• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.55-58
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• 1996

A new type CuN/Cu/CuN thin film electrode material with high adhesion to glass was developed by the dc reactive planar magnetron sputtering system for the PDP(Plasma Display Panel). The adhesive force of the CuxN thin film was in the range of 20∼40(N) under the conditions of the N$_2$ partial pressure of 15%, discharge current of 70mA, discharge voltage of 450v and substrate bias voltage of -100V. The adhesive force was depended on the N$_2$ partial Pressure, discharge current and substrate bias voltage.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1596-1598
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• 2002

This paper presents the characteristics of Ta-N thin-film strain gauges as high-temperature strain gauges, which were deposited on Si substrate by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere(Ar-($4{\sim}16%$)$N_2$). These films were annealed for 1 hour in $2{\times}10^{-6}$ Torr vacuum furnace range $500{\sim}1000^{\circ}C$. The optimized conditions of Ta-N thin-film strain gauges were annealing condition($900^{\circ}C$, 1 hr.) in 8% $N_2$ gas flow ratio deposition atmosphere. Under optimum conditions, the Ta-N thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, ${\rho}$=768.93 ${\mu}{\Omega}cm$, a low temperature coefficient of resistance, TCR = -84 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal gauge factor, GF = 4.12.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.170-171
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• 2000

최근 광 응용기술, 레이저 및 광통신 기술이 빠르게 발전함에 따라 고부가 가치 광학박막의 규격이 높아지고 있으며, 덩어리와 같은 광학적, 기계적 특성을 갖는 광학박막이 요구되고 있다. 일반적으로 이러한 성능을 만족하는 광학박막을 제작하기 위해 전자빔으로 증발되어 기판에 증착되는 박막에 직접 산소 이온을 이온총을 이용하여 기판에 쏘아줌으로써 양질의 산화박막을 제작하는 이온빔 보조 증착법이 가장 많이 적용되고 있다. 여기서 이온빔은 증착되는 박막의 기둥구조를 파괴시켜 원래의 덩어리(bulk)에 가까운 성질을 갖는 조밀한 박막을 제작하는데 이용된다. 좀더 조밀한 박막을 만들어 덩어리에 가까운 성질을 갖도록 하기 위해서는 박막을 형성하는 이온들의 이온에너지를 높여주어야 하는데, 그 방법으로 이온빔 스퍼터링이나 RF 또는 DC 마그네트론 스퍼터링 방법 등이 있으며, 최근에는 medium frequency에 의한 twin-마그네트론 스퍼터링 기술을 이용하기도 한다$^{(1 4)}$ . (중략)

• Progress in Superconductivity
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• 제4권1호
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• pp.37-41
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• 2002

In this work. we have designed two different kinds of Rapid Single Flux Quantum (RSFQ) OR-gates. One was based on the already developed RSFQ cells and the other was aimed to develop a more compact version. In the first circuit, we used a combination of two D Flip-Flops and a merger and in the other circuit we used a combination of RS Flip-Flops and Confluence Buffer. We tested the circuit performance by using the simulation tools, Xic and Wrspice. We obtained the operation margins of the circuit elements by a margin calculation program, and we obtained the minimum operation margins of $\pm$30%. The circuits were laid out, aimed to fabricate by using the existing KRISS Nb process. KRISS Nb process includes the $Nb／Al_2$$O_3$／Nb trilayer fabricated by DC magnetron sputtering and the reactive ion etching technique for the definition of the features. The major tools used in the layouts were Xic and L-meter.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.288-288
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• 2012

In this study, we investigated that the resistance switching characteristics of W-doped NbOx films with increasing W doping concentration. The W-doped NbOx based ReRAM devices with a TiN/W-doped NbOx/Pt/Ti/SiO2 were fabricated on Si substrates. The 50 nm thick W-doped NbOx films were deposited by reactive dc magnetron co-sputtering at $400^{\circ}C$ and oxygen partial pressure of 35%. Micro-structure of W-doped NbOx films and atomic concentration were investigated by XRD, TEM and XPS, respectively. The W-doped NbOx films showed set/reset resistance switching behavior at various W doping concentrations. The process voltage of set/reset is decreased and whereas the initial current level is increased with increasing W doping concentration in NbOx films. The change of resistance switching behavior depending on doping concentration was discussed in terms of concentration of metallic tungsten of oxygen of W-doped NbOx.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.692-695
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• 1999

