• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.13 no.2
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• pp.44-52
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• 2002

본 논문에서는 RF와 마이크로파 응용을 위한 MEMS 수동 소자에 대한 내용이다. 이 수동 소자들을 만들기 위해서 개발된 3타원 MEMS공정은 기존의 실리콘 공정과 완전한 호환성을 가지고 한 칩으로 집적화 시킬 수 있는 공정이다. 이 3차원 MEMS 공정은 기존 실리콘 긍정이 가지고 있는 한계를 극복하기 위한 방법으로써 개발되었다. 개발된 공정을 이용하여 실리콘 공정에서 구현할 수 없었던 좋은 성능의 인덕터, 트랜스포머 및 전송선을 RF와 마이크로파 응용을 위해서 구현하였다. 저 전압, 높은 차단율을 위한 push-pull 개념을 도입한 MEMS 스위치를 구현하였다. 또한 높은 Q를 갖는 MEMS 인덕터를 최초로 CMOS 칩과 집적화에 성공하여 600kHz 옵셋 주파수에서 -122 dBc/Hz의 특성을 갖는 2.6 GHz 전압 제어 발진기를 제작하였다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 2002.08a
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• pp.17-20
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• 2002

본 논문에서는 세라믹 칩 안테나를 LTCC로 구현하여 다중 대역 특성을 얻는 방법을 제안하고 있다. 휴대용 단말기에 칩 안테나를 내장함으로 물리적 손상을 피하고 위치추적 시스템(GPS) 대역과 단말기 송수신용 대역, 즉 두 대역 이상 사용 가능하고 ${\varepsilon}_r=7.8$인 세라믹 칩 안테나를 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic)공정을 이용하여 세라믹 칩 내부에 정합 회로를 구현하여 이중 대역 특성을 갖는 구조에 대해 논의하고 있다. 안테나의 전체 크기는 $16mm{\times}4mm{\times}2mm$ 이며 대역폭은 삽입손실 -10dB 기준 대략 1560MHz에서 2160MHz까지 약 600MHz정도이다. 측정은 접지면의 넓이가50mmx50mm이고 두께=0.7874mm, ${\varepsilon}_r=4.6$인 FR4 기판을 이용하여 측정한다.

• Information and Communications Magazine
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• v.21 no.6
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• pp.143-152
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• 2004

최근 RFID 국제 표준안이 확정되고 RFID 태그용 칩이 저가 생산이 가능하게 되면서 특히 물류 유통 분야를 중심으로 기존의 바코드를 대체하는 RFID 시스템의 상용화 가능성이 제시되고있다. 특히 감지거리가 길고 인식률이 좋은 UHF 대역의 기술적인 활용 가능성이 고조되면서 산업적으로 성공할 가능성이 더욱 커지고 있다. UHF 대역의 무선 태그의 생산 기술은 종래에는 GaAs 쇼트키 다이오드와 기타 RF회로를 CMOS 회로와 하나의 칩으로 통합하는 것이 어려워 저가, 초소형의 무선 태그용 칩을 실용화하지 못하였다 하지만 최근에 반도체 기술의 눈부신 발전과 CMOS RF 기술의 발전으로 RF 태그용 무선회로를 하나의 칩으로 통합하여 저가 생산으로 특히 유통 및 물류 분야를 중심으로 긍정적인 활용 결과 및 제품들이 등장하고 있다.(중략)

• The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.14 no.2
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• pp.55-67
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• 2003

본 고에서는 차세대 무선통신용 초소형 단말기 구현에서 RF 시스템의 성능 개선에 크게 기여하게 될 RF 집적형 안테나 기술 현황과 향후 발전 방향이 제시된다. 고성능을 유지하면서 초소형 RF 전치단을 실현하기 위한 능동소자와 안테나가 결합하여 복합 기능을 하는 능동 집적 안테나(AIA, Active Integrated Antenna) 기술 현황, RF 시스템 단일 패키지(RF-SOP, System On Package) 형태에 집적 가능한 안테나 및 미래의 꿈인 RF 시스템 단일 칩 (RF-SOC, System On Chip)을 향한 단일 칩 안테나 (AOC, antenna on chip) 기술 동향 등이 기술된다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.21 no.4
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• pp.443-451
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• 2010

This paper describes a fully integrated CMOS low-IF mobile-TV RF tuner for Band-III T-DMB/DAB applications. All functional blocks such as low noise amplifier, mixers, variable gain amplifiers, channel filter, phase locked loop, voltage controlled oscillator and PLL loop filter are integrated. The gain of LNA can be controlled from -10 dB to +15 dB with 4-step resolutions. This provides a high signal-to-noise ratio and high linearity performance at a certain power level of RF input because LNA has a small gain variance. For further improving the linearity and noise performance we have proposed the RF VGA exploiting Schmoock's technique and the mixer with current bleeding, which injects directly the charges to the transconductance stage. The chip is fabricated in a 0.18 um mixed signal CMOS process. The measured gain range of the receiver is -25~+88 dB, the overall noise figure(NF) is 4.02~5.13 dB over the whole T-DMB band of 174~240 MHz, and the measured IIP3 is +2.3 dBm at low gain mode. The tuner rejects the image signal over maximum 63.4 dB. The power consumption is 54 mW at 1.8 V supply voltage. The chip area is $3.0{\times}2.5mm^2$.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2000.09a
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• pp.911-914
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• 2000

