• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2005년도 춘계학술대회
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• pp.296-298
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• 2005

Hydrogen generation by the hydrolysis of aqueous sodium borohydride $(NaBH_4)$ solutions was studied using IRA-400 anion resin dispersed Pt. Ru catalysts and Lithium Cobalt oxide $(LiCoO_2)$ supported Pt, Ru and PtRu catalysts. The performance of the $LiCoO_2$ supported catalysts is better than the ion exchange resin dispersed catalysts. There is a marked concentration dependence on the performance of the $LiCoO_2$ supported catalysts and the hydrogen generation rate goes down if the borohydride concentration is increased beyond $10\%$. The efficiency of PtRu- $LiCoO_2$ is almost double that of either Ru-$LiCoO_2$ or Pt-$LiCoO_2$ for $NaBH_4$ concentrations up to $10\%$.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권2호
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• pp.94-98
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• 2005

[ $RuO_2$ ]는 DRAM과 FRAM소자에서 고유전 capacitors의 저전극물질로서 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 XRD, SEM, AFM 분석 등을 통하여 금속유기 화학 증착법(MOCVD)으로 $RuO_2$ 증착시 핵생성에 영향을 미치는 수소, 산소, 아르곤 ECR플라즈마 전처리 효과를 조사하였으며, 아르곤 ECR플라즈마 전처리의 경우 가장 높은 핵생성 밀도를 나타내었다. ECR 플라즈마 전처리를 통한 $RuO_2$의 핵생성 향상 메카니즘은 아르곤이나 수소 ECR 플라즈마는 TiN막 표면의 질소나 산소원자를 제거하고 따라서 TiN막 표면은 Ti-rich TiN으로 바뀌게 되는 것이다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권8호
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• pp.8-14
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• 1997

RuO$_{2}$ thin films are prepared by RF magnetron reactive sputtering and their characteristics of crystallization, microstructue, surface roughness and resistivity are studied with various O$_{2}$/(Ar+O$_{2}$) ratios and substrate temperatures. As O$_{2}$/(Ar+O$_{2}$) ratio decreas and substrate temperature increases, the preferred growing plane of RuO$_{2}$ thin films are changed from (110) to (101) plane. With increase of the O$_{2}$/(Ar+O$_{2}$) ratio from 20% to 50%, the surface roughness and the resistivity of RuO$_{2}$ thin films increase form 2.38nm to 7.81 nm, and from 103.6.mu..ohm.-cm to 227.mu..ohm.-cm, resepctively, but the deposition rate decreases from 47 nm/min to 17nm/min. On the other hand, as the substrate temperature increases form room temperature to 500.deg. C, resistivity decreases from 210.5.mu..ohm.-cm to 93.7.mu..ohm.-cm. RuO$_{2}$ thin film deposited at 300.deg. C shows a execellent surface roughness of 2.38nm. As the annealing temperature increases in the range between 400.deg. C and 650.deg. C, the resistivity decreases because of th improvement of crystallinity. We find that RuO$_{2}$ thin film deposited at 20% of O$_{2}$/(Ar+O$_{2}$) ratio and 300.deg. C of substrate temperature shows execellent combination of surface smoothness and low resistrivity so that it is well qualified for bottom electrodes for ferroelectric thin films.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2000년도 추계종합학술대회
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• pp.494-498
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• 2000

RuO$_2$ thin films are prepared by RF magnetron reactive sputtering and their characteristics of crystallization, microstructure, surface roughness and resistivity are studied with various $O_2$/ (Ar+O$_2$) ratios and substrate temperatures. As $O_2$/(Ar+O$_2$) ratio decreases and substrate temperature increases, the preferred growing plane of RuO$_2$ thin films are changed from (110) to (101) plane. With increase of the $O_2$/(Ar+O$_2$) ratio from 20% to 50%, the surface roughness and the resistivity of RuO$_2$ thin films increase from 2.38nm to 7.81 nm, and from 103.6 $\mu$$\Omega$-cm to 227 $\mu$$\Omega$-cm, respectively, but the deposition rate decreases from 47 nm/min to 17 nm/min. On the other hand, as the substrate temperature increases from room temperature to 500 $^{\circ}C$, resistivity decreases from 210.5 $\mu$$\Omega$-cm to 93.7 $\mu$$\Omega$-cm. RuO$_2$ thin film deposited at 300 $^{\circ}C$ shows a excellent surface roughness of 2.38 nm. As the annealing temperature increases in the range between 400 $^{\circ}C$ and 650 $^{\circ}C$, the resistivity decreases because of the improvement of crystallinity. We find that RuO$_2$ thin film deposited at 20% of $O_2$/(Ar+O$_2$) ratio and 300 t of substrate temperature shows excellent combination of surface smoothness and low resistivity so that it is well Qualified for bottom electrodes for ferroelectric thin films.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제46권5호
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• pp.898-902
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• 2008

