• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.07a
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• pp.901-904
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• 2001

For the c-axis oriented epitaxial YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ thin film on r-cut sapphire substrate it is necessary to deposit buffer layers. The CeO$_2$buffer layer was deposited on sapphire substrate using RF magnetron sputtering system. We investigated XRD pattern of CeO$_2$thin films at various sputtering conditions such as sputtering gas ratio, sputtering power, target to substrate distance, sputtering pressure and substrate temperature. The optimum condition was 15 mTorr with deposition pressure, 1:1.2 with $O_2$and Ar ratio and 9cm with target to substrate distance. The CeO$_2$(200) peak was notable for a deposition temperature above 75$0^{\circ}C$. The YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ was deposited on CeO$_2$buffered r-cut sapphire substrate using pulsed laser ablation. The YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$CeO$_2$(200)/A1$_2$O$_3$thin film was exhibited a critical temperature of 89K.xhibited a critical temperature of 89K.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.276.2-278
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• 2000

In a recent years, a number of approaches have been studied, including passive, active, and hybrid mode-locking of semi-conductor lasers for short pulse generation and research has been devoted to achieve low timing-jitter operation since the timing jitter is unfavorable for system applications. Among the methods of mode locking, passive mode locking does not need external rf drives, and therefore the operation and fabrication procedures are simplified. In spite of these attractive advantages of passive mode-locked laser, it has critical drawbacks such as large timing jitter and the difficulty in synchronization with external circuits. Their inherent large timing jitter value was shown to be suppressed to certain levels by means of hybrid mode-locking technique$^{(1)}$ , where the saturable absorber section was modulated by an external signal with the cavity round trip frequency. Furthermore, the subharmonic mode-locking (SHML) technique alleviates the restrictions of high speed driving electronics. It has been demonstrated experimentally$^{(1)}$ that the hybrid subharmonic mode-locking technique has lead to significant reduction of the timing jitter. (omitted)

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• v.10
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• pp.179-183
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• 2000

For a ground plane in high-temperature superconducting ramp-edge junction devices, YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$/SrTiO$_3$/YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-{\delta}}$ multilayer structures were fabricated using pulsed laser deposition and ECR ion milling. Various process parameters were adjusted to enhance the device characteristics. By etching the STO layer to form a tapered edge of about 15$^{\circ}$ and in-situ RF plasma treatment of bottom YBCO surface prior to deposition of top YBCO, the top-to-bottom YBCO showed T$_c$ of 75${\sim}$80 K and I$_c$ of about 40 mA through holes. It was found that the deposition of bottom YBCO at a reduced laser repetition rate of 1Hz increased the T$_c$ of top YBCO to 79.9 K. The resistivity of 570 layer was about 10$^6$ ${\Omega}$cm at 60 K, which ensures good electrical isolation between successive YBCO layers.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.10 no.7
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• pp.1453-1458
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• 2009

This study is to apply the mechanical press joining method to join two kinds of sheet metals with circular holes by mechanical pressing instead of laser beam. Usage of the mechanical pressing avoids the thermal deformation of sheet metals which occurs inevitably in laser joining. A die design has been proposed to make the mechanical press joining applicable with finite element analysis. Five design factors related to the joining force have been selected and applied to the Taguchi method for optimization. Among five factors, 'Forming Depth' and 'Punch Corner Radius' have been revealed to be the most influential ones.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.88-88
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• 2011

