• 제목/요약/키워드: RF 칩

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단일칩 집적화를 위한 RF MEMS 수동 소자 (RF MEMS Passives for On-Chip Integration)

  • 박은철;최윤석;윤준보;하두영;홍성철;윤의식
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제13권2호
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    • pp.44-52
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    • 2002
  • 본 논문에서는 RF와 마이크로파 응용을 위한 MEMS 수동 소자에 대한 내용이다. 이 수동 소자들을 만들기 위해서 개발된 3타원 MEMS공정은 기존의 실리콘 공정과 완전한 호환성을 가지고 한 칩으로 집적화 시킬 수 있는 공정이다. 이 3차원 MEMS 공정은 기존 실리콘 긍정이 가지고 있는 한계를 극복하기 위한 방법으로써 개발되었다. 개발된 공정을 이용하여 실리콘 공정에서 구현할 수 없었던 좋은 성능의 인덕터, 트랜스포머 및 전송선을 RF와 마이크로파 응용을 위해서 구현하였다. 저 전압, 높은 차단율을 위한 push-pull 개념을 도입한 MEMS 스위치를 구현하였다. 또한 높은 Q를 갖는 MEMS 인덕터를 최초로 CMOS 칩과 집적화에 성공하여 600kHz 옵셋 주파수에서 -122 dBc/Hz의 특성을 갖는 2.6 GHz 전압 제어 발진기를 제작하였다.

휴대용 단말기 내장형 다중 대역 세라믹 칩 안테나 설계 (Multi-band Ceramic Chip Antennas Design for Portable Phones)

  • 이윤도;김영준;이상원;이용기;정음민;박영호;천창율
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신설비학회 2002년도 하계학술대회 및 세미나
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    • pp.17-20
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    • 2002
  • 본 논문에서는 세라믹 칩 안테나를 LTCC로 구현하여 다중 대역 특성을 얻는 방법을 제안하고 있다. 휴대용 단말기에 칩 안테나를 내장함으로 물리적 손상을 피하고 위치추적 시스템(GPS) 대역과 단말기 송수신용 대역, 즉 두 대역 이상 사용 가능하고 ${\varepsilon}_r=7.8$인 세라믹 칩 안테나를 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)공정을 이용하여 세라믹 칩 내부에 정합 회로를 구현하여 이중 대역 특성을 갖는 구조에 대해 논의하고 있다. 안테나의 전체 크기는 $16mm{\times}4mm{\times}2mm$ 이며 대역폭은 삽입손실 -10dB 기준 대략 1560MHz에서 2160MHz까지 약 600MHz정도이다. 측정은 접지면의 넓이가50mmx50mm이고 두께=0.7874mm, ${\varepsilon}_r=4.6$인 FR4 기판을 이용하여 측정한다.

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UHF 대역 RFID 를 위한 안테나 및 리더기술

  • 박경철;윤태섭
    • 정보와 통신
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    • 제21권6호
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    • pp.143-152
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    • 2004
  • 최근 RFID 국제 표준안이 확정되고 RFID 태그용 칩이 저가 생산이 가능하게 되면서 특히 물류 유통 분야를 중심으로 기존의 바코드를 대체하는 RFID 시스템의 상용화 가능성이 제시되고있다. 특히 감지거리가 길고 인식률이 좋은 UHF 대역의 기술적인 활용 가능성이 고조되면서 산업적으로 성공할 가능성이 더욱 커지고 있다. UHF 대역의 무선 태그의 생산 기술은 종래에는 GaAs 쇼트키 다이오드와 기타 RF회로를 CMOS 회로와 하나의 칩으로 통합하는 것이 어려워 저가, 초소형의 무선 태그용 칩을 실용화하지 못하였다 하지만 최근에 반도체 기술의 눈부신 발전과 CMOS RF 기술의 발전으로 RF 태그용 무선회로를 하나의 칩으로 통합하여 저가 생산으로 특히 유통 및 물류 분야를 중심으로 긍정적인 활용 결과 및 제품들이 등장하고 있다.(중략)

차세대 무선통신 단말기용 RF시스템 단일 칩 및 패키지(RF-SOC & SOP) 집적 안테나 기술 동향

  • 표철식;정영준;전순익;최재익;김창주;채종석
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제14권2호
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    • pp.55-67
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    • 2003
  • 본 고에서는 차세대 무선통신용 초소형 단말기 구현에서 RF 시스템의 성능 개선에 크게 기여하게 될 RF 집적형 안테나 기술 현황과 향후 발전 방향이 제시된다. 고성능을 유지하면서 초소형 RF 전치단을 실현하기 위한 능동소자와 안테나가 결합하여 복합 기능을 하는 능동 집적 안테나(AIA, Active Integrated Antenna) 기술 현황, RF 시스템 단일 패키지(RF-SOP, System On Package) 형태에 집적 가능한 안테나 및 미래의 꿈인 RF 시스템 단일 칩 (RF-SOC, System On Chip)을 향한 단일 칩 안테나 (AOC, antenna on chip) 기술 동향 등이 기술된다.

