• 한국결정성장학회지
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• 제31권6호
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• pp.276-281
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• 2021

반도체 회로를 제조하기 위해서 에칭, 세척, 증착 등의 공정들이 반복적으로 진행된다. 따라서 이러한 공정이 진행되면 진공장비 내부는 부식성이 높은 가혹한 플라즈마 환경에 노출되게 된다. 따라서 반도체 공정 장비의 내부를 플라즈마 노출에 강한 재료를 사용하여 코팅층의 에칭과 오염 입자의 생성을 최소화하여야 한다. 본 연구에서는 고상합성법에 의해 Y₂O₃와 YF₃ 분말을 원료물질로 옥시불화이트륨(YOF)를 성공적으로 합성하였다. Y₂O₃와 YF₃ 분말의 혼합비율은 1.0:1.0에서 1.0:1.6까지 조절하였으며, 혼합비율이 합성된 YOF 분말의 결정구조와 미세구조에 미치는 영향을 XRD와 FE-SEM으로 조사하였다. 합성된 YOF 분말을 이용하여 알루미늄 기판에 플라즈마 스프레이법으로 성공적으로 코팅하였다.

• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제11권11호
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• pp.395-402
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• 2022

개인정보 보호법 위반 시 법률 기준에 따라 행정처분을 하고 공표기준에 부합할 경우 이에 대한 결과를 공표하게 된다. 그러나 현재의 방식은 개인정보 보호법의 공표제도에 따라 공표함에도 불구하고 반복적인 행정처분이 증가하고 있어 그 실효성의 한계를 지니고 있다. 본 논문에서는 개인정보 보호법 위반에 따른 행정처분 결과 분석을 통해 기존 공표제도 방식을 강화할 수 있는 위반행위자가 대중의 정보 접근성이 좋은 방식으로 스스로 위반 사실을 공표하게 하는 '공표명령권' 도입에 대한 연구를 수행한다. 이를 위하여 본 논문에서는 기존 방송통신위원회와 행정안전부가 공표한 자료뿐만 아니라, 개인정보보호위원회가 국무총리 산하 중앙행정기관으로 출범한 이후 개인정보보호법 위반으로 인한 행정처분 결과 공표자료를 분석하였다. 또한 공표 대상 산업분야와 위반 법률 조문을 통해 주요 산업분야와 위반 법률 조문을 분석하였으며 개인정보 보호법 공표명령권 도입을 위한 타 법률 사례를 분석하고, 행정청이 공표하는 현행 방식 대신 위반행위자가 '시정조치를 받은 사실에 대한 공표'를 스스로 공표하게 하는 '공표명령권' 시행을 위한 법률적 근거를 제안한다.

• 한국결정성장학회지
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• 제33권4호
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• pp.153-157
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• 2023

반도체 회로를 제조하기 위해서 에칭, 세척, 증착 등의 공정들이 반복적으로 진행된다. 따라서 이러한 공정이 진행되면 진공장비 내부는 부식성이 높은 가혹한 플라즈마 환경에 노출되게 된다. 따라서 반도체 공정 장비의 내부를 플라즈마 노출에 강한 재료를 사용하여 코팅층의 에칭과 오염 입자의 생성을 최소화하여야 한다. 본 연구에서는 고상합성법에 의해 합성된 옥시불화이트륨 (YOF)를 이용한 증착층의 플라즈마 식각 특성을 향상시키기 위하여 YOF 분말에 AlF₃ 분말을 혼합하여 플라즈마 스프레이 공정으로 Al 금속위에 증착시키고 그 특성을 분석하였다. AlF₃ 혼합비율의 증가에 따른 증착층의 결정구조, 미세구조 및 화학조성 변화를 조사하고 증착된 코팅층의 플라즈마 식각율을 측정하여 AlF₃ 혼합비율과의 상관관계를 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권4호
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• pp.427-432
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• 2024

