• 정보처리학회논문지C
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• 제11C권6호
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• pp.815-820
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• 2004

인터넷의 고품질 서비스를 제공하기 위한 기술로 MPLS 트래픽 엔지니어링 기술이 대두되고 있다. MPLS 망에서 트래픽 엔지니어링은 서비스 품질을 보장할 수 있는 경로를 계산하고 MPLS 신호 프로토콜을 이용하여 망 자원을 예약하는 기능을 수행한다. MPLS 신호 프로토콜의 하나인 RSVP-TE 프로토콜은 플로우 기반으로 설정된 경로의 연결 상태 관리를 위해 주기적으로 Refresh 메시지를 송수신한다. 이러한 주기적인 메시지의 송수신은 프로토콜 메시지 처리 부하를 증가시키기 때문에 많은 수의 경로 설정 능력을 제한하는 문제점을 유발한다. 본 논문은 이러한 RSVP-TE 프로토콜의 Refresh 메시지의 부하를 줄이기 위하여 제시된 Refresh Reduction 기법의 영향에 대하여 분석한다. 또한, 확장성을 갖는 RSVP-TE 프로토콜을 구현하기 위해서 메시지 부하가 적은 기법을 제안한다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제20권2호
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• pp.179-185
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• 2020

DRAM은 메인 메모리 시스템을 구성하는 주요한 요소로서 운영체제의 발전, 응용 프로그램의 복잡도와 용량의 증가에 맞추어 DRAM의 용량과 속도 역시 증가하는 추세이다. DRAM은 주기적으로 저장된 값을 읽은 후 다시 저장하는 리프레시 동작을 수행해야 하며, 이에 수반되는 성능 및 파워/에너지 오버헤드는 용량이 증가할수록 더 악화되는 특성을 내재하고 있다. 본 연구는 전하의 보존 시간이 가장 낮은 셀들에 대해서 블룸 필터를 사용하여 64ms, 128ms 이내에 리프레시를 수행해야 하는 로우들을 효율적으로 저장하여 선택적 리프레시를 수행하는 에너지 효율 향상 기법을 제안한다. 실험 결과에 따르면 제안 기법을 통하여 평균 5.5%의 성능 향상이 있었으며, 리프레시 에너지는 평균 76.4% 절감되었고, 평균 EDP는 10.3% 절감된 것으로 나타났다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2007년도 하계종합학술대회 논문집
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• pp.433-434
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• 2007

This paper describes a low-voltage dynamic random-access memory (DRAM) focusing on subthreshold leakage reduction during self-refresh (sleep) mode. By sharing a power switch, multiple iterative circuits such as row and column decoders have a significantly reduced subthreshold leakage current. To reduce the leakage current of complex logic gates, dual channel length scheme and input vector control method are used. Because all node voltages during the standby mode are deterministic, zigzag super-cutoff CMOS is used, allowing to Preserve internal data. MTCMOS technique Is also used in the circuits having no need to preserve internal data. Sub-1.2-V 1-Gb mobile DDR DRAM employing all these low-power techniques was designed in a 60 nm CMOS technology and achieved over 77% reduction of overall leakage current during the self-refresh mode.

• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.51-58
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• 2000

The control of the data retention time is a main issue for realizing future high density dynamic random access memory. The novel junction process scheme in sub-micron DRAM cell with STI(Shallow Trench Isolation) has been investigated to improve the tail component in the retention time distribution which is of great importance in DRAM characteristics. In this' paper, we propose the new implantation scheme by gate-related ion beam shadowing effect and buffer-enhanced ${\Delta}Rp$ (projected standard deviation) increase using buffered N-implantation with tilt and 4X(4 times)-rotation that is designed on the basis of the local-field-enhancement model of the tail component. We report an excellent tail improvement of the retention time distribution attributed to the reduction of electric field across the cell junction due to the redistribution of N-concentration which is Intentionally caused by ion Beam Shadowing and Buffering Effect using tilt implantation with 4X-rotation. And also, we suggest the least requirements for adoption of this new implantation scheme and the method to optimize the key parameters such as tilt angle, rotation number, Rp compensation and Nd/Na ratio. We used MEDICI Simulator to confirm the junction device characteristics. And measured the refresh time using the ADVAN Probe tester.

