• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권11호
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• pp.2090-2094
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• 2007

박막음향공진기(FBAR) 기술은 현재의 실리콘 공정기술과 높은 집적화 가능성으로 인하여 차세대 RF 필터를 제작할 수 있는 매우 희망적인 기술로 최근에 큰 관심을 불러 일으켜 왔다. RF 필터는 기본적으로 여러 개의 FBAR 소자들을 직렬과 병렬로 연결된 형태로 구성되므로 그 필터의 특성은 각각의 FBAR 소자의 특성에 크게 의존하게 된다. 따라서 우수한 품질의 FBAR 소자를 제작하기 위해서는 우선적으로 소자 및 공정의 최적화 설계가 중요한다. 이러한 최적화 설계는 FBAR 소자 특성을 크게 향상 시킬 수 있게 되고, 궁극적으로 우수한 성능을 가진 FBAR 필터의 구현으로 이어지게 된다. 본 논문에서는, 이러한 FBAR 소자의 공진특성을 더욱 효과적으로 향상시킬 수 있는 방법들에 관한 연구결과를 고찰하고 논의한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.696-698
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• 2011

박막 벌크 음향 공진 소자 (Film Bulk Acoustic Resonator, FBAR) 기술은 현 실리콘 공정 기술과 호환되며 차세대 초소형 RF소자 구현을 가능하게 하는 기술로 각광받아 오고 있다. FBAR 소자 제작 시 박막 증착에 RF 스퍼터링 (sputtering) 방식을 이용하는 경우 산소 ($O_2$) 및 아르곤 (Ar)의 혼합가스 분위기에서 증착하는 것이 통상적이다. 본 논문에서는 아산화질소 ($N_2O$) 및 아르곤 (Ar)의 혼합가스 분위기에서 RF 스퍼터링 방식으로 증착된 고품위의 산화아연 (Zinc Oxide, ZnO) 압전(piezoelectric) 박막을 적용하여 FBAR 소자를 제작하는 새로운 방법을 제시한다. 이때 소자 제작과정에 다양한 조건에서의 열처리 과정 (thermal annealing treatments)이 수반되었으며, 이러한 공정조건이 제작된 FBAR 소자의 공진특성 (resonance characteristics)에 미치는 영향을 반사손실 (return loss)의 측면에서 조사하였다. 결과적으로, 공정 조건을 최적화함으로써 ~2.9 MHz 에서 매우 우수한 공진특성을 가지는 FBAR 소자를 제작할 수 있었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권10호
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• pp.964-970
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• 2013

본 논문은 적층된 칩 사이의 3차원 대역 통과 무선 통신 인터페이스를 제안한다. 제안 방법은 적층된 칩 사이의 작은 커패시턴스를 포함한 3차원 공진기를 이용하여 자주 주파수 발진기(free running oscillator)를 구성하고, 이 발진기를 진폭 변조하여 추가적인 정합회로 없이 수신단에서 포락선 검파를 통해 신호를 검출한다. 제안 방법을 검증하기 위해 110 nm CMOS 공정을 사용하여 송수신 칩을 설계하고, 제작하여 50 ${\mu}m$ 두께의 칩 사이에 2 Gb/s의 데이터 전송 속도를 확인하였다. 제작한 칩은 동작전압 1.2 V를 사용하며, 송수신 칩을 합하여 4.32 mW의 전력을 소모한다. 칩의 크기는 송신단은 0.045 $mm^2$이고, 수신단은 0.029 $mm^2$이다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.163-166
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• 2005

Multilayer LTCC technology enables RF modules to be reduced dramatically by taking advantage of the three dimension flexibility. Compared to a conventional two dimensional PCB, LTCC allows higher density, reduced size, and lower cost. In this research, BPF based on LTCC for 900MHz ZigBee application was implemented which can replace SAW filter with using the material of the Dupont9599's dielectric constant 7.8. And distributed baud pass filter for 900MHz ZigBee system applications is presented. Using resonator stripline and capacitance, 2nd order band pass filter was designed. Adjusting resonator's length and capacitance is easy to tune at accurate center frequency by shifting band because ZigBee system is using narrow bandwidth, $902MHz^{\sim}928MHz$. Also resonator has no limitation in space, so reducing size is possibile. Designed filter had I.L. 2.8dB at 915MHz and attenuation at 815MHz, 1015MHz was 16dB, 15dB, respectively. Therefore, the sharpe cut-off and good insertion loss for ZigBee system application.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.376-378
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• 1997

