The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.8
no.6
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pp.600-613
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1997
The implementation of a BTS(Base station Transceiver) for WLL system using W-CDMA(Wideband-Code Division Multiple Access) method is presented in this paper. It consists of three boards; receiver, transmitter and RF controller. Some RF parameters are considered and simulated by the RF simulation S/W using commercial and customized components specifications. The implemented transceiver of 5 MHz RF channel bandwidth satisfies the system requirements of a transceiver such as dynamic range, sensitivity in the receiver and spurious emission suppression in the transmitter. At the receiver, the experimental measurement showed 2.86 dB of NF and 60 dB above of dynamic range in AGC(Automatic Gain Control) locking. At the transmitter, the -49.46 dBc of spurious emission suppression is attained when the output power of the transmitter is 34.3 dBm. These results are good enough to meet to standard performance specifications.
Kim, Dong-hyeon;Seo, Na-Hyeon;Park, Ki-Won;Rhee, Young-Chul
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.27
no.2
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pp.144-149
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2017
In this paper, we developed an intelligent and wideband RF-receiver module to represent a high dynamic range and good linearity characteristics up to 650MHz-2700MHz frequency band. and implemented an intelligent digital-RF- distorted signal measuring system for the RF distortion (intermodulation) signals. Broadband RF-receive module was designed to represent the optimized linear parameters of the receiver to meet the low noise and wide dynamic range. The designed intelligent digital-distortion(intermodulation) signal measument system measured by applying the 1MHz IF of third intermodulation signal of DUT and Measured data was recorded by program on the PC monitor with GUI interface. By variable up to 650MHz-2700MHz measured data showed up to -127.8dBc to -138dBc of the distortion (intermodulation) signal. And developed intelligent digital- distortion signal measurement system can be used to measure intermodulation distortion signal of wireless system widely.
In this paper, we present the simulation results of the multi-layer VCO(Voltage Controlled Oscillator), which is composed of the resonator, the oscillator and the buffer circuit. using EM simulator and nonlinear RF circuit simulator. EM simulator is used for obtaining the EM(Electromagnetic) characteristics of the conductor pattern as well as designing the multi-layer VCO. Obtained EM characteristics were used as real components in nonlinear RF circuit simulation. Finally the overall VCO was simulated using the nonlinear RF circuit simulator. The material for the circuit pattern was Ag and the dielectric was DuPont 951AT, which will be applied for LTCC process. The structure is constructed with 4 conducting layer. Simulated results showed that the output level was about 4.5[dBm], the phase noise was -104[dBc/Hz] at 30[kHz] offset frequency, the harmonics -8dBc, and the control voltage sensitivity of 30[MHz/V] with a DC current consumption of 9.5[mA]. The size of VCO is $6{\times}9{\times}2mm$(0.11[cc]).
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.19
no.7
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pp.624-630
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2006
ZnO deposition parameters are not independent and have a nonlinear and complex property. To propose a method that could verify and predict the relations of process variables, neural network was used. At first, ZnO thin films were deposited by using RF magnetron sputtering process with various conditions. Si, GaAs, and Glass were used as substrates. The temperature, work pressure, and RF power of the substrate were $50\sim500^{\circ}C$, 15 mTorr, and $180\sim210W$, respectively : the purity of the target was ZnO 4 N. Structural properties of ZnO thin films were estimated by using XRD (0002) peak intensity. The structure of neural network was a form of 4-7-1 that have one hidden layer. In training a network, learning rate and momentum were selected as 0.2, 0.6 respectively. A backpropagation neural network were performed with XRD (0002) peak data. After training a network, the temperature of substrate was evaluated as the most important parameter by sensitivity analysis and response surface. As a result, neural network could capture nonlinear and complex relationships between process parameters and predict structural properties of ZnO thin films with a limited set of experiments.
This paper describes the fabrication and characteristics of NO sensor using ZnO thin film by RF magnetron sputter system. The sensitivity, working temperature, and response time of sputtered pure ZnO thin film and added catalysts such as Pt, Pd, Al, Ti on those films were measured and analyzed. The sensitivity of pure ZnO thin film at working temperature of $300^{\circ}C$ is 0.875 in NO gas concentration of 0.046 ppm. At same volume of the gas in chamber, measuring sensitivity of 1.87 at $250^{\circ}C$ was the case of Pt/ZnO thin film. The ZnO thin films added with catalyst materials were showed higher sensitivity, lower working temperature and faster adsorption characteristics to NO gas than pure ZnO thin film.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.247-247
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2009
In this work, Ga-doped ZnO (GZO) thin films for toxic gas sensor application were deposited on low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrates, by RF magnetron sputtering method. LTCC is one of promising materials for integration with heater, low cost production and high manufacturing yields than silicon substrate. The LTCC substrates with thickness of $400\;{\mu}m$ were fabricated by laminating 12 greentapes which consist of alumina and glass particle in an organic binder. The GZO thin films deposited on the substrates and were analyzed by X-ray diffraction method (XRD) and field emission scanning electron microscope (FESEM). The films are well crystallized in the hexagonal (wurzite) structure with increasing thickness. The fabricated sensors showed good sensitivity and fast response time to common types of toxic gases (NOx, COx).
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.8
no.4
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pp.277-282
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2008
A fully integrated inductorless CMOS impulse radio ultra-wideband (IR-UWB) receiver is implemented using $0.18\;{\mu}m$ CMOS technology for 3-5 GHz application. The UWB receiver adopts the non-coherent architecture, which removes the complexity of RF architecture and reduces power consumption. The receiver consists of inductorless differential three stage LNA, envelope detector, variable gain amplifier (VGA), and comparator. The measured sensitivity is -70 dBm in the condition of 5 Mbps and BER of $10^{-3}$. The receiver chip size is only $1.8\;mm\;{\times}\;0.9\;mm$. The consumed current is 15 mA with 1.8 V supply.
Journal of electromagnetic engineering and science
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v.6
no.4
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pp.217-221
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2006
Multipactor-free S-band duplexer based on inter-digital cavity type filter is proposed and demonstrated by in-house mulitpactor test facility for satellite RF components. Multipactor sensitivity of designed duplexer is analyzed by checking it out the maximum field accumulated region inside duplexer and calculating the electric field intensities at each resonator using 3D EM simulation in order to restrict the minimum gap distance as 2.5 mm which handles 43.13 dBm RF input power. Multipactor threshold was finally detected at 44 dBm in experiment for pulse mode test. The developed multipactor test method is cost effective, simple structure and gives a good agreement compared with the previous high cost MP test methodologies.
This paper describes an RF/IF module for 2.4GHz wireless video and audio receivers The designed circuits are implemented using a Teflon board of which the size is $53mm\times42mm$. The measured LNA gain is 15dB, and the VCO output levels are around 2dBm. The sensitivity of the receiver is about -80dBm. The manufactured module consumes 140nA from a 8V supply.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.10
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pp.475-480
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2006
Vanadium oxide thin films (VOx) have been deposited by RF magnetron sputtering from $V_2O_5$ target under different oxygen partial pressure ratios(0%, 10%) and substrate temperatures$(27^{\circ}C,\;400^{\circ}C)$. Crystallographic structure and morphology of the films are studied by XRD and SEM. Humidity-sensing properties of resistive sensors having interdigitated electrode structure are characterized through electrical conduction measurements. The films deposited at room temperature are amorphous whereas the ones deposited above foot are polycrystalline. The sensors show good response to humidity over 20%RH to 80%RH. Vanadium oxide thin films deposited with $0%O_2$ partial pressure at $400^{\circ}C$ exhibit greater sensitivity to humidity change than others.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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