The polymer crystallization process, promoting the formation of ferroelectric β-phase, is essential for developing polyvinylidene fluoride (PVDF)-based high-performance piezoelectric energy harvesters. However, traditional high-temperature annealing is unsuitable for the manufacture of flexible piezoelectric devices due to the thermal damage to plastic components that occurs during the long processing times. In this study, we investigated the feasibility of introducing a flash lamp annealing that can rapidly induce the β-phase in the PVDF layer while avoiding device damage through selective heating. The flash light-irradiated PVDF films achieved a maximum β-phase content of 76.52% under an applied voltage of 300 V and an on-time of 1.5 ms, a higher fraction than that obtained through thermal annealing. The PVDF-based piezoelectric energy harvester with the optimized irradiation condition generates a stable output voltage of 0.23 V and a current of 102 nA under repeated bendings. These results demonstrate that flash lamp annealing can be an effective process for realizing the mass production of PVDF-based flexible electronics.

• 대한약침학회지
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• 제27권1호
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• pp.27-37
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• 2024

Objectives: Posttraumatic stress disorder (PTSD) is a prevalent mental health condition, and techniques using sensory stimulation in processing traumatic memories have gained attention. The Emotional Freedom Techniques (EFT) is a psychotherapy that combines tapping on acupoints with exposure to cognitive reframing. This pilot study aimed to assess the feasibility of EFT as a treatment for PTSD by answering the following research questions: 1) What is the compliance and completion rate of patients with PTSD with regard to EFT protocol? Is the dropout rate reasonable? 2) Is the effect size of EFT protocol for PTSD sufficient to justify a future trial? Methods: Thirty participants diagnosed with PTSD were recruited. They received weekly EFT sessions for five weeks, in which they repeated a statement acknowledging the problem and accepting themselves while tapping the SI3 acupoint on the side of their hand. PTSD symptoms were evaluated using the PTSD Checklist for DSM-5 (PCL-5) before and after the intervention. Results: Of the 30 PTSD patients (mean age: 34.1 ± 9.1, 80% female), 96.7% showed over 80% compliance to the EFT sessions, and 86.7% completed the entire study process. The mean PCL-5 total score decreased significantly after the intervention, with a large effect size (change from baseline: -14.33 [95% CI: -19.79, -8.86], p < 0.0001, d = 1.06). Conclusion: The study suggests that EFT is a feasible treatment for PTSD, with high session compliance and low dropout rates. The effect size observed in this study supports the need for a larger trial in the future to further investigate EFT as a treatment for PTSD. However, the lack of a control group and the use of a self-rated questionnaire for PTSD symptoms are limitations of this study. The findings of this pilot study can be used to plan a future trial.

• 지능정보연구
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• 제21권2호
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• pp.151-171
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• 2015

본 연구는 최근 가장 큰 이슈로 떠오르는 "사물인터넷(IoT: Internet of Things)"의 개념과 국내 외 IoT 시장에 대한 현황을 고찰하였으며, IoT 시대의 도래로 인해 유발되는 패러다임 전환 발생에 따른 기업측면의 적절한 대응방안에 대한 해결책을 도출하였다. 따라서 본 연구는 티핑포인트(Tipping point)에 있는 IoT 경쟁 시대에 적절하게 대응하기 위한 기업의 경영전략을 '패러다임 전환(paradigm shift)'이라는 시각을 통해 대응 방안을 제시하였다. 특히, 과거의 경영 패러다임과 IoT 시대의 경영 패러다임을 비교 분석하여 i)지식 및 학습 주도 경영, ii)기술 및 혁신 중심 경영, iii)수요 창출 경영, iv)글로벌 협업 경영으로 새롭게 패러다임 전환(Paradigm Shift)이 발생할 것으로 예측 및 제안하였고, 이러한 패러다임의 전환에 대응하기 위한 기업측면의 경영전략 프로세스 모델을 구축하기 위해 Gartner가 제시한 'RTE Cyclone model'을 활용하였다. '실시간 기업(RTE)' 이라는 개념은 급변하는 IoT 시대에 기업측면의 경영 전략 프로세스로 활용가치가 있다고 판단되며, 본 연구에서 적절히 응용하여 'IoT-RTE Cyclone model'을 제안하였다. 특히, 제안한 모델은 기업의 민첩성을 강조하고 IT 및 IoT 기술을 통한 실시간 모니터링, 분석, 실행을 기본으로 하며, 기업의 경영 프로세스 각 부문을 통합시켜 기업의 전반적인 서비스를 지원하기 때문에 빠르게 변화하는 IoT 시대에서 영위하는 기업측면에서의 효과적인 대응전략으로 활용할 수 있다.

