Kim, Young-Su;Jo, Sung-Eun;Lee, Young-Kow;Kim, Sang-Woo
Proceedings of the KIEE Conference
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2004.11c
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pp.608-610
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2004
In continuous annealing line (CAL), POSCO, the center position control (CPC) is an essential technique that renders the steel-strip to pass at the center of a roll in order to prevent the strip from skewing or breaking. The CPC algorithm currently installed on the steering roll in the heating section of CAL is to control the strip position by using the reverse phase of error from the center position, without considering the dynamics of strip horizontal movement. Such algorithm may, unfortunately, require a manual operation occasionally when the range of strip input becomes wide, causing the dynamics 0 be dominant. Other PID-type control is rarely used in automatic operation because the excess of response may occur when the discontinuous points such as welding joints pass through rolls. In this paper, we identify the CPC system by using off-line data and design a compensator for the excessive dynamics by using the adaptive inverse control. Simulation result depicts the improved reliability of the proposed CPC system.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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1997.04a
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pp.630-634
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1997
In this paper,we will discuss in the forming process design of the making engine pulleys for automobiles. These pulleys are required to be made by precision deep drawing process because these are to be combined with bearings and engine timing belts. These pulleys are used of cold rolled steel plates starting with the initial blanking size of 115.2mm and the initial thickness of 1.2mm. Our deep drawing process is designed the continuous 5-steps process, that is, 1'st deep drawing, 2'nd reverse redrawing, 3'rd trimming, 4'th drawing-ironing and 5'yh piercing. This process need no in-process annealing.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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1996.11a
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pp.943-948
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1996
In this paper. we will discuss in making large size cylindrical shells with multithickness wall sections such as straight, stepped, tapered sides. These shells are constructed of type 6061 O temper aluminum starting with a blanking size of 877 mm plate. Its diameter to length ratio of 1 to 2.78 and a 36.7% wall reduction is achieved by our continuous deep drawing process. This process required no in-process annealing. But after cold working, these shells is performed heat treatment to T6 condition. These shells are used for the making of seamless LPG pressure vessels after the spinning process. This process is composed of deep drawing, reverse redrawing, drawing-ironing and several ironing processes. In the verification of forming process design, we used DEFORM code.
In this paper, we demonstrated an analytical description method of forward voltage drop and reverse voltage of $P^{+}N$ junction diode with <111> oriented antimony doped silicon wafer 60keV boron implantation computer simulation results. In order to make electrical activation of implanted carriers, thermal annealing are carried out by RTP method for 1min at $1000^{\circ}C$ inert gas condition.
A reverse transcription polymerase chain reaction (RT-PCR) protocol was developed using two specific 22-mer primers located in coat protein gene of SPFMV. A 411 bp PCR-product was detected in virus infected plants as well as tissue culture raised sweet potato but not in healthy plants. For optimization of RT-PCR protocol, the optimum crude nucleic acid concentration, annealing temperature, primer concentration and numbers of PCR-cycle for maximum sensitivity and specificity were determined. The optimum condition for RT-PCR was as follows: RT-PCR reaction mixture was one-step mixture, containing 50 pmol of primer, 30 units of reverse transcriptase, 5 units of RNasin, and the crude nucleic acid extracts (200 ng). In RT-PCR, cDNA was synthesized at $42^{\circ}C$ for 45 min before a quick incubation on ice after pre-denaturation at $95^{\circ}C$ for 5 min. The PCR reaction was carried out for 40 cycles at $96^{\circ}C$ for 30 see, $63^{\circ}C$ for 30 sec, $72^{\circ}C$ for 1 min, and finally at $72^{\circ}C$ for 10 min. The viral origin of the amplified product was confirmed by sequencing, with the sequence obtained having $95-98\%$ homology with published sequence data for SPFMV. The benefits of this RT-PCR based detection of SPFMV would be simple, rapid and specific.
A service network design model for LTL freight transportation is formulated as a mixed integer Programming Problem with two heuristic solution a1gorithms. The Proposed model derives the transportation Path for each origination-destination pair, taking into account transportation cost over the links and handling costs over the nodes. The first algorithm searches for a local minimum solution from a given initial solution by improving the quality of solution repeatedly while the second a1gorithm searches for a better solution using Simulated Annealing Method. For both solution algorithms, the initial solution is derived by a modified reverse Diikstras shortest Path a1gorithm. An illustrative example, Presented in the last part of the Paper, shows that the proposed algorithms find solutions which reduce the cost by 12% and 15% respectively, compared to the initial solution.
