공하는 환경이다. IoT의 특성으로 인해 데이터들은 이종간의 정보시스템에 분산되어 저장된다. 이러한 상황에서 IoT 엔드 애플리케이션은 데이터가 어디에 있는지 또는 스토리지의 형태가 어떠한지 알 수 없어도 데이터를 액세스할 수 있어야 한다. 이러한 메커니즘을 SD(Service Discovery)라고 한다. 그러나 현재까지의 SD 구조는 물리적 디바이스를 중심으로 탐색하기 때문에 몇 가지 문제점이 발생한다. 첫째, 물리적 위치에 따른 서비스 탐색으로 인해 반환시간이 증대된다. 둘째, 디바이스와 서비스를 따로 관리하는 데이터 구조가 요구된다. 이는 관리자의 서비스 구성복잡도를 증가시킨다. 이로 인해 디바이스 중심의 SD 구조는 실제 IoT에 적용하기에는 적합하지 않은 구조로 되어 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 논문에서는 NSSD(Name-based Service Centric Service Discovery)라는 SD 구조를 제안한다. NSSD는 이름 기반의 중앙집중형 SD를 제공하며 IoT 에지 게이트웨이를 캐싱 서버로 사용해 서비스 탐색속도를 향상시킨다. 기존의 DNS와 DHT 기반 DS 구조와의 시뮬레이션을 통해 NSSD가 평균 반환시간에 있어 약 2배 정도 향상된 성능을 제공함을 입증하였다.