• Asia Marketing Journal
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• 제13권4호
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• pp.55-76
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• 2012

사람들이 돈을 지불하지 않고 무료로 얻을 수 있는 공짜제품을 과다하게 선호하는 현상을 '공짜효과'라 한다. 기존 연구들에 의하면 공짜제품에 주어지는 특별한 가치 때문에 이와 같은 효과가 발생한다. 본 연구는 공짜효과가 항상 나타나는 것이 아니라 심리적 변수에 의하여 조절될 수 있다는 것을 보이기 위하여 자아조절자원과 해석수준의 조절효과를 살펴보았다. 자아조절자원이 고갈되면 통제의 힘이 약해져서 가격에 대한 민감도가 감소할 뿐만 아니라 직관적이고 노력을 별로 기울이지 않는 정보처리과정을 통해 의사결정을 수행한다. 또한, 주어진 정보를 어떤 해석수준에서 처리하는가에 따라 선택이 달라진다. 고차원 해석수준에서 중심기능을 바탕으로 대안의 바람직성에 따라서 선택하는 반면, 저차원 해석수준에서 부가기능을 바탕으로 대안의 실행가능성에 초점을 두어 선택한다. 이와 같은 특성이 공짜효과의 크기에 미치는 영향을 살펴보는 것이 본 연구의 가장 중요한 목적이다. 자아조절자원과 해석수준에 의해서 공짜효과의 크기가 조절될 수 있다는 사실을 검증하기 위해 2개의 실험설계를 채용하였다. 두 실험 모두에서 기존연구에서 사용한 실험재(키세스와 페레로로쉐 초콜릿)를 이용했다. 실험 1은 자아조절자원 고갈 여부가 공짜효과에 미치는 영향을 검증했다. 자아조절자원 고갈과 비고갈 집단으로 나누어 공짜대안이 있는 선택과업과 그렇지 않은 과업에 할당했다. 자아조절자원이 고갈되지 않은 집단에서 공짜효과가 확실하지만, 자아조절자원이 고갈된 집단에서 공짜효과가 약해진다는 것을 밝혔다. 실험 2는 해석수준이 공짜효과에 미치는 영향을 검증했다. 실험 2는 '왜(why)'와 '어떻게(how)'를 이용해 해석수준을 조작했으며, 실험 1과 유사하게 공짜대안이 존재하는 의사결정과업과 존재하지 않는 과업에 할당한 뒤 공짜대안 선택에 미치는 영향을 확인하였다. 고차원 해석수준의 집단은 저차원 해석수준의 집단에 비하여 공짜제품 선택비율이 낮았다.

• 인지과학
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• 제12권3호
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• pp.29-46
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• 2001

