• Title/Summary/Keyword: Rf magnetron sputtering

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The effect of $O_2$ flow rate on die characteristics of ATO Thin Films by RF Magnetron Sputtering (RF Magnetron Sputtering을 이용한 ATO 박막의 산소 유량에 따른 특성 변화)

  • Kyeon, Dong-Min;Lee, Sung-Uk;Park, Mi-Ju;Kim, Young-Ryeol;Choi, Won-Seok;Hong, Byung-You
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.336-337
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    • 2007

  • 현재 투명전극의 재료로 ITO, ZnO, $SnO_2$등의 재료가 주로 이용되며, 낮은 저항률을 장점으로 가지는 ITO 박막이 가장 널리 이용되고 있으나, 가격이 비싸다는 단점을 가지고 있다. 이 밖에도 ITO 박막보다 가격이 저렴한 ZnO박막에 대한 연구가 많이 진행되고 있으나, 고온에서의 열적 불안정성 등의 문제로 상용화되지는 못하고 있다. 그러나 $SnO_2$ 박막은 ITO와 ZnO 박막보다 저항률이 다소 높지만, 우수한 열적, 화학적 안정성과 저렴한 가격으로 ITO 박막을 대체할 투명전도막 재료로 주목받고 있다. 본 연구에서는 $SnO_2$박막의 저항률 향상을 위하여 ATO(Antimony doped Tin Oxide) 박막을 RF Magnetron Sputtering 법으로 Coming glass위에 증착하였으며, 박막 증착시 산소 유량의 변화가 ATO 박막의 구조적, 전기적 그리고 광학적 특성에 미치는 효과를 연구하였다. 본 실험에서는 동작압력을 10 mTorr, RF power를 250W로 고정하고 $O_2$ 유량을 부분적으로 변화시키면서 증착되어진 ATO 박막을 분석한 결과 Ar:$O_2$의 비가 90:10일 때 최적의 가스비율로써 우수한 구조적, 전기적 그리고 광학적 특성을 보임을 확인하였다.

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Structural, Optical, and Electrical Properties of Sputtered Al doped ZnO Thin Film Under Various RF Powers (RF 파워에 따라 스퍼터된 Al doped ZnO 박막의 구조적, 광학적, 전기적 특성)

  • Kim, Jong-Wook;Kim, Deok-Kyu;Kim, Hong-Bae
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.24 no.3
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    • pp.177-181
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    • 2011

  • We have studied structural, optical, and electrical properties of the Al-doped ZnO (AZO) thin films being usable in transparent conducting oxides. The AZO thin films were deposited on the corning 1737 glass plate by the RF magnetron sputtering system. To find optimal properties of AZO for transparent conducting oxides, the RF power in sputtering process was varied as 40 W, 60 W, and 80 W, respectively. As RF power increased, the crystallinity of AZO thin film was decreased, the optical bandgap of AZO thin film increased. The transmittance of the film was over 80% in the visible light range regardless of the changes in RF power. The measurement of Hall effect characterizes the whole thin film as n-type, and the electrical property was improved with increasing RF power. The structural, optical, and electrical properties of the AZO thin films were affected by Al dopant content in AZO thin film.

  • https://doi.org/10.4313/JKEM.2011.24.3.177 인용 PDF KSCI

Rf-magnetron Sputtering방법으로 증착한 $Ba_{0.7}Sr_{0.3}TiO_3$ 박막의 전기적 특성 평가

  • Lee, Seung-Hun;Lee, Hui-Cheol;Kim, Ho-Gi
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 1995.11a
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    • pp.355-357
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    • 1995

  • Pt(80nm)/$SiO_2$(150nm)/Si 기판위에 $Ba_{0.7}Sr_{0.3}TiO_3$ 박막을 rf-magnetron Sputtering 방법을 이용하여 기판온도 590$^{\circ}C$에서 33nm 두께를 증착했을 때 비유전율은 268 이었다. 비유전율이 3.9인 $SiO_2$와 비교했을 때 유효 두께인 Tox는 0.45nm 이었다. 누설 전류 밀도는 1.5V 전압을 인가했을 때 $4.21\times10^{-7}A/cm^2$이었다.

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