Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2008.05a
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pp.277-280
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2008
Recently, a demand of nano/micro patterned polymer for display or biochip has been rising. Then many studies have been carried out. Nano/micro-embossing is a deformation process where the workpiece materials is heated to permit easier material flow and then forced over a planar patterned tool. In this work, the hot-emboss process is performed with different forming conditions; forming temperature, load, press hold time, to get the proper condition for linear pattern fabrication on plated-type polymers (PC). Replicated pattern depth increases in proportion to the forming temperature, load and time. Reduction of the workpiece thickness increases according to press hold time. In process of time, reduction ratio of workpiece thickness decreases because of surface area increment of the workpiece and pressure decline on it.
In this work we demonstrate the hot-embossing process under different forming conditions such as forming temperature, load, and holding time in pressing, in order to determine the suitable conditions required for linear patterning on polymer plates (PC). Results showed that the replicated pattern depth increased in proportion to an increase in the forming temperature, load, and time. The reduction of the workpiece thickness increased according to the holding time in the pressing process. In the process of time, the reduction ratio of the workpiece thickness decreased due to the surface area increment of the workpiece, while the pressure on the workpiece declined. In order to reduce the bulging ratio we introduced a temperature difference between the upper and the lower punch.
Kim, Jeyoung;Li, Meng;Lee, Ga-Won;Oh, Jungwoo;Lee, Hi-Deok
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.16
no.2
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pp.210-214
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2016
In this paper, the decrease in the contact resistance of Ni germanide/Ge contact was studied as a function of the thickness of the antimony (Sb) interlayer for high performance Ge MOSFETs. Sb layers with various thickness of 2, 5, 8 and 12 nm were deposited by RF-Magnetron sputter on n-type Ge on Si wafers, followed by in situ deposition of 15nm-thick Ni film. The contact resistance of samples with the Sb interlayer was lower than that of the reference sample without the Sb interlayer. We found that the Sb interlayer can lower the contact resistance of Ni germanide/Ge contact but the reduction of contact resistance becomes saturated as the Sb interlayer thickness increases. The proposed method is useful for high performance n-channel Ge MOSFETs.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2007.05a
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pp.226-228
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2007
During asymmetrical cold rolling in AA 5052 sheet a reduction per a rolling pass was varied to investigate the effect of the ratio of the contact length between the roll and sample ($l_c$) to the sheet thickness (d) on the formation of shear textures. In order to intensify the shear deformation during asymmetrical rolling, AA 5052 sheet was asymmetrically cold rolled without lubrication by using different roll velocities of upper and lower rolls. Asymmetrical rolling with $l_c$/d=1.8 led to the formation of texture gradients throughout the sheet thickness in which the outer thickness layers depicted shear textures and the center thickness layers displayed a rolling texture. Asymmetrical rolling with $l_c$/d=3.1 gave rise to the formation of shear textures in the whole through-thickness layer. The strain states associated with asymmetrical rolling were investigated by the finite element method (FEM) simulation. FEM results indicated that the evolution of deformation texture in a thickness layer is strongly governed by integrated values of strain rates and along the streamline in the roll gap.
Proceedings of the Korean Society for Technology of Plasticity Conference
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2007.10a
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pp.84-86
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2007
Aluminum sheets were asymmetrically cold rolled without lubrication by using different roll velocities of upper and lower rolls in order to intensify the shear deformation. During asymmetrical cold rolling of aluminum sheets, a reduction per a rolling pass, initial sheet thickness, roll diameter, roll velocity ratio were varied to investigate the effect of rolling parameters. The formation of through thickness shear texture was related to the ratio of the contact length between the roll and sample($l_c$) to the sheet thickness(d). The strain states associated with asymmetrical rolling were investigated by the finite element method (FEM) simulation. FEM results indicated that the evolution of deformation texture in a thickness layer is strongly governed by integrated values of strain rates $\dot{\varepsilon}_{13}$ and $\dot{\varepsilon}_{11}$ along the streamline in the roll gap.
