• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.19-24
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• 2008

본 논문에서는 모바일 영상을 위한 JPEG 양자화 테이블 설계 방법을 제안한다. 작은 화면에서 많은 정보를 표현해야 하는 모바일 영상의 특성을 고려하여 고주파 성분의 영향을 보정하도록 양자화 테이블을 모델링한다. 제안한 모델링 방법을 서비스되는 모바일 QVGA 영상에 적용하여 pre-emphasis factor를 최적화 하였다. 모바일 QVGA 영상에 대한 실험을 통하여 bpp와 PSNR이 향상됨을 보였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1029-1032
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• 2005

A 262K-color QVGA LTPS AMLCD was developed. This panel has integrated gate driver and data multiplexer (1:3) by p_Si LTPS TFT process. The commercialized driver IC was adopted to implement this display. Fine image quality, low powerconsumption and cost-efficiency feature make the panel be suitable for mobile application.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.573-574
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• 2008

In this paper, we propose a mixed driving circuit for the source driver of QVGA-scale TFT-LCD driver IC to reduce the area of the source driver. In the mixed driving circuit, graphic data pass or go through the mixed channel driver whether RGB data are the same or not. The mixed driving circuit has been designed in transistor level using the 0.35um CMOS technology and has been verified using Hspice.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.589-590
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• 2008

This paper describes an improved design of graphic memory for QVGA ($320{\times}240\;RGB$) - scale 262k-color LCD Driver IC. A distributor block is adopted to reduce graphic RAM area, which is accomplished with 1/8 data lines of the previous structure. In line-read operation, the drivabilty of memory array cell is improved by partitioning a word line according to the row address. The proposed graphic memory circuit has been designed in transistor level using $0.18{\mu}m$ CMOS technology library and verified using Hsim.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권12호
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• pp.31-38
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• 2010

본 논문에서는 QVGA급 LCD Driver IC(LDI)의 그래픽 메모리를 설계한다. 저면적을 위해 pseudo-SRAM 구조로 설계하고, 센싱 특성 개선과 line-read 동작 시 구동력 향상을 위해 bit line을 분할한 cell array 구조를 적용한다. 또한, C-gate를 이용한 저면적의 충돌방지 회로를 사용하여 그래픽 메모리의 line-read/self-refresh 동작과 기존의 write/read 동작 상호간의 충돌을 효과적으로 제어하는 방식을 제안한다. QVGA급 LDI의 그래픽 메모리는 $0.18{\mu}m$ CMOS공정을 이용하여 트랜지스터 레벨로 설계하고 회로 시뮬레이션을 통해 그래픽 메모리의 write, read, line-read, self-refresh 등의 기본 동작을 확인하고, 제안된 충돌방지 블록에 대한 동작을 확인하였다. 개선된 cell array를 통해 bit/bitb line 전압차 ${\Delta}V$는 약 15% 증가하고, bit/bitb line의 charge sharing time $T_{CHGSH}$는 약 30% 감소하여 센싱 특성이 향상되었으며, line-read 동작 시 발생하는 전류는 약 40% 크게 감소되었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.1005-1008
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• 2007

In this study, an architecture for 262K-color TFT-LCD source driver. In this paper proposed the chip consumes smaller area and static current which is suitable for QVGA resolutions. In the conventional structures, all of them need large number of OPAMP buffers to drive the pixels, Therefore, highly resistive R-DACs are needed to generate gamma voltages to reduce the static current. In this study, our design only used two OPAMPs and low resistance RDACs without increasing the quiescent current. Thus, it was experted that chip would be more in consuming lower static power for longer battery lifetime. The source driver were implemented by the 3.3 V $0.35\;{\mu}m$ CMOS technology provided by TSMC. The area of the core OPAMP circuit was about $110\;{\mu}m\;{\times}\;150\;{\mu}m$ and that of the source driver was $880\;{\mu}m\;{\times}\;430\;{\mu}m$. As compared to the conventional structure, approximately 64.48 % in area was achieved.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권2호
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• pp.20-27
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• 2011

모바일 기기에 장착되는 CMOS 이미지 센서(CIS) 칩은 배터리 용량의 한계로 인해 저전력 소모를 요구한다. 본 논문에서는 전력소모를 줄일 수 있는 데이터 플립플롭 회로와 새로운 저전력 구조의 Single-Slope A/D Converter(SS-ADC)를 사용한 이미지 센서를 설계하여 모바일 기기에 사용되는 CIS 칩의 전력 소모를 감소시켰다. 제안하는 CIS는 $2.25um{\times}2.25um$ 면적을 갖는 4-Tr Active Pixel Sensor 구조를 사용하여 QVGA($320{\times}240$)급 해상도를 갖도록 설계되었으며 0.13um CMOS 공정에서 설계되었다. 실험 결과, CIS 칩 내부의 SS-ADC 는 10-b 해상도를 가지며, 동작속도는 16 frame/s 를 만족하였고, 전원 전압 3.3V(아날로그)/1.8V(Digital)에서 25mW의 전력 소모를 보였다. 측정결과로부터 제안된 CIS 칩은 기존 CIS 칩에 비해 대기시간동안 약 22%, 동작시간동안 약 20%의 전력이 감소되었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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• pp.1033-1034
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• 2005

High resolution 2.1” QVGA LTPS LCD (190ppi) having high aperture ratio of 65% could be successfully developed using state-of-the-art SLS technology and active/gate storage structure. Cost effective P-MOS 6-Mask structure was used. Full gate and transmission gate circuits are integrated in the panel. The high aperture ratio was obtained by using active/gate capacitance structure, which can reduce storage capacitance area. The aperture ratio was increased to 65% from 49% of conventional gate/data capacitance structure. The brightness was increased from 180cd to 270cd without any degradation of optical properties such as contrast ratio, flicker or crosstalk.

• 전기전자학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.612-619
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• 2014

본 논문에서는 움직임 감지를 사용하여 영상 해상도를 자동 제어하는 실시간 다중 카메라 영상 감시 시스템을 구현하였다. 평상시에는 4개 채널의 영상을 QVGA급으로 취득한 후 하나의 VGA급 영상으로 통합하여 전송한다. 움직임이 포착되는 경우에는 해당 채널의 영상을 자동으로 확대하여 VGA급으로 취득한 후 나머지 3개 채널의 영상을 QQVGA급으로 줄여서 오버레이한다. 이를 통하여 모든 채널의 영상을 놓치지 않으면서도 전송 대역폭을 늘리지 않고 움직임이 포착된 채널을 확대하여 감시할 수 있다. 0.18 um 공정에서 합성한 최대 동작 주파수는 110 MHz로서 이론상으로 4개의 HD급 카메라를 지원할 수 있다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.141-144
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• 2007

We demonstrated 4 inch QVGA AMOLED display driven by GaInZnO TFT. The structure of GaInZnO TFT is back channel etch (BCE) which is conventional structure for a-Si TFT. The electron mobility of GaInZnO TFT is $2.6\;cm^2/Vs$ and Vt is 3.8V. It is thought that GaInZnO TFT could be backplane for AMOLED TV.