Plasma density and its axial distribution and uniformity on the substrate in a helical resonator plasma in the external magnetic field have been measured using Langmuir probes. Net RF power is set to 200W and chamber pressure is varied from $1{\times}10^{-1}Torr$ to $1{\times}10^{-4}Torr$. There are three kinds of external magnetic field structure applied on the helical resonator plasma. One is a uniform magnetic field, another is a plus gradient magnetic field and the third is a minus gradient magnetic field. Of the three magnetic field structure, the minus gradient magnetic field is found to show the highest increase in plasma density on the substrate compared with other magnetic structures. In order to avoid radial density ununiformity, weak magnetic fields under 100Gauss are applied.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 추계기술심포지움논문집
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• pp.159-163
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• 2002

최근 세라믹 칩 부품과 모듈등의 통신 부품에 관한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데 내장형 수동소자를 이용한 세라믹 3차원 모듈 개발에 관한 연구가 많은 연구 그룹에서 진행되고 있다. LTCC 시스템은 가격이 저렴하고 공정이 안정적이고 전기적 특성에서도 손실값이 작은점등의 많은 장점을 가지고 있다. 이러한 전기적 특성은 사용하는 재료의 물성에 직접적인 영향을 받게 된다. 사용 재료는 크게 도체와 유전체로 나뉘어질 수 있으며 특히 도체의 특성이 설계된 패턴에 의한 소자 특성에 큰 영향을 주게 된다. 본 연구에서는 금속 함량과 금속 입자 크기를 변화시킨 도체 페이스트를 직접 제작하고 스트립라인 레조네이터에 적용되었을 때의 6 ㎓ 까지의 고주파 특성을 비교 분석하였다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제3권2호
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• pp.85-93
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• 2004

In this paper, microstrip stepped-impedance hairpin resonator (SIR) lowpass filter f.PF) by surface rnicromachining on GaAs substrate is sugsested. This filter has the advantages of compact side, easy fabrication, and sharp cutoff frequency response. The new SIR LPF shows the 3 dB passband of dc to 33 GHz, the insertion loss of 0.82 dB, and the return loss of better than 17 dB up to 25.57 GHz. This filter is useful for many microwave system applications.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제12권1호
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• pp.37-44
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• 2012

This paper describes a compact and novel wireless vital sign sensor at 2.4 GHz that can detect heartbeat and respiration signals. The oscillator circuit incorporates a planar resonator, which functions as a series feedback element as well as a near-field radiator. The periodic movement of a human body during aerobic exercise could cause an input impedance variation of the radiator within near-field range. This variation results in a corresponding change in the oscillation frequency and this change has been utilized for the sensing of human vital signs. In addition, a surface acoustic wave (SAW) filter and power detector have been used to increase the system sensitivity and to transform the frequency variation into a voltage waveform. The experimental results show that the proposed sensor placed 20 mm away from a human body can detect the vital signs very accurately.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.874-877
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• 2001

SOI(Silicon-On-Insulator) technology is proposed as an alternative to bulk silicon for MEMS(Micro Electro Mechanical System) manufacturing. In this paper, we fabricated the SOI wafer with uniform active layer thickness by silicon direct bonding and mechanical polishing processes. Specially-designed electrostatic bonding system is introduced which is available for vacuum packaging and silicon-glass wafer bonding for SOG(Silicon On Glass) wafer. We demonstrated thermopile sensor and RF resonator using the SOI wafer, which has the merits of simple process and uniform membrane fabrication.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제51권12호
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• pp.597-600
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• 2002

Film Bulk Acoustic wave Resonator (FBAR) using thin piezoelectric films can be made as monolithic integrated devices with compatibility to semiconductor process, leading to small size and low cost, high Q RF circuit elements with wide applications in communications area. This paper presents a MMIC compatible suspended FBAR using surface micromachining. Membrane is composed $Si_3N_4SiO_2Si _3N_4$ multi layer and air gap is about 50${\mu}{\textrm}{m}$. Firstly, We perform one dimensional simulation applying transmission line theorem to verify resonance characteristic of the FBAR. Process of the FBAR is used MEMS technology. Fabricated FBAR resonate at 2.4GHz, $K^2_{eff}$ and Q are 4.1% and 1100.