본 논문에서는 Band-III 지상파 디지털 멀티미디어 방송 수신용 저전력 CMOS RF 튜너 칩에 대해 기술한다. 제안된 RF 튜너 칩은 저전력의 소형 휴대단말기 개발에 적합한 Low-IF 수신 구조로 설계되었으며, 174~240 MHz의 RF 방송 신호를 수신하여 1.536 MHz 대역폭의 2.048 MHz IF 신호를 출력한다. RF 튜너 칩은 저잡음 증폭기, 이미지 신호 제거 믹스, 채널 필터, LC-VCO, PLL과 Band-gap 기준 전압 생성기 등의 모든 수신부 기능 블록들을 포함하고 있으며, 0.18 um RF CMOS 기술을 이용하여 단일 칩으로 제작되었다. 또한 전력 소모를 줄이기 위한 4단계 이득 가변이 가능한 저잡음 증폭기를 제안하였으며, Schmoock's 선형화 기법과 Current bleeding 회로 등을 이용하여 수신 성능을 개선하였다. 제작된 RF 튜너 칩의 이득 제어 범위는 -25~+88 dB, 잡음 특성(NF)은 Band-III 전체 대역에서 약 4.02~5.13 dB, 선형 특성(IIP3)은 약 +2.3 dBm 그리고 이미지 신호 제거비는 최대 63.4 dB로 측정되었다. 총 전력 소모는 1.8 V 단일 전원에서 약 54 mW로 우수하며, 칩 면적은 약 $3.0{\times}2.5mm^2$이다.
본 논문에서는 와이브로와 무선랜 응용을 위한 이중 모우드 FET 믹서를 단일 게이트의 두 개 pHEMT를 캐스코드(cascode)로 연결하여 이중게이트 FET 믹서 형태로 구현하였다. 설계된 이중게이트 믹서는 와이브로와 무선랜 응용에서 DC 전력소모를 최소화하기위해 가변적인 변환이득을 갖도록 최적화되었다. 설계 믹서의 LO-RF간 격리도 특성은 2.3GHz~2.5GHz에서 약 20dB이다. LO신호가 0dBm이고 RF신호가 -50dBm일 때 믹서는 15dB의 변환이득을 갖는다. 수신되는 RF신호가 -50dBm에서 -20dBm까지 증가할 때 변환이득은 15dB에서 -2dB까지 바이어스에 따라 감소하게 된다. 가변 변환이득은 몇 가지 장점이 있다. 즉 IF단에서 AGC의 넓은 동작영역의 부담을 줄일 수 있고, 또한 믹서의 DC전력소모를 약 90% 절약할 수 있다.
본 논문은 ZigBee 응용을 위한 900MHz ISM 밴드용 RF 송 수신기 설계에 관한 기술이다. 수신단은 저잡음 증폭기, 하향믹서, 프로그래머블 이득증폭기, 밴드패스필터로 구성되며, 송신단은 밴드패스필터, 프로그래머블 이득증폭기, 상향믹서, 구동증폭기로 구성된다. 송 수신단은 Low-IF 구조를 사용하였다. 또한, 송 수신단을 구성하는 각각의 블록은 저전력 기술을 사용하여 전체적인 전류 소모를 줄였다. Post-레이아웃 시뮬레이션으로 전체 송 수신기의 성능을 검증하였으며, 0.18um RF CMOS 공정을 이용하여 칩으로 구현하였다. 측정결과 제작된 칩셋은 -92dBm의 최소 수신 입력 레벨을 갖으며, 0dBm의 선형적인 최대 송신 출력 레벨을 갖는다. 또한, 전력 소모는 32mW(@1.8VDD)이며, ESD 방지 다이오드 패드를 포함한 칩 면적은 $2.3mm{\times}2.5mm$이다.
본 논문에서는 초소형 위성에 적용할 수 있는 전개형 메쉬 안테나의 Gore 특성에 따른 radio frequency (RF) 특성 변화에 관해 논한다. 메쉬 안테나의 경우 다양한 초소형위성에 탑재할 수 있으며, 통신/영상레이다/SIGINT 등 다양한 우주임무에 활용이 가능하다. 이상적인 안테나 곡면을 형성하기 위해서는 충분한 개수의 안테나 Rib 구조로 반사판을 구현해야 한다. 그러나 안테나 Rib 개수 증가에 따라 안테나 질량을 비롯해 기계적인 전개 메커니즘의 복잡도 및 전개 신뢰성 등 다양한 설계인자에 영향을 미치게 된다. 본 논문에서는 안테나의 RF 성능 열화 최소화 관점에서 적정 안테나 Rib의 개수를 도출하기 위해 메쉬 안테나의 예시 모델을 대상으로 다양한 Rib 개수에 따른 RF 시뮬레이션을 통해 비교분석을 수행하였다.
