This study was carried out to find the existing forms of chlorlnc in EM dust and to understand the valaliliratian behavior and the removal of chlorine from EAF dust with lemperalure and heating almosphere The chemical compositions of dust A are 27.3%Fe. 21.8%3Zn, 3 15%Pb, 3 51%C1 and that of dust B BE 33.92%Fe, 15.94%Zn, 2.73% Pb, 3.98%Cl. The XRD analysis and water leaching test shows that chlorlne in EM dust exist mainly as NaCI, KCI, Pb (0H)Cl. Above 99% of chlorine was volatilized when dust was hentcd in alr atmosphere at 1100$^{\circ}$C h r 1 hour and that was 96% when heated in reduction atmosnherc at 1100$^{\circ}$C for 1 hour.
Kim, Jin-Ho;Hwang, Seong-Jin;Sung, Woo-Kyung;Kim, Hyung-Sun
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.309-309
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2007
The LTCCs (low-temperature co-fired ceramics) are very important for electronic industry to build smaller RF modules and to fulfill the necessity for miniaturization of devices in wireless communication industry. The dielectric materials with sintering temperature $T_{sint}$<$900^{\circ}C$ are required. In this study, we investigated with glass-ceramic composition, which was crystallized with two crystals. The microstructure, crystal phases, thermal and mechanical properties, and dielectric properties of the composites were investigated using FE-SEM, XRD, TG-DTA, 4-point bending strength test and LCR measurement. The starting temperature for densification of a sintered body was at $779{\sim}844^{\circ}C$ and the glass frits were formatted to the crystal phases, $CaAl_2Si_2O_8$(anorthite) and $CaMgSi_O_6$(diopside), at sintering temperature. The sintered bodies exhibited applicable dielectric properties, namely 6-9 for ${\varepsilon}_r$. The results suggest that the glass-ceramic composite would be potentially possible to application of low dielectric L TCC materials.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.14
no.11
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pp.879-884
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2001
In this paper, the structural and dielectric properties of (Sr$_{l-x}$Ca$_{x}$)TiO$_3$ (0$\leq$x$\leq$0.2) -based grain boundary layer ceramics were investigated by XRD, SEM and HP4194A. The ceramics were fabricated by the conventional mixed oxide method. The sintering temperature and time were 1420~152$0^{\circ}C$ and 4 hours, respectively. The average grain size and the lattice constant were decreased with increasing content of Ca. The average grain size was increased with increase of sintering temperature. The relative density of all specimens was 96~98%. The 2nd Phase formed by the thermal diffusion of CuO from the surface leads to very excellent dielectric properties, that is, $\varepsilon$$_{r}$>50000, tan $\delta$<0.05, $\Delta$C<$\pm$10%. The appropriate Ca content was under 15 ㏖%.s under 15 ㏖%.%.
This study was carried out to investigate the characterization of iron oxide nanotubes (INTs) by anodization method and applied adsorption isotherms and kinetic models for phosphate adsorption. SEM analysis was conducted to examine the INTs surface formation. Further XRD and XPS analysis were performed to observe the crystal structure of INTs before and after phosphate adsorption. AFM analysis was conducted to determine of Fe foil surface before and after anodization. Phosphate stock solution for adsorption experiment was prepared by $KH_2PO_4$. The batch experiment was conducted using 20 ml phosphate stock solution and $40cm^3$ of INTs in 50 ml conical tube. Adsorption isotherms were applied Langmuir and Freundlich models for adsorption equilibrium test of INTs. Pseudo first order and pseudo second order models were applied for interpretation of adsorption rate by reaction time. The determination coefficient ($R^2$) values of Langmuir and Freundlich models were 0.9157 and 0.8876 respectively.
Harshini Priyaa, V.S.;Saravanathamizhan, R.;Balasubramanian, N.
Journal of Electrochemical Science and Technology
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v.10
no.2
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pp.159-169
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2019
The activated carbon materials were prepared from waste biomass by ultrasonic assisted chemical activation method (UCA), ultrasonic assisted physical activation method (UPA) and Manganese nitrogen doped carbon (Mn/N-C). The XRD result shows the turbostatic (fully disordered) structure. The cyclic voltammetry test was done at 50 mV/s using 1M sodium sulfate and the values of specific capacitance were found to be 93, 100 and 115 F/g for UCA, UPA and Mn/N-C respectively. The power density values for the samples UCA, UPA and Mn/N-C were found to be 46.04, 87.97 and 131.42 W/kg respectively. The electrochemical impedance spectroscopy was done at low frequency between 1 to 10 kHz. The Nyquist plot gives the resistant characteristics of the materials due to diffusional resistance at the electrode-electrolyte interface. The Energy Dispersive X-Ray Spectroscopyanalysis (EDAX) analysis showed that the percentage doping of nitrogen and manganese were 3.53 wt% and 9.44 wt% respectively. It is observed from the experiment Mn/N-C doped carbon show good physical and electrochemical properties.
Venkatesh, D.;Siva Ram Prasad, M.;Rajesh Babu, B.;Ramesh, K.V.;Trinath, K.