본 연구에서는 선형적 삼단 논법에서 결론의 생성이 두 전제에서 공통되는 항목인 중간 항목에 대한 처리를 매개로 이루어짐을 보이고자 하였다. 실험 1에서는 Clark(1969a)의 언어설과 조명한과 김청택(1988)의 언어 이해설을 대비시켜, 두 전제에서 질문과 합치하도록 말단 항목을 표상하는 것이 문제 풀이에 더 중요한지 아니면 두 전제에서 중간 항목을 표상하는 것이 더 중요한지를 살펴보았다. 이를 위해 두 전제 각각에 질문을 하여 두 전제에서 모두 중간 항목이 답이 되거나 또는 말단 항목이 답이 되도록 하였다. 질문에 의해 중간 항목의 부호화가 용이하였던 중간 항목 표상 조건이 말단 항목의 부호화가 용이하였던 말단 항목 표상 조건보다 문제 풀이가 더 빨라 중간 항목의 처리가 문제 풀이에 더 중요함을 보여주었다. 실험 2에서는 중간 항목을 통해 전제간에 공통 참조적 연결을 이루는 것만으로 전제가 통합될 수 있는지 아니면 중간 항목에 대한 상대적 위치 정보가 부가적으로 더 처리되어야 하는지를 살펴보았다. 이를 위해 두 번째 전제의 중간 항목을 대명사화 하여 중간 항목의 확인을 어렵게 만든 후, 중간 항목이 누구를 가리키는지를 직접 알려준 조건과 중간 항목의 상대적 위치를 알려준 조건의 수행을 비교하였다. 중간 항목의 상대적 위치를 알려준 경우의 수행이 더 우수하였는데, 이는 중간 항목의 상대적 위치 정보가 처리되는 것이 문제 풀이에 중요하다는것을 나타낸다. 실험 1과 실험 2의 결과는 삼어 서열 문제에서 두 전제의 통합은 중간 항목을 중심으로, 이루어지며 이때 중간 항목은 두 전제간의 공통 참조적 연결을 가능하게 할 뿐만 아니라 말단 항목 대한 상대적 위치를 나타내어 중간 항목을 중심으로 말단 항목의 위치가 계산될 수 있도록 하는 역할을 수행함을 보여주었다.핵형이 생성된다. 이러한 기전에 의해서 만들어진 새로운 완전한 배우체들은 동일한 형태의 배우자와 수정되므로써 새로운 상동염색체를 가진 종 L. dorsalis, L. leucopus, L. ruficaudatus, L. edwardsi가 형성되었다 이 결과들은 유전적으로 완전한 새로운 종이 교잡종의 군집으로부터 활성화된 염색체들의 융합, 접합기에서 환형으로의 배열 기전을 통해 형성될 수 있다는 이론을 뒷받침한다.aritoxin으로 보고한 ST-1은 ciguatoxin의 형태인 less polar cigutoxin (LPCTX) 으로 생각된다.에서 각각 대조구의 57, 413 및 315% 증진되었다. 거품의 열안정성은 15분 whipping시, pH 4.0(대조구, 30.2%) 및 5.0(대조구, 23.7%)에서 각각 $0{\sim}38.0$ 및 $0{\sim}57.0%$이었고 pH 7.0(대조구, 39.6%) 및 8.0(대조구, 43.6%)에서 각각 $0{\sim}59.4$ 및 $36.6{\sim}58.4%$이었으며 sodium alginate 첨가시가 가장 양호하였다. 전체적으로 보아 거품안정성이 높은 것은 열안정성도 높은 경향이며, 표면장력이 낮으면 거품형성능이 높아지고, 비점도가 높으면 거품안정성 및 열안정성이 높아지는 경향이 있었다.protocol.eractions between application agents that are developed using different languages. Dynamic agent invocation is accomplished by Java Native Interface(JNI) that links two heterogeneous methods,

• 대한소아치과학회지
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• 제37권1호
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• pp.1-12
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• 2010

본 연구는 항우식 제품인 Casein phosphopeptide-amorphous calcium phosphate(CPP-ACP)를 포함하는 치아크림, 불소 바니쉬, 저농도 불소 양치액을 치아에 도포하는 것이 단시간 탄산음료에 의한 법랑질의 침식을 예방할 수 있는지 살펴보기 위해 계획되었다. 법랑질 시편에 다음과 같은 항우식 제품을 도포하였고, 인공타액에 24시간 보관한 후, 콜라에 1분 증류수에 1분씩 5회 번갈아 처리하였다. 1군: 대조군(무처치) 2군: CPP-ACP 치아크림군 3군: 불소 바니쉬군(1,000 ppm F) 4군: 저농도 불소 양치액군(227 ppm F) 5군: 불소 바니쉬 + CPP-ACP 치아크림군 6군: 저농도 불소 양치액 + CPP-ACP 치아크림군 미세경도와 침식깊이를 측정하였고, Quantitative light-induced fluorescence(QLF)를 이용하여 안정된 형광 격자에 대한 부피 형광 변화인 ${\Delta}Q$를 측정하여 무기질 감소량을 평가하였다. 6일 동안 실험을 반복하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 미세경도는 1군$\leq$2군$\leq$4군<6군<3군$\fallingdotseq$5군 순이었다. 2. 평균 침식깊이는 5군$\fallingdotseq$3군<6군<4군$\fallingdotseq$2군$\fallingdotseq$1군 순이었다. 3. ${\Delta}Q$는 1군$\fallingdotseq$2군$\leq$4군$\leq$6군$\leq$3군$\fallingdotseq$5군 순이었다. ${\Delta}Q$의 감소율은 1군과 2군, 4군과 6군, 3군과 5군이 각각 유사하였다. 4. ${\Delta}Q$는 미세경도와 강한 양의 상관관계를 나타냈고(r=0.96, p<0.05), 침식깊이와는 강한 음의 상관관계를 보였다(r=-0.96, p<0.05).

