• 한국재료학회지
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• 제9권3호
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• pp.229-233
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• 1999

DC마그네트론 스퍼터링 방식으로 $Ti/SiO_2$/Si 구조 위에 Pt(200) 박막을 배향 성장시키기 위해 증착조건(스퍼터링 가스의 종류와 압력, 기판의 온도)과 후속열처리(RTA, Furnace annealing)에 따른 Pt 박막의 전기, 결정학적 특성을 조사하였다. 실험결과, 20mTorr의 Ar+O$_2$(20%)의 혼합가스 분위기에서 기판온도를 $500^{\circ}C$로 유지하여 Pt박막을 증착하고$ 600^{\circ}C$에서 30초간 급속 열처리를 실시한 경우, 90% 이상의 결정 배항도를 갖는 Pt(200) 박막을 제작할 수 있었다. 제작된 Pt(200) 박막은 $30~40\mu$Ω.cm의 낮은 전기저항율과 우수한 열적 안정성을 나타내었으며$ 600^{\circ}C$의 고온에서 장시간 열처리를 실시하여도 전기저항율이나 우선 배향성의 변화, 박막내 미세 결함 및 열적응집현상 등이 발생되지 않았다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제49권7호
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• pp.388-393
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• 2000

Hydrogen-sensing behaviors of Pd- and Pt-SiC Schottky diodes, fabricated on the same SiC substrate, have been systematically compared and analyzed as a function of hydrogen concentration and temperature by I-V and$\DeltaI-t$ methods under steady-state and transient conditions. The effects of hydrogen adsorption on the device parameters such as the barrier height are investigated. The significant differences in their hydrogen sensing characteristics have been examined in terms of sensitivity limit, linearity of response, response rate, and response time. For the investigated temperature range, Pd-SiC Schottky diode shows better performance for H2 detection than Pt-SiC Schottky diode under the same testing conditions. The physical and chemical mechanisms responsible for hydrogen detection are discussed. Analysis of the steady-state reaction kinetics using I-V method confirmed that the atomistic hydrogen process is responsible for the barrier height change in the diodes.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.90-92
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• 2001

Carbon monoxide-sensing behavior of Pt-SiC Schottky diodes. fabricated on the same SiC substrate have been systematically compared and analyzed as a function of carbon monoxide concentrati on and temperature by I-V and ${\Delta}I$-t methods under steady-state and transient condition. Adsorption activation energies of Carbon monoxide on the surface of Pt-SiC Schottky diodes is investigated in a high temperature range ($100{\sim}500^{\circ}C$). The optimal temperature for behavior sensing is $300^{\circ}C$ and saturation concentration is 200 ppm.

• Journal of Magnetics
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• 제8권3호
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• pp.113-117
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• 2003

$Co_{78-x}Pt_xB_{10}Si_{12}$ alloys were produced using the melt-spin process in order to study the crystallization behavior and ensuing magnetic properties of the $Co_{78-x}Pt_xB_{10}Si_{12}$ (Co-Pt) amorphous alloys as a function of the Pt content. We showed that when $\chi$ $>$ 15 well below its stoichiometric composition, CoPt crystallized in the amorphous alloy, thus greatly altering the crystallized microstructure and magnetic properties during annealing. Below this composition, the main crystallization product was Co with Pt dissolved in its lattice. In spite of the nucleation of CoPt with high magnetic anisotropy, the highest coercivity was obtained when x was 15. It was also concluded that the Pt addition deteriorated the glass stability, triggering the devitrification at a progressively lower temperature.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권3호
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• pp.39-45
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• 1998

