보호, 여과 및 배수, 차수기능을 가진 부직포 지오텍스타일과 지오멤브레인의 응력완화거동을 각각 분석하였다. '전이현상 평형이론'이 이들 토목합성재료의 응력완화거동 해석에 적용되었다. 응력완화거동의 초기 및 후기완화시간을 구성방정식으로 부터 구하였다. 초기완화거동은 부가변형률에 좌우되며, 온도에 따라 빨라짐을 알 수 있었다. 끝으로, 이들 토목합성재료의 초기 및 후기완화시간은 부가변형률 및 온도에 따라 짧아졌다.
A new load/displacement parameter method is developed for the cases that loads are applied to one or more points, and displacements of a structure are controlled at one or more points sinultaneously. The procedure exploits a generalized Riks method, which utilizes load/displacement parameters as scaling factors in order to analyze the post-buckling phenomena including snap-through or snap-back. A convergence characteristic is improved by employing new relaxation factors in incremental displacement parameter, particularly at the region where exhibits severe numerical instability. The improved performance is illustrated by means of numerical example.
The relaxation phenomena of ionic currents through the charged membrane under the constant applied potentials has been studied. The formulation was obtained for the non stationary current by assuming that the ion mobility is independent of concentration and the potential gradient is a constant within membrane, and it was applied to the experimental results with the sulfonated polystyrene collodion base membrane. It has been shown that the initial ion distributions in the membrane play a predominant role in the relaxation phenomena.
A new load/displacement parameter method is proposed for the simultaneous control of applied loads and structural displacements at one or more points. The procedure is based on a generalized Riks' method, which utilizes load/displacement parameters as scaling factors to analyze post-buckling phenomena including snap-through or snap-back. The convergence characteristics are improved by employing new relaxation factors through an incremental displacement parameter, particularly in a region that exhibits severe numerical instability. The improved performance is illustrated by means of a numerical example.
The threshold voltage shift in thin-film transistors (TFTs) is modeled using stretched-exponential (SE) and stretched-hyperbola (SH) functions. These models are derived by introducing empirical parameters into reaction rate equations that describe defect generation or charge trapping caused by hydrogen diffusion in the dielectric or interface. Separately, the dielectric relaxation phenomena are also described by the same reaction rate equations based on defect diffusion. Dielectric relaxation was initially modeled using the SE model, and various models have been proposed using fractional calculus. In this study, the characteristics of the threshold voltage shift and the dielectric relaxation phenomena are compared and analyzed to explore the applicability of analytical models used in the field of dielectric relaxation, in addition to the conventional SE and SH models.
The frequency dependence of complex permeability for various NiCuZn ferrites was investigated. The variation of complex permeability for NiCuZn ferrites can be presented as a form of a semi-circle, so called the Cole-Cole plot, and the relaxation phenomena were explained with various shapes of the plots. The relaxation time $\Upsilon$ was calculated from $f_rx$, which is a relaxation frequency at ${\mu"}_{max}$. Relations between anisotropy field $H_A$ and relaxation time $\Upsilon$, initial permeability $\mu_i$ and $H_A$ were plotted to identify the frequency dependence of complex permeability.lity.
This paper studies mechanical behavior of the superelastic shape memory alloy (SMA) rods in terms of local deformations and time via tensile loading-unloading cycles for both ends fixed end constraints. Besides the unique stress induced martensitic transformation (SIMT), SMA's time dependent behavior when it is in mixed-phase condition upon loading and unloading, also need careful attention with a view of investigating the local deformation of the structural elements made of the same material. With this perspective, the so-called stress-relaxation tests have been performed to demonstrate and investigate the local strains-total strains relationships with time, particularly, during the forward SIMT. Some remarkable phenomena have been observed pertaining to SIMT, which are absent in traditional materials and those unique phenomena have been explained qualitatively. For example, at the stopped loading conditions the two ends (fixed end and moving end of the tensile testing machine) were in fixed positions. So that there was no axial overall deformation of the specimen but some notable increase in the axial local deformation was shown by the extensometer placed at the middle of the SMA specimen. It should be noted that this peculiar behavior termed as 'inertia driven SIMT' occurs only when the loading was stopped at mixed phase condition. Besides this relaxation test for the SMA specimens, the same is performed for the mild steel (MS) specimens under similar test conditions. The MS specimens, however, show no unusual increase of local strains during the stress relaxation tests.
글라스(glass) 전이온도 이하에서 고체 중합체들의 역학적 분광학의 여러 현상들을 이론적으로 기술하는 데 적용된 線形 반응 이론을 제안하였다. 시료에 의한 에너지 분산을 어떤 시간 相關函數들로 나타내었다. Liouville 연산자를 Kirkwood의 확산식 연산자로 대치하면, 여기에서 시간은 결과로부터 다리결합을 한 중합체들의 에너지 상실과 완화에 대한 Kirkwood의 결과가 나옴을 보였다. 완화시간을 계산하는 방법을 보이기 위하여 상관함수들을 계산하는 근사법을 고찰하였다. 여기에서 제안한 이론과 저온에서 매달린 (pendant) 시클로헥실기들을 가진 고체 중합체들의 역학적 에너지 완화 현상을 기술하는 데 사용된 한 모형 이론과의 관련성을 찾아 보기 위해, 이 근사법을 써서 二重우물 퍼텐셜 모형을 고찰하였다.
The physical properties of DMPC monolayer were made for dielectric relaxation phenomena by the detection of the surface pressures and displacements current. Lipid thin films were deposited by accumulation and the current was measured after the electric bias across the manufactured MIM device. It is found that the phospolipid monolayer of dielectric relaxation takes a little time and depend on the molecular area. When electric bias is applied across the manufactured MIM device by the deposition condition of phospolipid mono-layer, it wasn't breakdown when the higher electric field to impress by increase of deposition layers.
This work presents a new strategy to model stress dependent relaxation process in large deformation. The strategy is relied on the fact that in some particular soft materials undergoing large deformation, e.g., elastomers, rubbers and soft tissues, the relaxation time depends strongly on stress levels. To simplify the viscoelastic model, we consider that the relaxation time is the function of previous elastic deviatoric stress state experienced by materials during loading. Using the General Maxwell Model (GMM), we simulate numerically conditions with the constant and the stress dependent relaxation time for uniaxial tension and compression loading. Hence, it can be shown that the proposed model herein not only can represent different relaxation time for different stress level but also maintain the capability of the GMM to model hysteresis phenomena.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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