As the conventional silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) approaches its scaling limits, quantum mechanical effects are expected to become more and more important. Accurate quantum transport simulators are required to explore the essential device physics as a design aid. However, because of the complexity of the analysis, it has been necessary to simulate the quantum mechanical model with high speed and accuracy. In this paper, the modeling of double gate MOSFET based on an adaptive neuro-fuzzy inference system (ANFIS) is presented. The ANFIS model reduces the computational time while keeping the accuracy of physics-based models, like non-equilibrium Green's function formalism. Finally, we import the ANFIS model into the circuit simulator software as a subcircuit. The results show that the compact model based on ANFIS is an efficient tool for the simulation of nanoscale circuits.
Aiming at selective adsorption and separation of Y(III) from the Y(III)-Sr(II) group in acid solution, a silica-based TODGA impregnated adsorbent [(TODGA+1-dodecanol)/SiO2-P-F600] has been prepared. Batch adsorption experiments were conducted under the effect of contact time, acid concentration, solution temperature, and adsorption capacity etc. Chromatography recovery of more than 90% Y(III) was successfully achieved under elution with 0.01 M DTPA solution in nitric acid adsorption system, and 0.1 M HCl solution in hydrochloride adsorption system, respectively.
Yao, Beimeng;Su, Rongbin;Wei, Yuming;Liu, Zhuojun;Zhao, Tianming;Liu, Jin
Journal of the Korean Physical Society
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v.73
no.10
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pp.1502-1505
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2018
We present a design for hybrid circular Bragg gratings (hCBGs) for efficiently extracting single-photons emitted by InAs quantum dots (QDs) embedded in GaAs. Finite-difference time-domain simulations show that a very high photon collection efficiency (PCE) up to 96% over a 50 nm bandwidth and pronounced Purcell factors up to 19 at cavity resonance are obtained. We also systematically investigate the geometry parameters, including the $SiO_2$ thickness, grating period, gap width and the central disk radius, to improve the device performances. Finally, the PCEs and the Purcell factors of QDs located at different positions of the hCBG are studied, and the results show great robustness against uncertainties in the location of the QD.
We propose a number-theory-based quantized mathematical optimization scheme for various NP-hard and similar problems. Conventional global optimization schemes, such as simulated and quantum annealing, assume stochastic properties that require multiple attempts. Although our quantization-based optimization proposal also depends on stochastic features (i.e., the white-noise hypothesis), it provides a more reliable optimization performance. Our numerical analysis equates quantization-based optimization to quantum annealing, and its quantization property effectively provides global optimization by decreasing the measure of the level sets associated with the objective function. Consequently, the proposed combinatorial optimization method allows the removal of the acceptance probability used in conventional heuristic algorithms to provide a more effective optimization. Numerical experiments show that the proposed algorithm determines the global optimum in less operational time than conventional schemes.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.347.2-347.2
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2016
Recently, in order to improve the performance of the colloidal quantum dot solar cells (CQDSCs), various efforts such as the modification of the cell architecture and surface treatment for quantum dot (QD) passivation have been made. Especially, the incorporation of halides into the QD matrix was reported to improve the performances significantly via passivating QD trap states that lower the life-time of the minority-carrier. In this work, we fabricated a lead sulfide (PbS) QD bilayer treated with different ligands and utilized it as a photoactive layer of the CQDSCs. The bottom and top PbS layer was treated using metal iodide ($MI_x$ and butanedithiol (BuDT), respectively. All the depositions and ligand treatments were carried out in air using layer-by-layer spin-coating process. The fabrication of the active layers as well as the n-type zinc oxide (ZnO) layer was successfully carried out on the bendable indium-tin-oxide (ITO)-coated polyethylene terephthalate (PET) substrate, which implies that this technique can be applied to the fabrication of flexible and/or wearable solar cells. The power conversion efficiency (PCE) of the CQDSCs with the architecture of $PET/ITO/ZnO/PbS-MI_x/PbS-BuDT/MoO_x/Ag$ reached 4.2 %, which is significantly larger than that of the cells with single QD (PbS-BuDT) layer.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.58
no.6
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pp.1057-1064
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2009
This paper introduces a new approach based on a quantum-inspired evolutionary algorithm (QEA) to solve unit commitment (UC) problems. The UC problem is a complicated nonlinear and mixed-integer combinatorial optimization problem with heavy constraints. This paper proposes a bounded quantum evolutionary algorithm (BQEA) to effectively solve the UC problems. The proposed BQEA adopts both the bounded rotation gate, which is simplified and improved to prevent premature convergence and increase the global search ability, and the increasing rotation angle approach to improve the search performance of the conventional QEA. Furthermore, it includes heuristic-based constraint treatment techniques to deal with the minimum up/down time and spinning reserve constraints in the UC problems. Since the excessive spinning reserve can incur high operation costs, the unit de-commitment strategy is also introduced to improve the solution quality. To demonstrate the performance of the proposed BQEA, it is applied to the large-scale power systems of up to 100-unit with 24-hour demand.