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2000년도 추계학술발표회 초록집
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• pp.3-4
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• 2000

Many researchers are interested in the synthesis and characterization of carbon nitride and diamond-like carbon (DLq because they show excellent mechanical properties such as low friction and high wear resistance and excellent electrical properties such as controllable electical resistivity and good field electron emission. We have deposited amorphous carbon nitride (a-C:N) thin films and DLC thin films by shielded arc ion plating (SAIP) and evaluated the structural and tribological properties. The application of appropriate negative bias on substrates is effective to increase the film hardness and wear resistance. This paper reports on the deposition and tribological OLC films in relation to the substrate bias voltage (Vs). films are compared with those of the OLC films. A high purity sintered graphite target was mounted on a cathode as a carbon source. Nitrogen or argon was introduced into a deposition chamber through each mass flow controller. After the initiation of an arc plasma at 60 A and 1 Pa, the target surface was heated and evaporated by the plasma. Carbon atoms and clusters evaporated from the target were ionized partially and reacted with activated nitrogen species, and a carbon nitride film was deposited onto a Si (100) substrate when we used nitrogen as a reactant gas. The surface of the growing film also reacted with activated nitrogen species. Carbon macropartic1es (0.1 -100 maicro-m) evaporated from the target at the same time were not ionized and did not react fully with nitrogen species. These macroparticles interfered with the formation of the carbon nitride film. Therefore we set a shielding plate made of stainless steel between the target and the substrate to trap the macropartic1es. This shielding method is very effective to prepare smooth a-CN films. We, therefore, call this method "shielded arc ion plating (SAIP)". For the deposition of DLC films we used argon instead of nitrogen. Films of about 150 nm in thickness were deposited onto Si substrates. Their structures, chemical compositions and chemical bonding states were analyzed by using X-ray diffraction, Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy and infrared spectroscopy. Hardness of the films was measured with a nanointender interfaced with an atomic force microscope (AFM). A Berkovich-type diamond tip whose radius was less than 100 nm was used for the measurement. A force-displacement curve of each film was measured at a peak load force of 250 maicro-N. Load, hold and unload times for each indentation were 2.5, 0 and 2.5 s, respectively. Hardness of each film was determined from five force-displacement curves. Wear resistance of the films was analyzed as follows. First, each film surface was scanned with the diamond tip at a constant load force of 20 maicro-N. The tip scanning was repeated 30 times in a 1 urn-square region with 512 lines at a scanning rate of 2 um/ s. After this tip-scanning, the film surface was observed in the AFM mode at a constant force of 5 maicro-N with the same Berkovich-type tip. The hardness of a-CN films was less dependent on Vs. The hardness of the film deposited at Vs=O V in a nitrogen plasma was about 10 GPa and almost similar to that of Si. It slightly increased to 12 - 15 GPa when a bias voltage of -100 - -500 V was applied to the substrate with showing its maximum at Vs=-300 V. The film deposited at Vs=O V was least wear resistant which was consistent with its lowest hardness. The biased films became more wear resistant. Particularly the film deposited at Vs=-300 V showed remarkable wear resistance. Its wear depth was too shallow to be measured with AFM. On the other hand, the DLC film, deposited at Vs=-l00 V in an argon plasma, whose hardness was 35 GPa was obviously worn under the same wear test conditions. The a-C:N films show higher wear resistance than DLC films and are useful for wear resistant coatings on various mechanical and electronic parts.nic parts.