Polyaniline(PAN), multi-walled carbon nanotube(CNT)/PAN, $CNT/PAN/RuO_2$로 구성된 초고용량캐폐시터 전극을 제조하여 cyclic voltammetry(CV)를 이용하여 1 M $H_2SO_4$ 수용액에서 캐패시턴스 특성을 조사하였다. PAN, CNT/PAN 그리고 $CNT/PAN/RuO_2$ 복합전극은 높은 주사속도인 1,000 mV/s에서 199, 304, 392 F/g의 비용량을 각각 나타내었다. 수명시험 결과, $CNT/PAN/RuO_2$, CNT/PAN, PAN 전극은 10,000 번의 싸이클에서 각각 61, 66 그리고 51%의 초기용량을 유지하였다. PAN 전극은 CNT와 복합화하여 축전용량 및 수명특성을 향상시킬 수 있으며, $RuO_2$ 도입은 축전용량 향상에는 기여하나 수명 증가 효과는 미미하였다.

• 한국환경과학회:학술대회논문집
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• 한국환경과학회 2008년도 추계학술발표회 발표논문집
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• pp.482-487
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• 2008

성능이 우수한 다성분계 전극을 개발하기 위하여 Ru를 주 전극성분으로 Pt, Sn, Sb 및 Gd를 보조 전극성분으로 하여 3, 4성분계 전극의 성능과 산화제 생성량 및 전극 표면 분석을 행하여 다음의 결과를 얻었다. 1. 2분 동안 단위 W당 제거된 RhB 농토는 Ru:Sn:Sb=9:1:1 > Ru:Pt:Gd=5:5:1 > Ru:Sn=9:1 > Ru:Sn:Gd=9:1:1 > Ru:Sb:Gd=9:1:1로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극에서 발생하는 free Cl, ClO$_2$ 및 H$_2$O$_2$농도가 다른 전극보다 높은 것으로 나타나 산화제 생성경향과 RhB 분해율과는 상관관계가 있는 것으로 사료되었다. 4성분계 전극 중에서 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 성능이 가장 우수한 것으로 나타났으나 3성분계 전극인 Ru:Sn:Sb=9:1.1 전극보다 성능이 떨어지는 것으로 나타났다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극에서 생성되는 산화제 농도가 다른 두 종류의 산화제 농도보다 높은 것으로 나타났고 4성분 전극의 경우 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 산화제 농도가 Ru:Sn:Sb:Gd 전극이 높거나 유사한 경우로 나타나 산화제 생성 경향과 RhB분해 능과는 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 초기 RhB 분해 속도가 높은 전극의 COD 제거율도 높은 것으로 나타났다. OH 라디칼은 발생하지 않지만 염소계 산화제 농도가 높고 RhB제거율이 높아 Ru를 주 성분으로 한 전극의 RhB분해는 주로 간접 산화작용에 의한 것이며, 개발된 3, 4성분계 산화물 전극은 간접 산화용 전극임을 알 수 있었다. 에칭을 하기 전의 Ti판은 표면이 매끄러운 것으로 나타났으며, 35% 염산으로 에칭한 후의 Ti메쉬는 매우 거친 표면조직을 가지는 것을 관찰할 수 있었다. Ru:Sn:Sb=9:1:1 전극과 Ru:Sn:Sb:Gd 전극의 SEM 사진을 관찰한 결과 두 전극 모두 전극 물질이 균일하게 도포되어 있었으며, 두 전극 모두 열소성을 통해 전극 성분을 코팅할 때 발생하는 "mud crack"이 발생한 것이 관찰되었다 EDX 분석에서 Cl이 관찰되었는데, 전극 성분의 불완전 산화로 인한 비양론적 산화물 때문이며 이는 RhB 분해성능과 관련 있는 것으로 사료되었다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권9호
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• pp.423-429
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• 2002