Radioactive aerosols are produced during the cutting of contaminated and activated metals. They must be collected and removed by a high-performing filtration system before releasing to the environment from the decommissioning workplace. The filtration system requires regular replacement to ensure the sufficient removal of radioactive aerosols because its filtration efficiency gradually decreases. This study evaluates the efficiency and lifetime of filters while cutting metals by using a plasma arc cutter. Particularly, this study considers the aerodynamic diameter distribution of number and mass concentrations for aerosols from 6 nm to 10 ㎛ when evaluating the performance of filters. After 20 time reuses for cutting operation performed in a cutting chamber, the removal efficiency is reduced from over 99 to below 93% at 2 ㎛. The results are used to analyze the lifetime of filters, the frequencies of their replacements, and impact on internal radiation dose.
Kwon, Jin Su;Kim, Doh Hyeon;Shin, Sung Gil;Lee, Jeong Ik;Kim, Sang Ji
Nuclear Engineering and Technology
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v.54
no.3
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pp.1085-1097
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2022
A printed circuit steam generator (PCSG) is being considered as the component for pressurized water reactor (PWR) type small modular reactor (SMR) that can further reduce the physical size of the system. Since a steam generator in many PWR-type SMR generates superheated steam, it is expected that dryout front oscillation can potentially cause thermal fatigue failure due to cyclic thermal stresses induced by the transition in boiling regimes between convective evaporation and film boiling. To investigate the fatigue issue of a PCSG, a reference PCSG is designed in this study first using an in-house PCSG design tool. For the stress analysis, a finite element method analysis model is developed to obtain the temperature and stress fields of the designed PCSG. Fatigue estimation is performed based on ASME Boiler and pressure vessel code to identify the major parameters influencing the fatigue life time originating from the dryout front oscillation. As a result of this study, the limit on the temperature difference between the hot side and cold side fluids is obtained. Moreover, it is found that the heat transfer coefficient of convective evaporation and film boiling regimes play an essential role in the fatigue life cycle as well as the temperature difference.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.16
no.4
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pp.683-688
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2021
Digital signature algorithms such as RSA and ECDSA are threatened by the development of quantum computer technology, which is attracting attention as a future technology. Alternatively, various post-quantum algorithms such as grid-based, multivariate-based, code-based, and hash-based are being studied. Among them, the hash-based is a fast and quantitative security level that can be calculated and its safety has been proven. So it is receiving a lot of attention. In this paper, we examine various hash-based digital signature algorithms that have been proposed so far, and analyze their features and their strengths and weaknesses. In addition, we emphasize the importance of reducing the size of the signature in order for the hash-based signature algorithm to be practically used.
We have investigated optical properties of InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs (100) substrate by molecular beam epitaxy, by means of photoluminescence (PL) and time-resolved PL spectroscopy. InAs QDs were grown by using In interruption growth technique, in which the In flux was periodically interrupted by a closed In shutter during InAs QDs growth. The shutter of In source was opened for 1 s and then closed for 0, 9, 19, 29, or 39 s. This growth sequence was repeated 30 times during QDs growth. For each sample, the total amount of In contributing to the growth was the same (30 s) but total growth time was varied during the InAs growth. As the In interruption time is increased from 0 to 19 s, the PL peak position of the QDs is red-shifted from 1096 to 1198 nm, and the PL intensity is increased. However, the PL peak is unchanged and the intensity is decreased as the In interruption time is increased further to 39 s. The PL decay times measured at the PL peak position for all the InAs QDs are independent on the QD growth conditions and showed about 1 ns. The red-shift of PL peak and the increase of PL intensity can be explained due to increased QD size and the enhancement in the migration of In atoms using In interruption technique. These results indicated that the size and shape of InAs QDs can be controlled by using In interruption growth technique. Thus the emission wavelength of the InAs QDs on GaAs substrate can also be controlled.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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