본 연구에서는 폴리에스터 코드와 고무 매트릭스간의 접착을 향상시키기 위한 접착시스템에 관해 조사하였다. 폴리에스터 코드의 표면 활성화를 통해 접착력을 증진시키기 위해 0.03, 0.05, 0.1, 0.2, 0.5, 1 및 5 wt.% NaOH 용액으로 폴리에스터 코드를 개질하였다. 개질된 폴리에스터 코드와 결합제가 직접블렌딩된 SBR 고무혼합물과의 접착력을 평가한 결과 0.05 wt.%의 NaOH 농도에서 10분 개질 할 때 최대의 접착강도를 나타내었다. 1 wt.% 이상의 NaOH 농도에서는 과도한 개질로 인한 폴리에스터 코드의 손상으로 인하여 접착력 실험 동안 코드의 파괴가 발생하였다. 또한, 개질한 폴리에스터 코드에 triallylcyanurate(TC) 접착제를 코팅한 후 상온에서 건조하여 접착시키는 경우 보다 $220^{\circ}C$의 고온에서 건조한 후 고무 매트릭스와 접착시킬 경우 가장 우수한 접착력을 나타내었다.
Nano-indium-coated ZnO:In thick films were prepared by a hydrothermal method. ZnO:In gas sensors were fabricated by a screen printing method on alumina substrates. The gas sensing properties of the gas sensors were investigated for hydrocarbon gas. The effects of the indium concentration of the ZnO:In gas sensors on the structural and morphological properties were investigated by X-ray diffraction and scanning electron microscopy. XRD patterns revealed that the ZnO:In with wurtzite structure was grown with (1 0 0), (0 0 2), and (1 0 1) peaks. The quantity of In coating on the ZnO surface increased with increasing In concentration. The sensitivity of the ZnO:In sensors was measured for 5 ppm $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas at room temperature by comparing the resistance in air with that in target gases. The highest sensitivity to $CH_4$ gas and $CH_3CH_2CH_3$ gas of the ZnO:In sensors was observed at the In 6 wt%. The response and recovery times of the 6 wt% indiumcoated ZnO:In gas sensors were 19 s and 12 s, respectively.
Magnesium hydroxide-melamine core-shell particles were prepared through the coating of melamine monomer on the surface of magnesium hydroxide in the presence of phosphoric acid. The melamine monomer was dissolved in hot water but recrystallized on the surface of magnesium hydroxide by quenching to room temperature in the presence of phosphoric acid. The core-shell particle was applied to low-density polyethylene/ ethylene vinyl acetate (LDPE/EVA) resin by melt-compounding at $180^{\circ}C$ as flame retardant. The effect of magnesium hydroxide and melamine content has been studied on the flame retardancy of the core-shell particles in LDPE/EVA resin according to the preparation process and purity of magnesium hydroxide. Magnesium hydroxide prepared with sodium hydroxide rather than with ammonia solution revealed higher flame retardancy in core-shell particles with LDPE/EVA resin. At 50 wt% loading of flame retardant, core-shell particles revealed higher flame retardancy compared to that of the exclusive magnesium hydroxide in LDPE/EVA composite, and it was possible to satisfy the V0 grade in the UL-94 vertical test. The synergistic flame retardant effect of magnesium hydroxide and melamine core-shell particles was explained as being due to the endothermic decomposition of magnesium hydroxide and melamine, which was followed by the evolution of water from the magnesium hydroxide and porous char formation due to reactive nitrogen compounds, and carbon dioxide generated from melamine.
실리카계 메조 물질 MCM-41 지지체 위에 여러 방법으로 aminopropyltrimethoxysilane(APMS)을 표면 기능화 시킨 염기촉매를 제조하였고 표준 염기반응인 Knoevenagel 축합반응을 수행하여 촉매적 활성을 측정하였다. Methyltrimethoxysilane으로 추가 표면처리하거나, APMS를 염소함유 유기실란과 축합하여 2차 아민 형성 후 고정화시킨 MCM-41 촉매(BAPM)를 제조한 결과, MCM-41 표면의 잔류 OH를 제거하고 물과의 수소결합으로 아민 활성점의 기능이 약화되는 것을 억제하여 높은 TON을 얻을 수 있었다. 코팅에 의해 표면에 많은 양의 아민이 고정화된 MCM-41은, 세공 내부의 반응 공간이 줄어들고, 인접한 아민 간의 수소결합으로 인하여 낮은 염기도가 예상되며 촉매 활성도 상대적으로 낮았다. 제조한 촉매 중에는 BAPM이 촉매 활성이 가장 우수하였다.
