• 전자공학회논문지A
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• 제29A권11호
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• pp.84-90
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• 1992

The dependence of electrical characteristics of RuO$_2$-based thick film resistors on the RuO$_2$ contents, glass composition variation and the firing temperatures was measured. The sheet resistance of resistors decreased as the contents of RuO$_2$ increased and at firing temperatures higher than C, the sheet resistance increased as the firing temperature increased. In case of using lead borosilicate glass-containing $Bi_{2}O_{3}$, the sheet resistance decreased as the contents of $Bi_{2}O_{3}$ increased. TCR changes from negative to positive values as RuO$_2$ contents increased and from positive to negative values as the firing temperature increased. TCR increased to positive values as $Bi_{2}O_{3}$ increased in the glass.

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
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• 한국현미경학회 1997년도 제28차 창립30주년 기념 추계학술대회
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• pp.41-42
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• 1997

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.35-42
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• 2002

스퍼터로 성장시킨 $n-ZnO:Al(3\times10^{18}\textrm{cm}^{-3})$ 박막에 Ru 금속 박막을 이용하여 열적으로 안정하며 낮은 저항을 가지는 오믹 접촉을 제작하였다. 상온에서 $2.1{\times}10^{-3}{\Omega}\textrm{cm}^2$의 비접촉 저항을 보이던 Ru 오믹 접촉은 열처리 온도를 증가시킴에 따라 I-V특성이 향상되었고 특히 $700^{\circ}C$에서 1분 동안 열처리 할 경우 $3.2{\times}10^{-5}}{\Omega}\textrm{cm}^2$의 낮은 비접촉 저항을 나타내었다. 또한 Ru 오믹 접촉 시스템은 고온에서도 안정한 특성을 나타내었는데 $700^{\circ}C$에서의 고온 열처리 후에도 1.4 nm의 아주 낮은 rms 거칠기를 갖는 평탄한 표면을 나타내었다. 이와 같이 낮은 비접촉 저항과 열적 안정성은 Ru 오믹 접촉 시스템이 ZnO를 근간으로 하는 고성능의 광소자 및 고온소자에 적합한 오믹 접촉 시스템이라는 것을 말해준다. 또한 Ru 오믹 접촉의 비접촉 저항의 열처리 온도 의존성을 설명할 수 있는 메카니즘을 제시하였다.

• 한국진공학회지
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• 제5권1호
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• pp.67-72
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• 1996

$RU_{1-x}Ir_xO_2$ films were deposited on the quartz substrate by a spray pyrolysis method. The x-ray diffraction patterns showed that the structure of the $RU_{1-x}Ir_xO_2$ film was tetragonal and the lattice constant $a_o$ and $c_o$ were increased from 4.495 A to 4.058 A and from 3.092A to 3.156 A, respectively as the Ir composition varied from 0.0 to 1.0. The $RU_{1-x}Ir_xO_2$ film was metallic and the resistivity of the samples was increased from $7{\times}10^{-5}{\Omega}\textrm{cm}$ to $48{\times}10^{-5}{\Omega}\textrm{cm}$ with increasing the Ir x. The surface of the sample was slightly roughed, the grain size and the grain boundary width were increased as the Ir composition varied from 0.0 to 1.0.

• 대한화학회지
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• 제64권1호
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• pp.49-53
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• 2020

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.143-144
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• 2005

Recently, MIM(metal-insulator-metal) capacitor is one of the essential device for DRAM device. In this thesis, $Al_2O_3$ thin film which has a relatively high dielectric constant was deposited by ALD(atomic layer deposition) using MPTMA and $H_2O$ source. Deposition temperature of $Al_2O_3$ thin film was $200^{\circ}C$ and its thickness was 300 ${\AA}$. $RuO_2$ bottom electrode was deposited by RF-magnetron sputtering using $RuO_2$ target. The physical characteristics of $Al_2O_3$ films were investigated by AES, TEM and Ellipsometry. Electrical characteristics were analyzed by C-V and I-V measurement.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2005년도 춘계학술대회
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• pp.296-298
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• 2005

Hydrogen generation by the hydrolysis of aqueous sodium borohydride $(NaBH_4)$ solutions was studied using IRA-400 anion resin dispersed Pt. Ru catalysts and Lithium Cobalt oxide $(LiCoO_2)$ supported Pt, Ru and PtRu catalysts. The performance of the $LiCoO_2$ supported catalysts is better than the ion exchange resin dispersed catalysts. There is a marked concentration dependence on the performance of the $LiCoO_2$ supported catalysts and the hydrogen generation rate goes down if the borohydride concentration is increased beyond $10\%$. The efficiency of PtRu- $LiCoO_2$ is almost double that of either Ru-$LiCoO_2$ or Pt-$LiCoO_2$ for $NaBH_4$ concentrations up to $10\%$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1999년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1986-1988
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• 1999

Ferroelectric lead zirconate titanate(PZT) thin films were prepared on various bottom electrodes by rf magnetron sputtering methode. The structural phase and surface morphology of the PZT thin films were largely affected by the bottom electrodes. P-E curves of PZT thin films deposited on Pt. $RuO_2$ and Ru/$RuO_2$ bottom electrode showed typical P-E hysteresis loop. The measure values of $P_r,\;E_c$ of the Ru/PZT/Ru/$RuO_2$ capacitor were $16.9{\mu}C/Cm^2$, 140kV/ cm, respectively. The Ru/PZT/Ru/$RuO_2$ capacitors were fatigue free uP to nearly $10^9$ switching cycle but Pt/PZT/Pt capacitor showed 34% degradation uP to $10^9$ switching cycle.