• 한국경영과학회지
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• 제21권1호
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• pp.31-50
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• 1996

In this paper we prescribe a replication server scheme with an algorithm DRF (Differential Refresh File) to refresh multiple materialized views and replicas in distributed environments. Before sending relevant tuples in server sites to client sites, an effective tuple reduction scheme is developed as a preprocessor to reduce the transmission cost. Because it utilizes differential files with out touching base relations, the DRF scheme can help to minimize the number of locks, which enhances the system's performance.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제7권1호
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• pp.1-10
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• 2007

In recent few years, low-power electronics has been a leading drive for technology developments nourished by rapidly growing market share. Mobile DRAM, as a fundamental block of hand-held devices, is now becoming a product developed by limitless competition. To support application specific mobile features, various new power-reduction schemes have been proposed and adopted by standardization. Tightened power budget in battery-operated systems makes conventional schemes not acceptable and increases difficulty of the circuit design. The mobile DRAM has successfully moved down to 1.5V era, and now it is about to move to 1.2V. Further voltage scaling, however, presents critical problems which must be overcome. This paper reviews critical issues in mobile DRAM design and various circuit schemes to solve the problems. Focused on analog circuits, bitline sensing, IO line sensing, refresh-related schemes, DC bias generation, and schemes for higher data rate are covered.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.325-328
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• 2000

The control of the data retention time is a main issue for realizing future high density dynamic random access memory. In this paper, we propose the new implantation scheme by gate-related ion beam shadowing effect and buffer-enhanced $\Delta$ Rp increase using buffered N- implantation with tilt and 4X-rotation that is designed on the basis of the local-field-enhancement model of the tail component. We report an excellent tail improvement of the retention time distribution attributed to the reduction of electric field across the cell junction due to the redistribution of N- concentration which is intentionally caused by Ion Beam Shadowing and Buffering Effect using tilt implantation with 4X-rotation.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.331-334
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• 2004

A new measurement scheme is proposed to generate an optimized boost table for video rate LCD response time compensation. This method, which closely follows basic theory, enables up to a 90% reduction in the lookup table creation time compared to conventional methods. Furthermore, while conventional approaches require all measurements to be repeated in order to load the entire LUT whenever key parameters such as refresh rate or boost intensity are modified, the method proposed in this paper allows the new table to be calculated by utilizing saved waveform data without the need for any repeated measurements.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1397-1400
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• 2008

Frame rate conversion became key technology due to recent advances in LCD panel refresh rates. Although many FRC algorithms have been developed and applied for LCD TV sets, they still suffer from well-known halo artifact. This paper discusses about the artifacts and method to handle them.

• 대한토목학회논문집
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• 제32권1D호
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• pp.1-11
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• 2012

대통령자문 국가경쟁력강화위원회와 경찰은 교통운영체계선진화방안을 통하여 신호교차로에서의 효율적인 운영을 도모하고 있다. 신호교차로의 효율적인 운영으로 정체상황이 개선되는 경우 배기가스 및 탄소배출 감소가 기대되나 지금까지 온실가스 저감효과에 대한 관심이 도로교통 운영부문에서 소외되어 교통운영체계선진화로 인한 탄소배출량 감소 효과가 공학적으로 검토된 바 없다. 본 연구는 교통운영체계선진화방안으로 추진되는 전체 19개 사업수행 항목 중 경찰이 주관하여 추진하는 운영항목으로부터 기대되는 탄소배출량 분석방법 및 연(年) 단위 전국 탄소배출량 저감효과를 제시한다. 분석결과 2010년을 기준으로 우리나라 전체 도로교통 부문에서 탄소배출량을 기준으로 보행자작동신호운영 도입으로 12.31% 감축, 점멸신호운영 도입으로 3.27% 감축, 신호연동 도입으로 2.44% 감축, 직진우선 도입으로 0.97% 감축, 비보호좌회전 도입으로 0.81% 감축, 좌회전감응 도입으로 0.72% 감축 효과가 있는 것으로 분석되었다.