ZnO는 직접 천이형 반도체로써, 상온에서 3.4eV에 해당하는 띠틈을 가지고 있다. 뿐만 아니라 60meV의 큰 엑시톤 결합에너지를 가지고 있어 단파장 광전 소자 영역의 LED(Light Emitting Diode)나 LD(Laser Diode)에 널리 사용되고 있다. 하지만 일반적으로 격자틈새 Zn(Zni2+)이온이나 O 빈자리(V02+)이온과 같은 자연적인 도너 이온이 존재하여 n-형 전도성을 나타낸다. 그러므로 ZnO계 LED와 LD의 개발에 있어서 가장 중요한 연구 과제는 재현성 있고 안정된 고농도의 p-형 ZnO박막을 성장시키는 것이다. 하지만, 자기보상효과나 얕은 억셉터 준위, 억셉터의 낮은 용해도로 인하여 어려움을 가지고 있다. 본 연구에서는 고품질의 p-형 ZnO박막을 제작하기 위해 AlN를 도핑시킨 ZnO박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 법을 이용하여 Ar과 O2분위기에서 성장시켰다. ZnO와 AlN타겟을 동시에 사용하였으며, ZnO타겟에 걸어준 RF 파워는 80W, AlN타겟에 걸어준 RF 파워는 5~20W로 변화시켰다. 박막의 전기적, 광학적 특성은 XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), REELS (Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy), XRD (X-ray Diffraction), SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), AES (Auger Electron Spectroscopy), Hall measurement를 이용하여 연구하였다. XPS측정결과, AlN를 도핑시킨 ZnO박막의 Zn2p3/2와 O1s피크는 undoped ZnO박막의 피크보다 낮은 결합에너지에서 측정되었다. 모든 박막이 결정화 되었으며, (002)방향으로 우선적으로 성장된 것을 확인할 수 있었다. 홀 측정 결과, 기판을 $200^{\circ}C$로 가열하면서 성장시킨 박막이 p-형을 나타내었으며, 비저항(Resistivity)이 $5.51{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}m$, 캐리어 농도(Carrier Concentration)가 $1.96{\times}1018cm^{-3}$, 이동도(Mobility)가 $481cm^2$/Vs이었다. 또한 QUEELS -Simulation에 의한 광학적 특성분석 결과, 가시광선영역에서 투과율이 90%이상으로 투명전자소자로의 응용이 가능하다는 것을 보여주었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.103-103
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• 1999

CeO2 는 cubic 구조의 일종인 CeF2 구조를 가지며 격자 상수가 0.541nm로 Si의 격자 상수 0.543nm와 거의 비슷하여 Si과의 부정합도가 0.35%에 불과하여 CeO2를 Si 기판 위에 에피택셜하게 성장시킬 수 있는 가능성이 크다. 따라서 SOI(Silicon-On-Insulator) 구조의 실현을 위하여 Si 기판위에 CeO2를 에피택셜하게 성장시키려는 많은 노력이 있었다. 또한 CeO2 는 열 적으로 대단히 안정된 물질로서 금속/강유전체/반도체 전계효과 트랜지스터(MFSFET : metal-ferroelectric-semiconductor field effect transistor)에서 ferroelectric 박막과 Si 기판사이에 완충층으로 사용되어 강유전체의 구성 원자와 Si 원자들간의 상호 확산을 방지함으로써 경계면의 특성을 향상시기키 위해 사용된다. e-beam evaporation와 laser ablation에 의한 Si 기판 위의 CeO2 격자 성장에 관한 많은 보고서가 있다. 이 방법들은 대규모 생산 공정에서 사용하기 어려운 반면 RF-magnetron sputtering은 대규모 반도체 공정에 널리 쓰인다. Sputtering에 의한 Si 기판위의 CeO2 막의 성장에 관한 보고서의 수는 매우 적다. 이 논문에서는 Ce target을 사용한 reactive rf-magnetron sputtering에 의해 Si(100) 과 Si(111) 기판위에 성장된 CeO2 의 구조 및 전기적 특성을 보고하고자 한다. 주요한 증착 변수인 증착 power와 증착온도, Seed Layer Time이 성장막의 결정성에 미치는 영향을 XRD(X-Ray Diffractometry) 분석과 TED(Transmission Electron Diffration) 분석에 의해 연구하였고 CeO2 /Si 구조의 C-V(capacitance-voltage)특성을 분석함으로써 증차된 CeO2 막과 실리콘 기판과의 계면 특성을 연구하였다. CeO2 와 Si 사이의 계면을 TEM 측정에 의해 분석하였고, Ce와 O의 화학적 조성비를 RBS에 의해 측정하였다. Si(100) 기판위에 증착된 CeO2 는 $600^{\circ}C$ 낮은 증착률에서 seed layer를 하지 않은 조건에서 CeO2 (200) 방향으로 우선 성장하였으며, Si(111) 기판 위의 CeO2 박막은 40$0^{\circ}C$ 높은 증착률에서 seed layer를 2분이상 한 조건에서 CeO2 (111) 방향으로 우선 성장하였다. TEM 분석에서 CeO2 와 Si 기판사이에서 계면에서 얇은 SiO2층이 형성되었으며, TED 분석은 Si(100) 과 Si(111) 위에 증착한 CeO2 박막이 각각 우선 방향성을 가진 다결정임을 보여주었다. C-V 곡선에서 나타난 Hysteresis는 CeO2 박막과 Si 사이의 결함때문이라고 사료된다.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.16 no.2
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• pp.140-143
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• 2006