Journal of Magnetics
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v.20
no.3
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pp.229-240
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2015
In this study, nanocrystalline ferrite powders with the composition $Ni_{0.5}Zn_{0.5}Fe_2O_4$ were prepared by the autocombustion method. The obtained powders were sintered at $800^{\circ}C$, $900^{\circ}C$ and $1,000^{\circ}C$ for 4 h in air atmosphere. The as-prepared and the sintered powders were characterized by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy, and magnetization studies. An increase in the crystallite size and a slight decrease in the lattice constant with sintering temperature were observed, whereas microstrain was observed to be negative for all the samples. Two significant absorption bands in the wave number range of the $400cm^{-1}$ to $600cm^{-1}$ have been observed in the FT-IR spectra for all samples which is the distinctive feature of the spinel ferrites. The force constants were found to vary with sintering temperature, suggesting a cation redistribution and modification in the unit cell of the spinel. The M-H loops indicate smaller coercivity, which is the typical nature of the soft ferrites. The observed variation in the saturation magnetization and coercivity with sintering temperature has been attributed to the role of surface, inhomogeneous cation distribution, and increase in the crystallite size.
Kim, So-A-Ram;Kim, Min-Su;Cho, Min-Young;Nam, Gi-Woong;Lee, Dong-Yul;Kim, Jin-Soo;Kim, Jong-Su;Son, Jeong-Sik;Leem, Jae-Young
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.420-420
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2012
ZnO seed layer were deposited on quartz substrate by sol-gel method and prism-like Al-doped ZnO nanorods (AZO nanorods) were grown on ZnO seed layer by hydrothermal method with various Al concentration ranging from 0 to 2.0 at.%. Structural and optical properties of the AZO nanorods were investigated by field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL). The diameter of the AZO nanorods was smaller than undoped ZnO nanorods and its diameter of the AZO nanorods decreased with increasing Al concentration. In XRD spectrum, it was observed that stress and full width at half maximum (FWHM) of the AZO nanorods decreased and the 'c' lattice constant increased as the Al concentration increased. From undoped ZnO nanorods, it was observed that the green-red emission peak of deep-level emission (DLE) in PL spectra. However, after Al doping, not only a broad green emission peak but also a blue emission peak of DLE were observed.
Kim, Jae-Won;Kim, Du-Hyeon;Seo, Seong-Mun;Jo, Chang-Yong;Choe, Seung-Ju;Kim, Jae-Cheol;Park, Yeong-Gyu
Korean Journal of Materials Research
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v.9
no.12
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pp.1188-1195
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1999
The effect of aluminosilicate sol on the formation of mullite layer in zircon shell mold was investigated. Aluminosilicate sol was prepared by mixing of colloidal silica(NALCO(R) 1130) and an aqueous solution of aluminium nitrate at room temperature. The sol gelled at 50$^{\circ}C$ for 48 hrs. It was identified that the gel consists of aluminosilicate complexes and gibbsite. The coordination number of all aluminium ion bonded with silicon ion was four. Mullite phase formed by sintering above 1300$^{\circ}C$. XRD peak of mullite sharpened with increasing sintering temperature and the content of aluminium nitrate. Mullite phase displayed whisker-like 0.5~5${\mu}m $ particles. Separation between 1st and 3rd layers during sintering and the difference in thermal expansion coefficient between residual silica and mullite.
The interfacial structure of duplex treated AISI 4140 consisting of iron nitride and TiN layer was characterized by optical microscope, SEM and XRD. A black layer was formed from the decomposition of iron nitride during Ti ion bombardment. The black layer was characterized as an a-Fe phase transformed from the iron nitride by XRD. In order to identify the formation mechanism of the black layer, a thermal analysis of iron nitride undertaken by DSC method. As an iron nitride was mostly consisted of ${\gamma}$'-Fe$_4$N and $\varepsilon$-$Fe_3$N phase after plasma nitriding, in this study, a ${\gamma}$'$-Fe_4$N and $\varepsilon$-$Fe_3$N powders were separately prepared by the different processing conditions of gas nitriding of iron powder in the fluidized bed. From the DSC thermal analysis, the phase transformation of ${\gamma}$'$-Fe_4$N, $\varepsilon$-$Fe_3$N was followed the path of transformation; $ \Upsilon{'}-Fe_4$Nlongrightarrow${\gamma}$-Felongrightarrowa-Fe and of $\varepsilon$-$Fe_3$Nlongrightarrow$\varepsilon$-$Fe_{2.5}$ /N+${\gamma}$'$-Fe_4$Nlongrightarrow${\gamma}$'-Fe$_4$Nlongrightarrow${\gamma}$longrightarrowFelongrightarrowalongrightarrowFe, respectively. It explains the reason why the $\varepsilon$$-Fe_3$N phase disappeared in the first time and then ${\gamma}$'-Fe$_4$N in the formation of the black layer in the duplex coating.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.22
no.1
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pp.11-14
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2012
The AlGaN layer has direct wide bandgaps ranging from 3.4 to 6.2 eV. Nowadays, it is becoming more important to fabricate optical devices in an UV region for the many applications. The high quality AlGaN layer is necessary to establish the UV optical devices. However, the growth of AlGaN layer on GaN layer is difficult due to the lattice mismatch and difference thermal expansion coefficient between GaN layer and AlGaN layer. In this paper, we attempted to grow the LED structure on GaN template by mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system. We tried to find the optical and lattice transition of active layer by control the Al content in mixed-source. For the growth of epi layer, the HCl and $NH_3$ gas were flowed over the mixed-source and the carrier gas was $N_2$. The temperature of source zone and growth zone was stabled at 900 and $1090^{\circ}C$, respectively. After the growth, we performed the x-ray diffraction (XRD) and electro luminescence (EL) measurement.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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