This paper presents annealing characteristics of CrN thin-film strain gauges, which were deposited on glass by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere)Ar-(5-~25%)$N_2$. The physical and electrical characteristics of these films investigated with the thickness range 3500$\AA$ of CrN thin films, annealing temperature (100~30$0^{\circ}C$) and annealing time (24-72hr) . The optimized condition of CrN thin-film strain gauges were thickness range of 3500$\AA$ and annealing condition(30$0^{\circ}C$ , 48hr) in Ar-10%$N_2$ deposition atmosphere. Under optimum conditions, the CrN thin-films for strain gauge is obtained a high resistivity, $\rho$=1147.65$\Omega$cm a low temperature coefficient of 11.17. And change in resistance after annealing for the CrN thin film were quitely linear and stable.

• 한국재료학회지
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• 제6권6호
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• pp.626-631
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• 1996

Reactive dc magnetron sputtering 법을 이용하여 증착한 molybdenum mitride 박막의 Cu 확산 방지막 특성을 조사하였다. Cu 확산 방지막으로서 molybdenum nitride 박막의 열적안정성을 관찰하기 위하여 molybdenum nitride 박막 위에 Cu를 evaporation 법으로 증착하고 진공 열처리하였다. Cu/r-Mo2N/si 구조는 $600^{\circ}C$, 30분간 열처리 시까지 안정하였다. 확산 방지막의 파괴는 $650^{\circ}C$, 30분간 열처리 시부터 격자 확산(lattice diffusion)이나 입계(grain boundary)과 결함(defect)을 통한 확산에 의해 나타나기 시작하였고, 이 때 molybdenum silicide과 copper silicide의 형성에 기인된 것으로 생각되었다. 열처리 이후 Cu/r-Mo2N/Si 사이의 상호반응이 증가하였다. 이는 Rutherford backscattering spectrometry, Auger electron spectroscopy 그리고 Nomarski microscopy 등의 분석을 통해 조사되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.97-100
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• 2001

This paper presents the characteristics of Ta-N thin-film strain gauges as high-temperature strain gauges, which were deposited on Si substrate by DC reactive magnetron sputtering in an argon-nitrogen atmosphere(Ar-(4∼16 %)N$_2$). These films were annealed for 1 hour in 2x10$\^$-6/ Torr vaccum furnace range 500∼1000$^{\circ}C$. The optimized conditions of Ta-N thin-film strain gauges were annealing condition(900$^{\circ}C$, 1 hr.) in 8% N$_2$ gas flow ratio deposition atmosphere. Under optimum conditions, the Ta-N thin-films for strain gauges is obtained a high resistivity, $\rho$=768.93 ${\mu}$Ω cm, a low temperature coefficient of resistance, TCR=-84 ppm/$^{\circ}C$ and a high temporal stability with a good longitudinal gauge factor, GF=4.12.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.84-87
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• 2003

Carbon nitride ($CN_x$) films were prepared by reactive RF magnetron sputtering system with DC bias at various deposition conditions and the electrical properties were investigated. The films were characterized by fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitor which has $Al/CN_x/Si$ structure was designed and fabricated to investigate the capacitance-voltage (C-V) characteristics. Dielectric constant of carbon nitride films is very small.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권2호
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• pp.129-134
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• 2005

SiP의 3D패키지에 있어서 구리도금은 매우 중요한 역할을 한다 이러한 구리 도금의 조건을 알아보기 위하여 조건이 다른 전해질에서 전기화학적 I-V특성을 분석하였다. 첨가제로 억제제와 촉진제의 특성을 분석하였다. 3D 패키지에 있어서 직경 50, 75, $100{\mu}m$의 via를 사용하였다. Via의 높이는 $100{\mu}m$로 동일하였다. Via의 내부는 확산방지층으로 Ta을 전도성 씨앗층으로 Cu를 magnetron 스퍼터링 방법으로 도포하였다. 직류, 펄스, 펄스-역펄스 등 전류의 파형을 변화시키면서 구리 도금을 하였다. 직류만 사용하였을 경우에는 결함 없이 via가 채워지지 않았으며 펄스도금을 한 경우 구리 충진이 개선을 되었으나 결함이 발생하였다. 펄스-역펄스를 사용한 경우 결함 없는 구리 충진층을 얻을 수 있었다.