• 제목/요약/키워드: RC회로

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등가회로 모델링 구성에 따른 확장칼만필터(EKF) 기반 SOC 추정성능 비교분석 (Comparison of equivalent-circuit-model based SOC estimation using the EKF)

  • 이현준;박종후;김종훈
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.56-57
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    • 2014
  • 본 논문에서는 $LiCoO_2$ 원통형(cylindrical)셀을 확장칼만필터(extended Kalman filter; EKF) 추정알고리즘에 적용 시 등가회로모델 차이에 따른 SOC(State-of-charge) 추정성능의 비교 분석을 진행하였다. 첫 번째, 등가회로 모델의 성능을 좌우하는 RC-ladder의 개수에 따른 SOC 추정성능의 차이를 비교하였고, 두 번째, 모델 단순화에 따른 불가피한 모델의 에러를 줄이고자 사용되는 노이즈 모델(noise model) 및 데이터 리젝션(data rejection)의 유무에 따른 SOC 추정성능을 비교분석 하였다.

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Floating-Body기술을 이용한 낮은 트리거 전압을 갖는 GCNMOS 기반의 ESD 보호회로에 관한 연구 (A Study on GCNMOS-based ESD Protection Circuit Using Floating-Body Technique With Low Trigger Voltage)

  • 정준모
    • 전기전자학회논문지
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    • 제21권2호
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    • pp.150-153
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    • 2017
  • 본 논문에서는 Floating기술을 이용한 GCNMOS 기반의 ESD(Electrostatic Discharge)보호회로를 제안한다. 제안된 보호회로의 특성 분석을 위해서 시놉시스사의 TCAD 시뮬레이션을 이용하였으며 기존의 GGNMOS, GCNMOS와 비교 분석하였다. 제안된 보호회로는 Gate coupling과 Body floating기술을 적용하였으며 기존 ESD보호회로인 GGNMOS, GCNMOS와 비교하여 더 낮은 4.86V의 트리거 전압 및 1.47ns의 짧은 턴-온 타임 특성을 갖는다.

SCI 연결망의 B-Link 인터페이스 회로 구현 (Implementation of a B-Link Interface Logic for a SCI Interconnect)

  • 한종석;모상만;기안도;한우종
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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    • pp.412-415
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    • 1999
  • In this paper, we describe an implementation of the B-Link bus interface logic for a directory controller and a remote access cash controller in the SCI-based CC-NUMA multimedia server developed by ETRI . The CC-NUMA multimedia server is composed of a number of Pentium III SHV nodes and a SCI interconnection network. To communicate with remote nodes, each node has a CC-Agent which consists of a processor bus interface(PIF). a directory controller(DC), a remote access cash controller(RC), and two SCI 1ink controllers(LCs). The B-Link bus interface logic is developed for a directory controller and a remote access cash controller in order to communicate with a SCI link controller on a B-Link bus. It consists of a sending master controller a receiving slave controller, and asynchronous data buffers. And It performs a self-arbitration, a data packet transmission, a queue allocation, an early terminal ion. and a cut-through data path.

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CMOS 집적회로에서 스위칭 노이즈에 의한 신호선의 전압변동 해석 및 모델링 (Signal line potential variation analysis and modeling due to switching noise in CMOS integrated circuits)

  • 박영준;김용주;어영선;정주영;권오경
    • 전자공학회논문지C
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    • 제35C권7호
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    • pp.11-19
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    • 1998
  • A signal line potential variation due to the delta-I noise was physically investigated in CMOS integrated circuits. An equivalent circuit for the noise analysis was presented. The signal line was modeled as segmented RC-lumped circuits with the ground noise. Then the equivalent circuit was mathematically analyzed. Therebvy a new signal line potential variation model due to the switching mosie was developed. Th emodel was verified with 0.35.mu.m CMOS deivce model parameters. The model has an excellent agreement with HSPICE simulation. Thus the proposed model can be dirctly employed in the industry to design the high-performance integrted circuit design as well as integrated circuit package design.

