본 연구에서는 지그비 기반의 컴퓨팅 기술이 혼합된, 난방 보일러 제어시스템을 제안한다. 지그비 RF 기술과 임베디드 하드웨어 기술의 조합을 통하여, 주택 및 아파트 등에서 각 방별로 온도 및 습도를 취합하여 난방을 관리할 수 있다. 또한 제안된 시스템은 체감온도 기반으로 난방을 관리하여 인간에게 쾌적한 환경을 제공하기 위한 최적의 선택이라 할 수 있다.
본 연구에서는 센서네트워크 기반의 컴퓨팅 기술이 혼합된, 개별난방 제어 시스템을 제안한다. 지그비 RF 기술과 임베디드 하드웨어 기술의 조합을 통하여, 주택 및 아파트 등에서 각 방별로 온도 및 습도를 취합하여 난방을 관리할 수 있다. 또한 제안된 시스템은 체감온도 기반으로 난방을 관리하여 인간에게 쾌적한 환경을 제공하기 위한 최적의 선택이라 할 수 있다.
본 논문에서는 Piezoelectric effect를 이용하여 인체의 움직임에 의한 진동 에너지를 전기적 에너지로 변환, 저장하고 이를 사용하여 온도 정보를 RF신호로 약 20 m 거리의 수신기로 전송할 수 있는 ubiquitous 네트워크용 센서 모듈을 설계.제작하고, 그 동작을 확인하였다. 또한 가장 빈번하게 신호를 보내기 위한 저장커패시터의 용량과 충전전압의 조합을 수식적으로 유도하였고 이 결과를 실험적으로 확인하였다.
태양전지, 터치센서와 같이 투명한 전극(TCO: Transparent conducting oxide)이 필요로 하는 곳에는 금속 산화물 형태의 ITO, ZnO, FTO와 같은 투명 전극이 사용된다. 그중에서 FTO는 저렴한 가격과 높은 투과율, 낮은 저항으로 주목을 받고 있다. 뿐만아니라 FTO 박막은 다른 산화물 전도체에 비해 구부림에 강한 저항성을 보여 주고 있다. FTO 박막의 캐리어 전하 생성 원리는 F 원자가 O 원자의 자리를 치환하게 되면서 잉여 전자의 발생으로 전기가 흐를 수 있다. 아직까지는 화학적 조성비에 유리한 CVD를 이용한 증착 방법이 많이 사용되고 있다. 스퍼터 장비 역시 공정 가스에 따라 화학적 조성비 변화가 가능하고 CVD와 비교하여 공정이 간단하며 연속 공정이 쉽고 대면적 적용이 가능하다. 본 실험은 본사에서 R&D용으로 제작한 Daon-1000 S 장비를 사용하였으며 DaON-1000 S는 3개의 2" sputter gun이 장착 되어 있어 co-sputtering이 가능한 장비이다.
Cu-Ni thin film strain gauges for diaphragm-type pressure sensors were developed. Thin films of Cu-Ni alloys of various compositions were deposited onto glass and stainless steel substrates by RF magnetron sputtering. The effects of composition substrate temperature Ar partial pressure and aging on the electrical properties of Cu-Ni film strain gauges in the thickness range 500~2000$\AA$ are discussed. The maximum resistivity(95.6 $\mu$$\Omega$cm) is obtained from 53wt%Cu-47wt%Ni films while the temperature coefficient of resistance(TCR) becomes minimum(25.6ppm/$^{\circ}C$). The gauge factor is about 1.9.
Structural properties of rf sputtered boron nitride films were studied as a function of deposition parameters such as nitrogen pressure, substrate temperature and substrate bias using X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy. Composition and information on chemical bonding of resultant films was determined by XPS. XPS core level spectra showed that ratio of boron to nitrogen varied from 3.11 to 1.45 with respect to partial nitrogen pressure. Curve fitting of XPS spectra revealed three kinds of bonding mechanism of boron in the films. XPS peak positions of both B 1s and N 1s shifted to higher energy with higher nitrogen pressure as well as increase in substrate bias voltage. AES was used to see possible contamination of films by carbon or oxygen as well.
Transparent olivine $LiNiPO_4$ thin films on sapphire substrates were fabricated by radio frequency (RF) magnetron sputtering. The X-ray diffraction patterns show these thin films have the phase of $LiNiPO_4$ with an ordered olivine structure indexed to the orthorhombic Pmna space group. $LiNiPO_4$ thin films deposited on sapphire substrates exhibit transmittance of about 83 %. It was confirmed that the $LiNiPO_4$ thin film exhibits a high potential of 5 V-class.
본 연구에서는 반도체 플라즈마 장비 감시를 위한 CUSUM 제어 차트 설계기법에 관해 연구하였다. CUSUM 제어 차트에 관여하는 설계변수의 다양한 조합에 대하여 플라즈마 장비의 감시 성능을 평가하였다. 평가를 위해 RF 정합망 감시시스템을 이용하여 플라즈마 임피이던스 정합에 관여하는 정합변수에 대한 실시간 데이터를 수집하였으며, 여기에는 임피이던스와 상위치에 대한 전기적 정보, 그리고 반사전력에 대한 정보가 포함된다. 평가결과, 설계변수의 조합에 대하여 감시 성능이 크게 달랐지만, 각 센서 정보의 감시 성능을 증진시키는 설계변수의 조합이 있었음을 확인하였으며, 이는 각 종 다양한 센서정보 별 CUSUM 제어 차트의 설계가 필요함을 의미한다. 연구에서는 Raw 데이터 대비 성능 분석을 위해 CUSUM 제어 차트의 설계 변수를 변수인 d와 $\Theta$값의 변화를 주어 다수의 (0, $\Theta$)의 조합에 따른 감시 성능을 평가하였으며, 평가에 이용된 데이터는 소스전력이 750 W, 압력이 15 mTorr, $O_2$ 유량이 50 sccm일 때 수집 하였다.
Carbon nitride films were deposited on various substrates for humidity sensors with meshed electrode by reactive RF magnetron sputtering system. As the ratio of injected nitrogen was decreased, the sensitivity of sensor was increased. When the ratio of injected nitrogen was $50{\sim}70%$, the sample showed the best linearity. The sensor impedance changed from $95.4{\;}k{\Omega}$ to $2.1{\;}k{\Omega}$ in a relative humidity range of 5 % to 95 %. The humidity sensors based on silicon wafer revealed higher lineality and faster response than those of alumina or quartz substrates. The adsorption saturation time of the sample was about 80 sec, and its desorption time was about 90 sec.
This paper describes the resonant characteristics of polycrystalline SiC micro resonators. The $1{\mu}m$ thick polycrystalline 3C-SiC cantilevers with different lengths were fabricated using a surface micromachining technique. Polycrystalline 3C-SiC micro resonators were actuated by piezoelectric element and their fundamental resonance was measured by a laser vibrometer in vacuum at room temperature. For the $100{\sim}40{\mu}m$ long cantilevers, the fundamental frequency appeared at $147.2kHz{\sim}856.3kHz$. The $100{\mu}m$ and $80{\mu}m$ long cantilevers have second mode resonant frequency at 857.5.kHz and 1.14.MHz, respectively. Therefore, polycrystalline 3C-SiC resonators are suitable for RF MEMS devices and bio/chemical sensor applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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