Single crystalline $CoFe_2O_4$ thin films on (100) MgO substrates were fabricated using a rf magnetron sputtering method. The deposited films were investigated for their crystallization by X-ray diffraction, Rutherford back-scattering spectroscopy and field emission scanning electron microscopy. When a cobalt ferrite film was deposited at the substrate temperature of $600^{\circ}C$, squared grains of about 200 nm were uniformly distributed in the film. However, the grains became irregular and their sizes also varied from 30 to 150 nm when the substrate temperature was $700^{\circ}C$. Hysteresis loops of a film deposited at $600^{\circ}C$ showed that the magnetically easy axis of the film was perpendicular to the substrate surface. Except for the squareness ratio, magnetic properties of the cobalt ferrite films grown by the present rf sputtering method were as good as those of the films prepared by a laser ablation method: The in-plane and perpendicular coercivities were 283 and 6800 Oe, respectively. As the thickness of the deposited film increased twice, the saturation magnetization became double but the coercivity remained unchanged. However, deposition of the Co ferrite films with a higher rf powder decreased the squareness ratio and the perpendicular coercivity of the films.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.05a
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• pp.101-104
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• 2008

현대에 컴퓨터를 기반으로 무선으로 데이터를 측정하고 제어하는 device들이 보편화 되어있으며, 낮은 가격으로 높은 성능을 낼 수 있는 device들이 각광 받고 있다. 그리고 산업 환경에서 유선 이용이 불가능한 곳이나 직접 사람이 들어갈 수 없는 위험한 장소와 거리 측정할 때 Zigbee 통신 Solution을 이용한다면 공간의 제약 없이 컴퓨터로 데이터를 분석 처리할 수 있다. Zigbee 통신은 기존의 RF나 bluetooth등에 비해 전력 소모에서 효율적이고 battery 사용을 장시간 사용할 수 있는 장점을 가지고 있다. 또한 시스템 구현 비용이 아주 저렴하기 때문에 네트워크에 많은 노드들을 설치 할 수 있다. 이에 본 논문에서 구현한 거리 측정 무선 송/수신 시스템은 여러 개의 LMC(Laser Measuring Control)와 이에 상응하는 여러 개의 Slave Zigbee에서 하나의 Master Zigbee 까지 무선으로 데이터를 송신한다. Master Zigbee는 LMC에서 측정한 데이터들을 수신 받아 컴퓨터로의 처리를 하고자 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.170-170
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• 2012

정보통신 기술 발전과 함께 자동차 및 로봇 산업에서도 다양한 IT 기술이 적용되고 있다. 지능형 로봇 및 자율 주행 자동차의 실현을 위해서는 필수적인 센서 기술이 수반되어야 한다. 자동차 및 로봇 산업에서 종래의 센서와 더불어 레이저를 이용한 센서 기술 적용으로 보다 업그레이드 된 성능을 갖게 되었다. 특히, 반도체 레이저를 이용한 전방 물체 및 거리 인식 센서를 사용함으로써 보다 정밀한 분해능과 장거리의 거리 계측이 가능하게 되었다. RF나 초음파 센서보다 우수한 성능을 가진 반도체 레이저 거리 계측 센서를 위한 박막 성장과 성장된 Wafer의 칩 프로세스 공정을 진행하여 레이저 센서로 적용 가능함을 확인하였다. InP 기판 위해 클래드, 도파로, 활성층을 MOCVD 장비로 각각 성장하였으며, 도파로는 비대칭 구조로 성장이 되었다.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.111-114
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• 2001

Optical transmitter and receiver are the essential components for optical communication. For these components, butterfly type packages are used which are comprised of metal housing, multilayer ceramic inserts, lead and window. In this study, 2.5 Gbps DFB(Distributed -Feedback) LD(Laser Diode) package was fabricated and characterized. Metal housing showed good thermal conductivity (200W/mK) and well matched TCE(6.7ppm/K) with GaAs chip. Ceramic inserts also showed good VSWR(Voltage Standing Wave Ratio) characteristics(<2.0). By brazing technology, all the elements were combined and sealed. RF characteristics of the package mounted on the PWB was also tested.