In the present study, methods of the reverse transcription-polymerase chain reaction(RT-PCR) were evaluated for the rapid detection and differentiation of transmissible gastroenteritis virus(TGEV), porcine epidemic diarrhea virus(PEDV) and rotavirus in piglets suffering from diarrhea. For the purposes, the PCR conditions were first confirmed for the amplification of VP7 gene of rotavirus and N gene of TGEV and PEDV using each specific primers and their annealing temperature. Multiplex RT-PCR methods were further determined to distinguish these viral infections and the results are as follows. For the specific amplification of these viral genes, the reliable PCR condition was determined as 30 cycles of reaction consisting each 1 min of denature at $94^{\circ}C$, annealing at $42^{\circ}C$ and polymerization at $72^{\circ}C$ with 1.0 mM $MgCl_2$. It was able to differentiate these viral infections in the intestines and feces of piglets suffering from diarrhea by duplex PCR for TGEV and PEDV and single PCR for rotavirus with a primer-annealing temperature of $42^{\circ}C$. When the multiplex RT-PCR were undertaken for the field samples, 17 cases of PEDV and 5 cases of rotavirus infections were differential diagnosed in a total of 92 samples of intestines and feces of the piglets with diarrhea.
Semi-supervised learning uses both labeled data and unlabeled data. Recently consistency regularization is very popular in semi-supervised learning. Unsupervised data augmentation (UDA) that uses unlabeled data augmentation is also based on the consistency regularization. The Kullback-Leibler divergence is used for the loss of unlabeled data and cross-entropy for the loss of labeled data through UDA learning. UDA uses techniques such as training signal annealing (TSA) and confidence-based masking to promote performance. In this study, we propose to use Jensen-Shannon divergence instead of Kullback-Leibler divergence, reverse-TSA and not to use confidence-based masking for performance improvement. Through experiment, we show that the proposed technique yields better performance than those of UDA.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.1
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pp.13-20
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2000
In this paper, we demonstrated an analytical description method of forward votage drop and reverse leakage current of the junction barrier controlled schottky rectifier with linearly graded junction and abrupt junction models. In this case, the vertical depths of device are 1[${\mu}{\textrm}{m}$] and 2[${\mu}{\textrm}{m}$], respectively. Through ion implantation and annealing process, we obtain the data of lateral and depth from implanted 2-dimensional profiles. Also we applied these data to models that indicate the change of depletion each on linearly-graded and abrupt juction as the forward and revers bias. After applied depletion changes to electric characteristics of JBS rectifiers, we calculated the forward I-V, the reverse leakage current and temperatures vs. power dissipations according to each junction. When we compared the rectifier with calculated and measured data, from the calculated results, forward votage drop with linearly graded junction is lower than that of abrupt junction and reverse leakage current with linearly graded junction is lower(≒1$\times$10\ulcorner times) than that of abrupt junction. Also, the power dissipations according to different juction depth(1[${\mu}{\textrm}{m}$], 2[${\mu}{\textrm}{m}$]) of device are calculated. Seeing the calculated results, we confirmed it from analytic model that the rectifier with linearly graded junction retained a low power dissipation up to 600[$^{\circ}C$] in comparison with the rectifier with abrupt junction.
Kim, Jone Soo;Moon, Sun Hong;Yang, Yong Ho;Kang, Sung Mo;Ahn, Byung Tae
Korean Journal of Materials Research
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v.24
no.9
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pp.443-450
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2014
Amorphous (a-Si) films were epitaxially crystallized on a very thin large-grained poly-Si seed layer by a silicide-enhanced rapid thermal annealing (SERTA) process. The poly-Si seed layer contained a small amount of nickel silicide which can enhance crystallization of the upper layer of the a-Si film at lower temperature. A 5-nm thick poly-Si seed layer was then prepared by the crystallization of an a-Si film using the vapor-induced crystallization process in a $NiCl_2$ environment. After removing surface oxide on the seed layer, a 45-nm thick a-Si film was deposited on the poly-Si seed layer by hot-wire chemical vapor deposition at $200^{\circ}C$. The epitaxial crystallization of the top a-Si layer was performed by the rapid thermal annealing (RTA) process at $730^{\circ}C$ for 5 min in Ar as an ambient atmosphere. Considering the needle-like grains as well as the crystallization temperature of the top layer as produced by the SERTA process, it was thought that the top a-Si layer was epitaxially crystallized with the help of $NiSi_2$ precipitates that originated from the poly-Si seed layer. The crystallinity of the SERTA processed poly-Si thin films was better than the other crystallization process, due to the high-temperature RTA process. The Ni concentration in the poly-Si film fabricated by the SERTA process was reduced to $1{\times}10^{18}cm^{-3}$. The maximum field-effect mobility and substrate swing of the p-channel poly-Si thin-film transistors (TFTs) using the poly-Si film prepared by the SERTA process were $85cm^2/V{\cdot}s$ and 1.23 V/decade at $V_{ds}=-3V$, respectively. The off current was little increased under reverse bias from $1.0{\times}10^{-11}$ A. Our results showed that the SERTA process is a promising technology for high quality poly-Si film, which enables the fabrication of high mobility TFTs. In addition, it is expected that poly-Si TFTs with low leakage current can be fabricated with more precise experiments.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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