The microstructure and mechanical properties of a copper alloy sheet processed by differential speed rolling (DSR) were investigated in detail. A copper alloy with thickness of 3 mm was rolled to a 50% reduction at ambient temperature without lubrication and with a differential speed ratio of 2.0:1. For comparison, conventional rolling (CR), in which the rolling speeds of the upper and lower rolls is 2.0 m/min, was also performed under the same rolling conditions. The shear strain of the sample processed by CR showed positive values at the positions of the upper roll side and negative values at the positions of the lower roll side. On the other hand, the sample processed by the DSR showed zero or positive shear strain values at all positions. However, the microstructure and mechanical properties of the as-rolled copper alloys did not show such significant differences between the CR and the DSR. The samples rolled by the CR and the DSR exhibited a typical deformation structure. In addition, the DSR processed samples showed a typical rolling texture in which {112}<111>, {011}<211> and {123}<634> components were developed at all positions. Therefore, it is concluded that the DSR was very effective for the introduction of a uniform microstructure throughout the thickness of the copper alloy.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.58
no.2
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pp.190-195
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2009
Thin-gauged 3% silicon steel sheets having a highly grain-oriented texture have been developed as a core material for applications of middle-frequency (400 Hz ${\sim}$ 10 kHz) devices. The newly developed sheets with a tension coating showed an excellent reduction in iron loss at 400 Hz (iron loss at 1.0 T and 400 Hz = 4.677 W/kg, iron loss at 1.5 T and 400 Hz = 9.742 W/kg) due to high magnetic induction, $B_{10}$(measured induction at 1000 A/m), of over 1.9 T. In cases of frequencies below 400 Hz, magnetic induction, $B_{10}$, of the sample plays a major role to reduce its iron loss as excitation induction increases, whereas, in case of frequency of 1 kHz, thickness dependence becomes dominant due to a lower iron loss at relatively thinner sample. The sheets with a high magnetic induction, therefore, are favorable for high excitation induction (over 1.0 T) and low excitation frequency (below 400 Hz) applications, whereas the sheets that can reduce eddy current loss by reducing thickness or domain wall width are advantageous for low excitation induction (below 1.0 T) and high excitation frequency (around 1 kHz) applications.
The strain, microstructure and mechanical properties through thickness of an oxygen free copper(OFC) processed by differential speed rolling(DSR) were investigated in detail. The OFC sample with thickness of 1 mm was rolled to 35% reduction at ambient temperature without lubrication changing the differential speed ratio from 1.0:1 to 2.2:1. The shear strain introduced by the conventional rolling showed positive values at positions of upper roll side and negative values at positions of lower roll side. However, it showed zero or positive values at all positions for the samples rolled by the DSR. The effects of strain distribution through thickness of the coper sheets on microstructure, texture and mechanical properties are discussed in the present study.
Aljawhara H. Almuqrin;Abd Allh M. Abd El-Hamid;M.I. Sayyed;K.A. Mahmoud
Nuclear Engineering and Technology
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v.56
no.6
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pp.2324-2331
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2024
The current study investigated Saudi Arabian oil fly ash impacts on Egyptian clay bricks' structural and radiation shielding properties. To produce the required bricks, crushed clay minerals from the Hafafit area were mixed with 0, 10, 20, 30, and 40 % wt.% Saudi Arabian oil fly ash and pressed at a pressure rate of 68.55 MPa. Identification of the minerals in the chosen clay was achieved via X-ray diffraction. Additionally, the material's morphology and chemical composition were determined through scanning electron microscope and energy-dispersive X-ray. The fabricated bricks' density was reduced by 36.3 % through increasing the concentration of fly ash from 0 to 40 wt%. Then, the fly ash addition's influence on the fabricated clay bricks' γ-ray shielding properties was investigated by Monte Carlo simulation, which found a reduction in the fabricated bricks' linear attenuation coefficient (LAC) by 41.2, 36.0, 33.8, and 33.8 % at the 0.059, 0.103, 0.662, and 1.252 MeV γ-ray energies, respectively. The LAC reduction caused an increase in the fabricated bricks' half-value thickness, transmission factor, and the equivalent thickness of the lead. Moreover, the thicker fabricated sample thicknesses were found to have high γ-ray shielding capacity and can thus be used in radiation shielding applications.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.20
no.2
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pp.1-6
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1983
The reduction of threshold voltage and punchthrough voltage of short channel MOS transistors has been measured experimentally with silicon gate NMOS transistors. The effects of the gate oxide thickness and substrate doping concentration on the threshold voltage and punch-through voltage have also been measured with sample devices with boron implantation and gate oxide thickness of 50 nm and 70 nm. Hot electron emission has been measured by floating gate method for the samples with 3 ${\mu}{\textrm}{m}$ channel length. It has been concluded from this measurement that hot electron emission is not significant for the channel length of 3${\mu}{\textrm}{m}$.
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