The design, modeling and measurement of RF switch module for GSM applications is presented in this paper. RF switch module is constructed using a LTCC multi-layer switching circuit and integrated low pass filter. Insertion and return loss of the low pass filter were designed less than 0.3 dB and better than 12.7 dB at 900 MHz. The RF switch module contained 10 embedded passives and 3 surface mount components integrated on $4.6{\times}4.8{\times}1.2$ mm, 6-layer multi-layer integrated circuit. The insertion loss of switch module was measured at 900 MHz was 11 dB.
Thin films of Hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) are generally exhibited by high electrical resistivities from 10$^2$ to 10$\^$16/ Ω$.$cm, resulting in an interesting material for high power, high temperature MIS devices applications. The hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) films were deposited on silicon and glass using an rf plasma enhanced CVD method. The resultant film properties were evaluated in the respect of material based on r.f. power variation. The hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) films of thickness ranging from 30 to 50 m were deposited at the pressure of 1 ton with the mixture of methane and hydrogen. We have used rf-IR( courier transform IR) and AFM(Atomic force microscopy) for determining physical properties and current-voltage(I-V) measurement for electrical Properties.
Park, Jae Y.;Kim, Geun H.;Chung, Ki W .;Jong U. Bu
한국전자파학회논문지
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제11권6호
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pp.952-958
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2000
다양한 구조위 트랜스미션 라인과 힌지들을 갖는 고주파용 마이크로머신드 용량성 스위치들이 새롭게 디자인되었고 전기도금 기술, 저온 공정기술, 그리고 건식 식각기술들을 이용하여 제작되었다. 특히, 집적화된 용량성 스위치들이 높은 스위칭 on/off ratio와 on 캐패시턴스를 갖도록 하기 위하여 고유전율을 갖는 SrTiO3라는 상유전체를 절연체로 사용하였다. 제작된 스위치들은 8V의 구동전압, 0.08dB의 삽입손실, 42dB의 높은 isolation, 600의 on/off ratio, 그리고 50pF의 on 캐패시턴스의 특성들을 갖는다.
Embedded Laminate Embedded RF Functional Blocks.Base Library of Laminate Embedded Filters and Baluns developed for 2.4GHz Applications -S-Parameters are provided at connection points -Utilizes a low cost 2 core construction.Statistical Variation Study in Report Phase.Measurements over variants show solid performance.Filters and Baluns are available for customer use.Laminate Embedded RF Functions - Various Filters, BALUNs, couplers, etc. for Bluetooth, 802.11, and Cellular.LTCC Embedded RF Functions - Various Filters, BALLNs, Diplexers, Antenna Switches, couplers, etc. for Bluetooth, 802.11, and Cellular.Eulbedded Passives - Various Inductor topologies Performance different than ideal or discrete inductor Must look at inductor performance in overall RF function - Working on embedded ceramic capacitors in laminate . Embedded Shields - Program in place to identify and define key design rules
Journal of information and communication convergence engineering
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제18권4호
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pp.254-259
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2020
Phased-array antennas comprise a demanding antenna design methodology for commercial wireless communication systems or military radar systems. In addition to these two important applications, the phased-array antennas can be used in beamforming for wireless charging. In this study, a four-way analog beamforming front-end module (FEM) for a hybrid beamforming system is developed for 2.4 GHz operation. In a hybrid beamforming scheme, an analog beamforming FEM in which the phase and amplitude of RF signal can be adjusted between the RF chain and phased-array antenna is required. With the beamforming and beam steering capability of the phased-array antennas, wireless RF power can be transmitted with high directivity to a designated receiver for wireless charging. The four-way analog beamforming FEM has a 32 dB gain dynamic range and a phase shifting range greater than 360°. The maximum output RF power of the four-way analog beamforming FEM is 40 dBm (=10 W) when combined the four individual RF paths are combined.
This paper, we presents a RF protection technique of antenna switch by improving the power handling capability in worst case environment mode for mobile phone applications without critical payment of circuit performances such as insertion loss, isolation and ACBV (AC breakdown voltage). By applying a additional capacitive path located in front of the antenna in cell-phone, it performs the effective reduction of input power in high voltage standing wave ratio (VSWR) condition. Under the all-path off condition which causes a high VSWR, it achieved 37.7dBm power handling level as high as 5.7dB compared to that of conventional one at 2GHz. In addition, insertion loss and isolation performances were 0.31dB and 42.72dB at 2 GHz, respectively which were almost similar to that of the conventional circuit. The proposed antenna switch was fabricated in 130nm CMOS SOI technology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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