최근 연구와 생산에 가속이 붙기 시작한 AMOLED는 모두 LTPS TFT를 사용하고 있다. LTPS TFT는 높은 전자 이동도를 가지고 있기 때문에 현재 각광 받는 AMOLED에 잘 맞는다. 하지만 LTPS TFT는 균일성이 낮고 고비용이라는 문제점이 있으며, 현재 대면적 기술이 부족한 상태이다. 극복방안으로 AMOLED를 타겟으로 하는 Oxide TFT와 a-Si TFT의 기술이 발전되고 있다. Oxide TFT는 AMOLED backplane으로 사용될 수 있는 강력한 후보 중의 하나이다. Oxide TFT는 단결정 산화물과 다결정 복합 산화물 두 가지 범주를 가지고 있다. 본 연구에서는 다결정 Oxide TFT의 하나인 ZTO TFT를 연구함으로서 Engineer의 근본적 이슈인 저비용에 초점을 맞추어 소자특성을 확인해보도록 한다. n-type wafer 에 PE-CVD 장비를 이용하여 SiNx를 120 nm 증착하고, channel layer인 ZTO 용액을 spin-coating을 이용하여 형성하였다. 균일하게 형성된 ZTO의 결정을 위하여 $500^{\circ}C$에서 1시간 동안 공기 중에서 annealing을 하였다. 과정을 거친 ZTO는 약 30 nm 두께로 형성되었다. Thermal evaporator를 이용하여 Source, Drain의 전극을 형성 하고, wafer 뒷면에는 Silver paste를 이용하여 Gate를 형성하였다. 제작된 소자를 dark room temperature 에서 측정 하였다. 측정된 소자는 우수한 전기적 특성과 0.96 cm2/Vs 인 이동도를 얻어냈다. 이러한 소자의 안정성에 따른 전기적 특성을 관측하기 위하여 상온에서 $100^{\circ}C$ 까지의 온도 스트레스를 주었다. Stress에 따른 소자는 상온에서 시작하여 온도가 올라갈수록 이동도가 낮아지고, 문턱전압 증가와 SS이 커짐을 알 수 있었다. 캐리어의 운동 매커니즘에서 온도가 올라가면 격자진동의 영향을 크게 받음으로서 캐리어의 이동도가 낮아져 전기적 특성이 낮아지는 점이 본 연구에도 적용됨을 알 수 있었다. 본 연구를 통하여 화학적 안정성을 지닌 소자라는 점과 더불어 여타 TFT공정에 비하여 현저히 낮은 공정비용을 통하여 AMOLED가 요구하는 수준의 특성에 가까운 소자를 제작할 수 있다는 것을 확인하였으며 앞으로의 추가적인 연구에 따라서 더욱 완성된 공정기술을 기대할 수 있었다.
Jung, Sung Hoon;Jeon, Soo Hyeok;Park, Hyeon-Myeong;Jung, Yeon Gil;Myoung, Sang Won;Yang, Byung Il
한국세라믹학회지
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제55권4호
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pp.344-351
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2018
The effects of bond coat species on the growth behavior of thermally grown oxide (TGO) layer in thermal barrier coatings (TBCs) was investigated through furnace cyclic test (FCT). Two types of feedstock powder with different particle sizes and distributions, AMDRY 962 and AMDRY 386-4, were used to prepare the bond coat, and were formed using air plasma spray (APS) process. The top coat was prepared by APS process using zirconia based powder containing 8 wt% yttria. The thicknesses of the top and bond coats were designed and controlled at 800 and $200{\mu}m$, respectively. Phase analysis was conducted for TBC specimens with and without heat treatment. FCTs were performed for TBC specimens at $1121^{\circ}C$ with a dwell time of 25 h, followed by natural air cooling for 1 h at room temperature. TBC specimens with and without heat treatment showed sound conditions for the AMDRY 962 bond coat and AMDRY 386-4 bond coat in FCTs, respectively. The growth behavior of TGO layer followed a parabolic mode as the time increased in FCTs, independent of bond coat species. The influences of bond coat species and heat treatment on the microstructural evolution, interfacial stability, and TGO growth behavior in TBCs are discussed.