본 논문에서는 배터리가 없는 ASK 전송방식의 RFID(Radio Frequency IDentification) Transponder 칩 설계에 관한 내용을 다룬다. Transponder IC는 power-generation 회로, clock-generation 회로, digital block, modulator, overoltge protection 회로로 구성된다. 설계된 칩은 저전력 회로를 적용하여 원거리 transponder칩을 구현할 수 있도록 하였다. 설계된 회로는 0.25㎛ 표준 CMOS 공정으로 레이아웃하여 제작하였다.

• Journal of Digital Contents Society
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• v.13 no.4
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• pp.491-500
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• 2012

In this paper, a new loopback BIST structure which is effective to test RF transceiver chip and LNA(Low Noise Amplifier) in the chip is presented. Because the presented BIST structure uses a baseband processor in the chip as a tester while the system is under testing mode, the developed test technique has an advantage of performing test application and test evaluation in effectiveness. The presented BIST structure can change high frequency test output signals to a low frequency signals which can make the CUT(circuits under test) tested easily. By using this technique, the necessity of RF test equipment can be mostly reduced. The test time and test cost of RF circuits can be cut down by using proposed BIST structure, and finally the total chip manufacturing costs can be reduced.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07d
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• pp.2572-2573
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• 2002

RF용 칩 설계에 있어서, Transponder에서 사용되는 칩 전원은 Tranceiver로부터 방사되는 RF Power를 고효율 쇼트키 다이오드을 통하여 정류하여 칩 내부에 캐패시터에 저장하여 내부회로의 동작시 충분한 전류를 제공하게된다. 이 분야의 연구는 칩 정류 효율 향상이라는 목표로 고효율 다이오드개발 및 임피던스 매칭방법과 고효율의 안테나 개발과 더불어 활발한 연구가 계속되어져 왔다. 본 논문에서는 Transponder용 전압을 제공해주는 쇼트키다이오드 더블러(Doubler)의 내부노드에 모듈레이션(Modulation) 트랜지스터 및 Transponder로서의 입력버퍼를 설계함에 있어서, 입력버퍼의 입력으로서 안테나로부터 1차 정류된 전압을 사용할 수 있는 방안을 제시한다. 또한 이를 적용하여 개발된 RF ID(Identification Device)칩의 주파수에 따른 특성 및 결과를 고찰토록 한다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.10
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• pp.17-23
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• 2003

In this study, microscale, high-performance, solenoid-type RF chip inductors were investigated. The size of the RF chip inductors fabricated in this work was 1.0${\times}$0.5${\times}$0.5㎣. The materials (96% Al2O3) and shape (I-type) of the core were determined by a Maxwell three-dimensional field simulator to maximize the performance of the inductors. The copper (Cu) wire with 40${\mu}{\textrm}{m}$ diameter was used as the coils. High frequency characteristics of the inductance (L), quality-factor (Q), and capacitance (C) of developed inductors were measured using an RF Impedance/Material Analyzer (HP4291B with HP16193A test fixture). The inductors developed have inductances of 11 to 39 nH and quality factors of 28 to 50 over the frequency ranges of 250MHz to 1 GHz, and show results comparable to those measured for the inductors prepared by CoilCraf $t^{Tm}$ that is one of the best chip inductor company in the world. The simulated data predicted the high-frequency data of the L, Q, and C of the inductors developed well.l.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.8 no.3
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• pp.454-459
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• 2007

In this work, micro-scale, high-performance solenoid-type RF chip inductors utilizing amorphous $Al_2O_3$ core material were investigated. The size of the chip inductors was $0.86{\times}0.46{\times}0.45mm^3$ and copper(Cu) wire with $27{\mu}m$ diameter was used as the coil. High frequency characteristics of the inductance(L), quality factor(Q), impedance(Z), and equivalent circuit parameters of the RE chip inductors were measured and analyzed using an RF impedance/material analyzer(HP4291B with HP16193A test fixture). It was observed that the RF chip inductors with the number of turns of 9 to 12 have the inductance of 21 to 34nH and exhibit the self-resonant frequency(SRF) of 5.7 to 3.7GHz. The SRF of inductors decreases with increasing the inductance and inductors have the quality factor of 38 to 49 in the frequency range of 900MHz to 1,7GHz.