Band-III T-DMB/DAB 모바일 TV용 저전력 CMOS RF 튜너 칩 설계 (Design of a Fully Integrated Low Power CMOS RF Tuner Chip for Band-III T-DMB/DAB Mobile TV Applications)

  • 김성도;오승엽
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권4호
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    • pp.443-451
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    • 2010
  • 본 논문에서는 Band-III 지상파 디지털 멀티미디어 방송 수신용 저전력 CMOS RF 튜너 칩에 대해 기술한다. 제안된 RF 튜너 칩은 저전력의 소형 휴대단말기 개발에 적합한 Low-IF 수신 구조로 설계되었으며, 174~240 MHz의 RF 방송 신호를 수신하여 1.536 MHz 대역폭의 2.048 MHz IF 신호를 출력한다. RF 튜너 칩은 저잡음 증폭기, 이미지 신호 제거 믹스, 채널 필터, LC-VCO, PLL과 Band-gap 기준 전압 생성기 등의 모든 수신부 기능 블록들을 포함하고 있으며, 0.18 um RF CMOS 기술을 이용하여 단일 칩으로 제작되었다. 또한 전력 소모를 줄이기 위한 4단계 이득 가변이 가능한 저잡음 증폭기를 제안하였으며, Schmoock's 선형화 기법과 Current bleeding 회로 등을 이용하여 수신 성능을 개선하였다. 제작된 RF 튜너 칩의 이득 제어 범위는 -25~+88 dB, 잡음 특성(NF)은 Band-III 전체 대역에서 약 4.02~5.13 dB, 선형 특성(IIP3)은 약 +2.3 dBm 그리고 이미지 신호 제거비는 최대 63.4 dB로 측정되었다. 총 전력 소모는 1.8 V 단일 전원에서 약 54 mW로 우수하며, 칩 면적은 약 $3.0{\times}2.5mm^2$이다.

RF signal을 이용한 Transponder IC 설계 (Design of a Transponder IC using RF signal)

  • 김도균;이광엽
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 제13회 신호처리 합동 학술대회 논문집
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    • pp.911-914
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    • 2000
  • 본 논문에서는 배터리가 없는 ASK 전송방식의 RFID(Radio Frequency IDentification) Transponder 칩 설계에 관한 내용을 다룬다. Transponder IC는 power-generation 회로, clock-generation 회로, digital block, modulator, overoltge protection 회로로 구성된다. 설계된 칩은 저전력 회로를 적용하여 원거리 transponder칩을 구현할 수 있도록 하였다. 설계된 회로는 0.25㎛ 표준 CMOS 공정으로 레이아웃하여 제작하였다.

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BIST 기법을 이용한 RF 집적회로의 테스트용이화 설계 (Testable Design of RF-ICs using BIST Technique)

  • 김용;이재민
    • 디지털콘텐츠학회 논문지
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    • 제13권4호
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    • pp.491-500
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    • 2012
  • 본 논문에서는 RF 송수신 시스템 칩 내부의 저잡음증폭기(LNA)와 전체 송수신기 시스템 테스트에 효과적인 새로운 루프백(Loopback) BIST 구조를 제안한다. 제안하는 테스트기법은 외부 테스트장비(Automatic Test Equipment)를 사용하는 기존의 테스트기법과 달리 테스트 모드에서 칩에 내장된 베이스밴드 프로세서를 테스터로 사용하므로써 테스트인가와 테스트평가등을 효율적으로 수행할 수 있는 장점을 갖는다. 높은 주파수의 테스트 출력신호는 낮은 주파수로 변환하여 베이스밴드 프로세서에서 평가하게 됨으로써 테스트용이도가 향상될 수 있다. 제안하는 테스트기법은 ATE와 같은 외부테스트장비의 필요를 최소화하고 테스트 시간과 비용을 줄여 결과적으로 칩 제조비용의 절감을 가능하게 해준다.