SrBi$_{2}$Ta$_{2}$O$_{9}$ (SBT) ferroelectric thin films for nonvolatile memory were prepared on Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si and RuO$_{2}$/SiO$_{2}$/Si substrates by RF magnetron sputtering. The dependences of crystalline and electrical properties on the lower electrode type(Pt and RuO$_{2}$) and the annealing temperatures were investigated. SBT films regardless of their electrode types showed typeical Bi layered peroviskite crystal structures. The crystalline quality of as-deposited SBT films was improved by the rapid thermal annealing at 650.deg. C for 30 sec. The remanetn polarization of 2Pr (Pr+-Pr-) of the annealed SBT films deposited on Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si substrates were about 11 .mu.C/cm$^{2}$ and 3 .mu.C/cm$^{2}$, respectively. The leakage currents at 3 V bias voltage were about 0.8 .mu.A/cm$^{2}$ for SBT/ Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si and about 1 .mu.A/cm$^{2}$ for SBT/RuO$_{2}$/SiO$_{2}$/Si sample. SBT films annealed at 650 .deg. C showed no degradation in Pr values after 10$^{11}$ polarization switching cycles, indicating good fatigue properties. In addition, for SBT samples deposited on Pt/Ti/SiO$_{2}$/Si, Pr values increased to more than that of initial state, suggesting the increament of leakage current caused by repeated polarization.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.138-138
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• 1997

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.130-130
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• 1997

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 춘계학술발표회
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• pp.58-58
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• 1997

• 공업화학
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• 제10권8호
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• pp.1109-1113
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• 1999

함침법에 의하여 제조된 $Pt/MoO_3$와 $Pt/MoO_3/SiO_2$ 및 $Pt^{\circ}$와 $MoO_3$를 기계적으로 혼합한 촉매를 사용한 $50^{\circ}C$ 등온 환원 실험에서 소성 온도가 증가할수록, $H_2$ spillover에 의하여 Pt로부터 $MoO_3$로 이동하여 저장되는 $H_2$가 증가하는 것을 측정하였다. 연속적으로 실행한 CO chemisorption에 의하여 $H_2$ spillover에 참가하는 $H_2$에 노출된 Pt 표면적이 감소하는 것을 알 수 있었다. 또한, TEM 결과로부터 $400^{\circ}C$에서 소성 후 Pt결정 표면에 $MoO_x$ overlayer가 형성되는 것을 관찰하였다. 그러므로, 표면 형상 변화에 따른 Pt과 $MoO_3$간의 활성접촉점 증가가 $H_2$ spillover에 의한 $MoO_3$로의 $H_2$ 이동을 증가시키는 원인 중의 하나인 것으로 판명된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권11호
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• pp.1097-1104
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• 2000

MOD(Metal-Organic-Decomposition)법에 의해 $Y_2$O$_3$버퍼층에 Pt/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판 위에 제조한 후, 그 표면 위에 졸-겔 방법으로 YMnO$_3$박막을 형성하였다. 기판의 종류와 수화조건 변화가 YMnO$_3$박막의 결정화 거동에 미치는 영향을 고찰하였으며, 또한 $Y_2$O$_3$버퍼층 유.무에 따른 Mn의 산화상태를 확인하고 이에 따른 유전특성 변화를 연구하였다. $Y_2$O$_3$버퍼층을 삽입하지 않고 직접 기판 위에 형성한 YMnO$_3$박막의 결정상은 기판의 종류 및 Rw 변화에 관계없이 orthorhombic 구조임이 확인되었다. 반면, $Y_2$O$_3$버퍼층 위에 형성된 YMnO$_3$박막의 경우에는 Rw($H_2O$/alkoxide mole ratio)가 0~6 범위 내에서 낮아질술고 hexagonal 결정상 성장에 유리하였으며, 또한 Pt(111)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si 기판이 Ptd(200)/TiO$_2$/SiO$_2$/Si에 비하여 결정상 형성에 용이하였다. $Y_2$O$_3$버퍼층은 YMnO$_3$결정상 내에서 $Mn^{4+}$ 이온형성을 억제함으로써 누설전류밀도가 크게 감소되는 효과를 주었으며, 동시에 강유전 특성을 지닌 hexagonal 결정상 형성에 유리하게 작용하였다. 결론적으로, $Y_2$O$_3$는 Pt가 코팅된 Si 기판 위에 YMnO$_3$박막 제조시 그 강유전 특성을 향상시켜주는 우수한 버퍼층 재료임을 확인하였다.