RuOx thin films were fabricated by the method of liquid delivery MOCVD using Ru(C$_{8}$ $H_{13}$ $O_2$)$_3$ as the precursor and their thermal effects and conductivity were investigated. Ru films deposited at 25$0^{\circ}C$ were annealed at $650^{\circ}C$ for 1min with Ar, $N_2$ or N $H_3$ ambient. The changes of the micro-structure, the surface morphology and the electrical resistivity of the Ru films after annealing were studied. Ar gas was more effective than $N_2$ and N $H_3$ gases as an ambient gas for the post annealing of the Ru films, because of smaller resistivity and denser grains. The X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy results indicate that the Ru $O_2$ phase and the silicidation are not observed regardless of the ambient gases. The minimum resistivity of the Ru film is found to have the value of 26.35 $\mu$Ω-cm in Ar ambient. Voids were formed at Ru/TiN interface of the Ru layer after annea1ing in $N_2$ ambient. The $N_2$ gas generated due to the oxidation of the TiN layer accumulated at the Ru/TiN interface, forming bubbles; consequently, the stacked film may peel off the Ru/TiN interface.e.

• 한국전기화학회:학술대회논문집
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• 한국전기화학회 2001년도 연료전지심포지움 2001논문집
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• pp.37-42
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• 2001

The electrooxidation of methanol was studied using Pt, PtNi(1.1 and 3:1), PtRuNi and PtRu(1:1) alloy nanoparticles in sulfuric acid solution for application to a direct methanol fuel cell. The PtNi and PtRuNi alloys showed excellent catalytic activities compared to those of pure Pt and PtRu. The role of Ni in the electrocatalytic activity was investigated using cyclic voltammetry (CV), chronoamperometry (CA), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The XPS data confirm that the chemical states of Pt are exclusively metal as well as the presence of metallic Ni, NiO, $Ni(OH)_2$, NiOOH, metallic Ru, $RuO_2$, and $RuO_3$. Negative shifts of the binding energies of Pt for the PtNi alloy nanoparticles were determined by XPS measurements. This can be explained based by assuming that the enhanced activities of PtNi alloys for methanol electrooxidation were caused by the oxide states of Ni and by the change in the electronic structure of Pt component in the alloys.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제14권6호
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• pp.682-686
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• 1993

The syntheses and reactivities with olefins of $[Ru^{II}(L_3)(L_2)OH_2]^{2+}$ $[L_3$= 2,6-bis(N-pyrazolyl)pyridine(bpp), 2,6-bis(3,5-dimethyl-N-pyrazolyl)pyridine $(Me_4bpp);\;L_2$= 2,2'-bipyridine(bpy), 4,4'-dimethyl-2,2'-bipyridine $(Me_2bpy)$] are described. Their spectral and redox properties in aqueous solution were investigated. Evidence for each one electron redox process for the $Ru^{IV}-Ru^{III}$ and $Ru^{III}-Ru^{II}$ couples has been obtained. Oxidation of $[Ru^{II}(bpp)(bpy)OH_2]^{2+}$ with $Ce^{IV}$ gave $[Ru^{IV}(bpp)(bpy)O]^{2+}$. The $[Ru^{IV}$= 0 complex is paramagnetic $({\mu}_{eff}=2.82)$ and the complexes $[Ru(L_3)(L_2)OH_2]^{2+}$ are robust catalysts for the oxidation of styrene, cyclohexene, and cyclooctene with cooxidant such as NaOCl. Product distributions and selectivities are discussed by varying the number of the substituted-methyl group in the ring.

• 공업화학
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• 제18권6호
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• pp.552-556
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• 2007

연구에서는 $TiO_2$ 담체에 귀금속(Pd, Ru, Ir)을 담지시켜 촉매를 제조하였다. 금속분산의 향상을 위해 $H_2O-H_2$ 전처리 기술이 이용되었고, 반응물로서 xylene, toluene 그리고 MEK를 사용하였다. 단일금속과 합금금속의 촉매들은 함침법에 의해 준비하였고, XRD, XPS 분석을 통하여 특성 분석하였다. Pd-Ru, Pd-Ir 촉매는 다양한 활성점을 나타내었고, 그것은 Pd의 metal 영역를 강화시켰다. 합금금속으로 이루어진 촉매가 단일 금속으로 이루어진 촉매에 비해 VOCs 전환율이 더 높았다. $H_2O-H_2$ 전처리 기술은 Pd 입자를 고르게 분산시켰다. 이는 촉매의 효율을 증진시키는 효과를 보여주었다. 본 연구에서 Pd에 소량의 Ru, Ir 첨가는 VOCs의 산화반응을 증진시켰고, $TiO_2$ 담체상에서 $H_2O-H_2$ 전처리는 VOCs의 제거효율을 증진시켰다.