• 분석과학
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• 제11권5호
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• pp.347-352
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• 1998

본 연구에서는 유리질 탄소 전극 표면에 혼성원자가를 가지는 무기 금속 고분자 막을 도포한 변형전극을 제조하고, 이들 변형전극의 전기화학적인 특성을 순환 전압 전류법으로 조사하였다. 그리고 이들 변형전극들을 작업전극으로 하여 메탄올과 L-ascorbic acid의 양극산화 거동을 조사하였다. Mixed valence rethenium oxo/cyanoruthenate(mv Ru-O/CN-Ru) 막, mv ruthenium oxo/cyanoferrate(mv Ru-O/$Fe(CN)_6$) 막, 및 mv ruthenium oxo/cyanoruthenate/Rhodium(mv Ru-O/CN-Ru/Rh) 막을 각각 도포하는 과정은 지정된 전위범위를 50 mV/sec의 주사속도로 전위를 걸어줌으로써 쉽게 도포할 수 있었으며, 동일한 과정을 반복 주사함으로써 막의 두께를 조절 하였다. 메탄올의 양극 산화거동을 조사한 결과는 다음과 같았다. mv Ru-O/CN-Ru 변형전극에서 메탄올의 검정곡선은 농도 기울기가 $-7.552{\mu}A/mM$로서 10 mM에서 80 mM 까지의 농도범위에서 비교적 좋은 감도를 보였다. mv Ru-O/$Fe(CN)_6$ 변형 전극의 경우에 농도 기울기는 $-5.13{\mu}A/mM$ 이었지만, 농도에 대한 전류관계의 직선 범위는 10 mM에서 100 mM까지로서 Ru 고분자 막 변형전극보다 더 넓은 범위에서 좋은 직선관계를 보였다. mv Ru-O/CN-Ru 막을 두 종류의 바탕전극에 각각 도포한 변형전극에 대하여 L-ascorbic acid의 양극 산화거동을 조사한 결과, 유리질 탄소 전극에 Ru 고분자 막을 입힌 변형전극이 Rh 막을 도포한 유리질 탄소전극에 Ru 고분자 막을 입힌 변형전극(mv Ru-O/CN-Ru/Rh)에서 보다 감도가 예민하였다. Ru 고분자 막 변형전극을 사용했을 경우에 검정곡선은 0.1 mM에서 5 mM 까지의 L-ascorbic acid 농도 범위에서 직선관계를 보였고, 기울기와 상관계수는 각각 $-84.78{\mu}A/mM$, 0.998이었다.

• 공업화학
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• 제21권1호
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• pp.81-86
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• 2010

실리카 지지 루테늄과 철의 합금($Ru/Fe-SiO_2$) 시료에 일산화탄소(CO)를 흡착시켰을 때 Ru/Fe의 몰비 9/1 이상에서 다섯 적외선 흡수띠($2138.7{\sim}2142.5cm^{-1}$, $2067.3{\sim}2073.1cm^{-1}$, $1976.7{\sim}2017.2cm^{-1}$, $1737.9{\sim}1799.3cm^{-1}$, $1625.7cm^{-1}$)를 관찰했고, Ru/Fe의 몰비 8/2 이하에서 두 적외선 흡수띠($1934.0{\sim}1990.2cm^{-1}$, $1625.7cm^{-1}$)를 관찰했다. $2138.7{\sim}2142.5cm^{-1}$ 흡수띠, $2067.3{\sim}2073.1cm^{-1}$ 흡수띠, $1976.7{\sim}2017.2cm^{-1}$흡수띠는 Ru/Fe 뭉치 표면의 Ru 원자에 선형결합한 CO의 신축진동에 의한 것으로, $1774.2{\sim}1799.3cm^{-1}$ 흡수띠는 Ru/Fe 뭉치 표면의 Ru 원자와 다리결합하거나 높은 지수 평면에 있는 Ru 원자에 결합한 CO의 신축진동에 의한 것으로, $1934.0{\sim}1990.2cm^{-1}$ 흡수띠는 Ru/Fe 뭉치 표면의 Fe 원자에 선형결합한 CO의 신축진동에 의한 것으로 제시할 수 있다. $Ru/Fe-SiO_2$에서 CO를 흡착시켰을 때 Ru/Fe 몰비가 8/2 이하에서 증가할 때 CO가 Fe에 선형결합하여 생긴 $1934.0{\sim}1990.2cm^{-1}$ 흡수띠의 흡광도가 증가하였는데, 이 현상은 Ru/Fe 몰비가 8/2 이하에서 증가할 때 Ru/Fe 뭉치 표면에서 시료의 함량과 비교하여 Fe 농도가 증가했고 $Fe-SiO_2$ 시료와 비교하여 표면적이 Ru/Fe 몰비의 증가에 따라 점차 증가했기 때문으로 설명할 수 있다.