Lee, Su Il;Song, Wooseok;Kim, Yooseok;song, Inkyung;Park, Sangeun;Cha, Myung-Jun;Jung, Dae Sung;Jung, Min Wook;An, Ki-Seok;Park, Chong-Yun
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.208-208
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2013
Graphene has emerged as a fascinating material for next-generation nanoelectronics due to its outstanding electronic properties. In particular, graphene-based field effect transistors (GFETs) have been a promising research subject due to their superior response times, which are due to extremely high electron mobility at room temperature. The biggest challenges in GFET applications are control of carrier concentration and opening the bandgap of graphene. To overcome these problems, three approaches to doping graphene have been developed. Here we demonstrate the decoration of Ni nanoparticles (NPs) on graphene films by simple annealing for p-type doping of graphene. Ni NPs/graphene films were fabricated by coating a $NiCl2{\cdot}6H2O$ solution onto graphene followedby annealing. Scanning electron microscopy and atomic force microscopy revealed that high-density, uniformly sized Ni NPs were formed on the graphene films and the density of the Ni NPs increased gradually with increasing $NiCl2{\cdot}6H2O$ concentration. The formation of Ni NPs on graphene films was explained by heat-driven dechlorination and subsequent particlization, as investigated by X-ray photoelectron spectroscopy. The doping effect of Ni NPs onto graphene films was verified by Raman spectroscopy and electrical transport measurements.
Rayon 분리막에 poly(ethylene oxide) (PEO)를 코팅하고 potassium polyacrylate (PAAK)-KOH 하이드로겔 전해질을 사용하여 기계적 강도 및 전기화학적 성질을 시험하였고, 이를 활성탄 수퍼커패시터에 적용하여 커패시터 특성을 조사하였다. PEO 코팅량의 증가에 따라 기계적 강도는 증가하였으며, PEO 함량을 5 wt.% 이하로 유지하면 이온전도도가 $10^{-2}S\;cm^{-1}$ 이상을 유지하여 실제 커패시터에의 활용이 가능하였다. 결과적으로 Rayon/PEO 분리막과 PAAK/KOH 전해질을 적용한 활성탄 수퍼커패시터는 $1000mV\;s^{-1}$의 높은 스캔속도에서도 비축적용량이 1000 사이클까지 안정하게 나타나는데, 이는 PEO 코팅이 Rayon의 장섬유 필라멘트간 엉킴점을 고정시켜 고출력 안정성을 얻을 수 있기 때문이다.
To achieve the fabrication of high-quality Ag-coated Cu particles through a wet chemical process, we reported herein pretreatment conditions using an ammonium-based mixed solvent for the removal of a $Cu_2O$ layer on Cu particles that were oxidized in air for 1 hr at $200^{\circ}C$ or for 3 days at room temperature. Furthermore, we discussed the results of post-Ag plating with respect to removal level of the oxide layer. X-ray diffraction results revealed that the removal rate of the oxide layer is directly proportional to the concentration of the pretreatment solvent. With the results of Auger electron spectroscopy using oxidized Cu plates, the concentrations required to completely remove 50-nm-thick and 2-nm-thick oxides within 5 min were determined to be X2.5 and X0.13. However, the optimal concentrations in an actual Ag plating process using Cu powder increased to X0.4 and X0.5, respectively, because the oxidation in powder may be accelerated and the complete removal of oxide should be tuned to the thickest oxide layer among all the particles. Back-scattered electron images showed the formation of pure fine Ag particles instead of a uniform and smooth Ag coating in the Ag plating performed after incomplete removal of the oxide layer, indicating that the remaining oxide layer obstructs heterogeneous nucleation and plating by reduced Ag atoms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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