트랜스폰더 전압을 이용한 모듈레이션 회로 및 RF칩 설계 (A Modulation Circuit and RF Chip Design by Transponder Voltage)

  • 정세진;김태진
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 D
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    • pp.2572-2573
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    • 2002
  • RF용 칩 설계에 있어서, Transponder에서 사용되는 칩 전원은 Tranceiver로부터 방사되는 RF Power를 고효율 쇼트키 다이오드을 통하여 정류하여 칩 내부에 캐패시터에 저장하여 내부회로의 동작시 충분한 전류를 제공하게된다. 이 분야의 연구는 칩 정류 효율 향상이라는 목표로 고효율 다이오드개발 및 임피던스 매칭방법과 고효율의 안테나 개발과 더불어 활발한 연구가 계속되어져 왔다. 본 논문에서는 Transponder용 전압을 제공해주는 쇼트키다이오드 더블러(Doubler)의 내부노드에 모듈레이션(Modulation) 트랜지스터 및 Transponder로서의 입력버퍼를 설계함에 있어서, 입력버퍼의 입력으로서 안테나로부터 1차 정류된 전압을 사용할 수 있는 방안을 제시한다. 또한 이를 적용하여 개발된 RF ID(Identification Device)칩의 주파수에 따른 특성 및 결과를 고찰토록 한다.

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무선통신시스템을 위한 극소형 RF 칩 인덕터의 개발 (Development of Microscale RF Chip Inductors for Wireless Communication Systems)

  • 윤의중;김재욱;정영창;홍철호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권10호
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    • pp.17-23
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    • 2003
  • 본 논문에서는 고성능의 극소형, 솔레노이드 형태의 RF 칩 인덕터를 연구하였다. 제작된 RF 칩 인덕터의 크기는 1.0×0.5×0.5㎣ 이었다. 코아의 재료 (96% Al₂O₃)와 모양 (I-type)은 인덕터의 성능을 극대화시키도록 Maxwell three-dimensional field simulator를 이용하여 결정되었다. 40㎛의 직경을 가진 가는 구리(Cu)도선을 코일로 사용하였다. 개발된 인덕터의 인덕턴스 (L), 품질계수 (Q), 그리고 커패시턴스 (C) 들에 대한 고주파 특성은 RF 임피던스/재료 분석기 (HP16193A 시험 fixture가 장착된 HP4291B)를 사용하여 측정되었다. 개발된 인덕터들은 230MHz - 1 GHz의 주파수 영역에서 11 - 39 nH 범위의 인덕턴스 값과 28 - 50 범위의 품질계수 값을 가지는데 이는 전 세계적으로 가장 좋은 칩 인덕터 업체 중의 하나인 CoilCraft/sup Tm/에 의해 생산된 인덕터들의 특성과 유사한 결과를 나타내고 있다. 시뮬레이션 데이터는 개발된 인덕터의 L, Q, C 등의 고주파 특성을 잘 예측하고 있다.

Solenoid 형태의 초소형 SMD RF 칩 인덕터에 대한 주파수 특성 (Frequency Characteristics for Micro-scale SMD RE Chip Inductors of Solenoid-Type)

  • 김재욱
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제8권3호
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    • pp.454-459
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    • 2007
  • 본 논문에서는 비정질 $Al_2O_3$ 코아 재료를 응용한 단순 solenoid 형태의 소형 고성능 RF 칩 인덕터를 연구하였다. 인덕터 크기는 $0.86{\times}0.46{\times}0.45mm^3$이고, $27{\mu}m$ 직경의 Cu를 코일로 사용하였다. RF 칩 인덕터의 인덕턴스(L), 양호 인자(Q), 임피던스(Z), 커패시턴스(C)와 등가회로 파라미터 등의 주파수 특성은 RF impedance/Material Analyzer (HP16193A test fixture가 장착된 HP4291B)로 측정되었다. $9{\sim}12$회의 권선수를 가진 RF 칩 인덕터들의 인덕턴스 값은 $21{\sim}34nH$ 범위를 가진다. 이들의 자기공진주파수(SRF)는 $5.7{\sim}3.7GHz$ 영역을 나타낸다. 또한 자기공진주파수가 증가함에 따라 인덕턴스 값이 감소하는 경향을 보이고 있다. 인덕터의 SRF는 인덕턴스가 증가함에 따라 감소하며, Q의 값은 $900MHz{\sim}1.7GHz$ 주파수 범위에서 최대 $38{\sim}49$까지 얻어졌다.

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