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IC 실현에 적합한 정현파 능동 발진기의 회로 및 특성에 관한 연구(II) (Characteristics of the Sinusoidal Active Oscillator Circuit for Integrated Circuit Realization(II))

  • 박종연;이원건;손태호
    • 산업기술연구
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    • 제11권
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    • pp.43-53
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    • 1991
  • Two kinds of simple active oscillators are proposed and analyzed assuming that operational amplifier has two-poles frequency characteristics. The first circuit is composed of one operational amplifier, one resistor and one grounded capacitor. The second oscillator is realized with one operational amplifier and three resitors. Proposed oscillators have the low sensitivity of the oscillation frequency for little variations of the passive element values. By the experimental results obtained with Op-Amp. ${\mu}A741$, the simple oscillators can be useful for the frequency range $1.25 KHz{\leq}f_{01}{\leq}40KHz$ for the active-RC type or $45.45 KHz{\leq}f_{02}{\leq}400KHz$ for the active-R oscillator, and it is shown to transform the active-R oscillator circuit into the voltage controlled type. Therefore, two kinds of oscillator circuit are attractive for the IC realization, because they have one operational amplifier, one resistor and one grounded capacitor, or three resistors.

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저유전율 물질인 Metylsilsesquioxance의 반응 이온 식각 공정 (Reactive Ion Etching Process of Low-K Methylsisesquioxance Insulator Film)

  • 정도현;이용수;이길헌;김광훈;이희우;최종선
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.40-40
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    • 2000
  • 직접 회로의 소자크기가 더욱 미세화에 따라, 기존에 사용하는 금속 배선의 저항과 금속 배선과 층간 유전 물질에 의한 정전용량의 증가로 인한 시간 지연 (RC time delay) 문제가 크게 대두되고 있다. 이 문제를 해결하기 위해 비유전율이 낮은 물질을 층간 유전체로 사용하여 정전용량을 낮추는 것이 필요하다. 기존의 실리콘 산호막 대신에 MSSQ(methylsilsequioxance)를 이용할 때 필요한 건식 식각 공정을 연구하였다. MSSQ 물질을 patterning 하기 위해 습식 공정의 부산물인 폐액 등의 문제점이 발생하지 않을 뿐만 아니라, 소자의 손상이 적고 선택비가 높으며, 식각의 이방성을 향상시킬 수 있는 장점을 갖고 있는 반응 이온 식각기(reactive ion etchin)을 이용하였다. CF4/O2 plasma를 사용하였는데, 가스의 양의 flow rate와 조성비, RF pover(50, 100, 150 W)등의 변화에 따른 식각 특성을 알아보았다. atep, SEM, AFM등을 이용하여 측정·분석하였다.

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배터리 등가회로모델의 실시간 모델링 방법 개선 (Online Modeling Method Enhancing for Battery Equivalent Circuit)

  • 김재구;안정훈;이병국
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.15-16
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    • 2015
  • 본 논문은 리튬 이온 배터리의 실시간 등가회로 모델링의 정확도 개선을 위한 방법을 제안한다. 기존의 실시간 변수 추출 방법은 다수의 비선형 변수를 포함한 2차 RC ladder 모델을 기반의 변수 추출이 어렵다. 개선된 방법은 오프라인 변수 추출 결과를 기준값으로 저항성분을 실시간으로 추정하여 보정하는 방법을 사용한다. 각 실시간 모델링 방법별로 배터리 모델을 완성하고 단자 전압을 재현하여 정확도를 검증한다.

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Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출 (Bias and Gate-Length Dependent Data Extraction of Substrate Circuit Parameters for Deep Submicron MOSFETs)

  • 이용택;최문성;구자남;이성현
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권12호
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    • pp.27-34
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    • 2004
  • 최근 실리콘 미세공정의 발달로 상용화된 0.2$\mum$ 게이트길이 이하의 deep submicron MOSFET 출력특성을 정확히 모델링하기 위해서는 RF 기판 회로 연구가 필수적이다. 먼저 본 논문에서는 기판 캐패시던스와 기판 저항이 병렬로 연결된 모델과 기판 저항만을 사용한 단순 모델들에 적합한 직접 추출 방법을 각각 개발하였다. 이 추출방법들을 0.15$\mum$ CMOS 소자에 적용한 결과 단순 모델보다 RC 병렬 기판모델이 측정된 $Y_{22}$-parameter에 30GHz까지 더 잘 일치하는 것을 확인하였으며, 이는 RC 병렬 기판모델 및 직접추출방법의 RF 정확도를 증명한다. 이러한 RC 병렬 기판모델을 사용하여 게이트 길이를 0.11에서 0.5$\mum$까지 변화시키고 드레인 전압을 0에서 1.2V까지 증가시키면서 기판 모델 파라미터들의 bias 종속 특성과 게이트 길이 종속 특성을 새롭게 추출하였다. 이러한 새로운 추출 결과는 scalable한 RF 비선형 기판 모델 개발에 유용하게 사용될 것이다.

IEEE 802.15.4g MR-OFDM SUN 표준을 지원하는 0.18-μm CMOS 기저대역 회로 설계에 관한 연구 (A 0.18-μm CMOS Baseband Circuits for the IEEE 802.15.4g MR-OFDM SUN Standard)

  • 배준우;김창완
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제17권3호
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    • pp.685-690
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    • 2013
  • 본 논문에서는 IEEE 802.15.4g MR-OFDM SUN 시스템에 적용 가능한 4개의 멀티채널 대역폭 및 최대 84 dB 전압이득을 제공할 수 있는 기저대역 수신기를 제안한다. 제안하는 기저대역 수신기는 연산증폭기를 이용한 저항 부궤환 구조의 가변 이득 증폭기 2개와 한 개의 Active-RC 5차 Chebyshev필터, 그리고 한 개의 DC-offset 제거회로로 구성된다. 제안하는 기저대역 수신기는 100 kHz, 200 kHz, 400 kHz, 그리고 600 kHz의 1 dB 다중 채널 차단 주파수를 지원하며, +7 dB에서 +84 dB까지 1 dB 단계로 전압 이득을 제공한다. 또한 제안하는 기저대역 수신기는 DC-offset 제거 회로를 사용함으로써 직접 변환 수신기 구조에서 발생되는 DC-offset 문제를 회피하였다. 모의실험 결과 제안하는 수신기는 최대 차동 신호 $1.5V_{pp}$의 입력 신호를 받아들일 수 있으며, 5 kHz와 500 kHz에서 42 dB, 37.6 dB 노이즈 지수를 각각 제공한다. 제안하는 I/Q기저대역 수신기는 $0.18-{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계되었으며, 1.8 V의 전압으로 부터 총 17 mW 전력을 소모한다.

레이아웃 기반 온-칩 전력 분배 격자 구조의 인덕턴스 모델 개발 및 적용 (Layout-Based Inductance Model for On-Chip Power Distribution Grid Structures)

  • 조정민;김소영
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권9호
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    • pp.259-269
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    • 2012
  • 전원 전압이 낮아지고, 칩의 동작 속도가 빨라짐에 따라 온-칩 인덕턴스를 포함한 power distribution network (PDN) 분석이 중요해 질 것으로 예측된다. 본 논문에서는 일반적인 온-칩 전력 격자 구조에 적용시킬 수 있는 효과적인 인덕턴스 추출방법에 대해 제안한다. Chip layout에 적용할 수 있는 loop 인덕턴스 모델을 제시하고, 그 모델을 사용하여 post layout RC extraction netlist로 부터 인덕턴스를 포함한 netlist를 추출할 수 있는 tool을 개발하였다. 제안된 loop 인덕턴스 모델과 개발된 tool의 정확성은 회로 simulation을 통해 PEEC 모델과 비교하여 검증하였다. 인덕턴스 추출 방법을 실제 chip layout에 적용시켜 on-chip inductance를 포함한 PDN의 voltage fluctuation을 예측하였다. 패키지와 PCB 모델을 포함한 co-simulation 모델을 구성하여 on-chip inductance의 영향을 분석하였다.