• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.17 no.9
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• pp.930-935
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• 2004

$({Li}_{0.5}0{La}_{0.5}){TiO}_3$ (LLTO) solid electrolyte was grown on LiCo{O}_2 (LCO) cathode films deposited on $Pt/Ti{O}-2/Si{O}_2/Si$ substrate using pulsed laser deposition for all-solid-state lithium microbattery. LLTO solid electrolyte exhibits an amorphous phase at various deposition temperatures. LLTO films deposited at 10$0^{\circ}C$ showed a clear interrace without any chemical reaction with LCO, and showed an initial discharge capacity of 50 $\mu$Ah/cm$^2$-$\mu$m and capacity retention of 90 % after 100 cycles with Li anode in 1mol$ LiCl{O}_4$ in propylene carbonate (PC). The increase of capacity retention in LLTO/LCO structure than LCO itself was attributed to the structural stability of LCO cathode films by the stacked LLTO. The cells of LLTO/LCO with LLTO grown at $100^{\circ}C$ showed a good cyclic property of 63.6 % after 300 cycles. An amorphous LLTO solid electrolyte is possible for application to solid electrolyte for all-solid-state lithium microbattery.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07a
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• pp.385-388
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• 2004

염료감응형 태양전지는 다공질 $TiO_2$ 전극막, 광감응형 염료, 전해질, 상대전극으로 구성된, 전기화학적 원리를 응용한 신형태양전지이다. 본 연구에서는 백금 상대전극의 제조 방법에 따른 태양전지의 효율 및 특성을 비교하였다. 본 연구에 사용된 백금 상대전극막의 제조 방법은 스퍼터링(sputtering)법 과 전기도금(electroplating)법이다. 두 상대전극의 전기화학적 특성은 cyclic voltammetry와 Imepedance spectroscopy 측정을 통하여 비교하였다. 두 전극이 태양전지의 효율 및 특성에 미치는 영향은 단위 셀 태양전지를 제조하여 단파장 하에서 $350nm{\sim}700nm$의 파장별 효율을 측정함으로써 조사하였다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.18 no.2
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• pp.141-146
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• 2009

PLZT ferroelectric thin films were deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrate with $TiO_2$ buffer layer in between by rf magnetron sputtering method. In order to investigate the effect of Ar/$O_2$ partial pressure ratio on the ferroelectric properties of PLZT thin films, PLZT thin films were deposited at various Ar/$O_2$ partial pressure ratio ; 27/1.5 seem, 23/5.5 seem, 21/7.5 seem and 19/9.5 seem. The crystallinities of PLZT thin films were analyzed by XRD. The surface morphology was observed using FE-SEM. The P-E hysteresis loops, the remanent polarization characteristics and the leakage current characteristics were obtained using a Precision LC. The crystallinity and elaborateness of PLZT thin films were decreased as increasing the oxygen partial pressure ratio. And preferred orientation of PLZT thin films changed from (110) plane to (111) plane. The oxygen partial pressure ratio affects the thin film surface morphology and the ferroelectric properties.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• v.14 no.2
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• pp.86-89
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• 2013

Dye-sensitized solar cells have a FTO/$TiO_2$/Dye/Electrode/Pt counter electrode structure, yet more than a 10% electron loss occurs at each interface. A passivating layer between the $TiO_2$/FTO glass interface can prevent this loss of electrons. In theory, ZnO has excellent electron collecting capabilities and a 3.4 eV band gap, which suppresses electron mobility. FTO glass was coated with ZnO thin films by RF-magnetron sputtering; each film was deposited under different $O_2$:Ar ratios and RF-gun power. The optical transmittance of the ZnO thin film depends on the thickness and morphology of ZnO. The conversion efficiency was measured with the maximum value of 5.22% at an Ar:$O_2$ ratio of 1:1 and RF-gun power of 80 W, due to effective prevention of the electron recombination into electrolytes.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.5
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• pp.606-610
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• 1995

In this study, Pb(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_{3}$ ceramic thin films were fabricated from an alkoxide-based by Sol-Gel method. Pb(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_{3}$ stock solution was made and spin-coated on the Pt/ $SiO_{2}$/Si substrate at 4000[rpm] for 30[sec.]. Coated specimens were chied at 400[.deg. C] for 10[min]. The coating process was repeated 6 times and then heat-treated at 500-800[.deg. C] and 1 hour. The final thickness of the thin films were about 4800[.angs.]. The ferroelectric perovskite phases precipitated under the sintering of 700[.deg. C] for 1 hour. Pb(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_{3}$ thin films sintered at 700[.deg. C] for 1 hour showed good dielectric and ferroelectric properties.

• Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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• v.22 no.1
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• pp.43-51
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• 2006

Nonthermal plasma-driven catalysis (PDC) was investigated for the decomposition of benzene and toluene as model compounds of volatile organic compounds (VOCs) at atmospheric pressure and low temperature. Two types of catalysts Ag/$TiO_{2}$ and Pt/$\gamma-Al_{2}O_{3}$ were tested in this study. The amount of catalysts packed in the PDC reactor did not influence on the decomposition efficiency of benzene. The type of catalysts also had no influence on the decomposition efficiency of toluene and carbon balance. The Ag/$TiO_{2}$ catalyst showed constant $CO_{2}$ selectivity of about $73\%$ regardless of the specific input energy. However, the selectivity of $CO_{2}$ was greatly enhanced with the Pt/$\gamma-Al_{2}O_{3}$ catalysts, and reached $97\%$ at 205 J/L. Two test runs with 20 fold difference in the gas flow clearly indicated that lab-scale data can be successfully applied for the scaling-up of PDC system.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.206-206
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• 2010

정보화 기술이 급속히 발전함에 따라서 보다 많은 양의 data를 전송, 처리, 저장 하게 되면서 이를 처리 할 수 있는 대용량, 고속, 비휘발성의 차세대 메모리의 개발이 요구 되고 있다. 이 중 저항 변화 메모리(ReRAM)는 일반적으로 전이금속산화물을 이용한 MIM 구조로서 적당한 전기 신호를 가하면 저항이 높아서 전도되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 낮아져 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가진다. ReRAM은 비휘발성 메모리이며 종래의 비휘발성 기억소자인 Flash memory 보다 access time이 $10^5$배 이상 빠르며, 2~5V 이하의 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또한 구조가 간단하여 공정상의 결함을 현저히 줄일 수 있다는 점 등 많은 장점들이 있어서 Flash memory를 대체할 수 있는 유력한 후보로 여겨지고 있다. 저항 변화의 특징을 잘 나타내는 물질에는 $TiO_2$, $Al_2O_3$, $NiO_2$, $HfO_2$, $ZrO_2$등의 많은 전이금속산화물들이 있다. 본 연구에서는 Reactive DC-magnetron Sputtering 방법과 DC-magnetron sputter를 이용하여 Ti를 증착한 후 Oxidation 방법으로 각각 증착한 $TiO_2$박막을 사용하여 저항변화특성을 관찰하였다. $TiO_2$상부에 Atomic Layer Deposition (ALD)를 이용하여 $HfO_2$ 박막을 증착하여 표면처리를 하고, 또한 $TiO_2$에 다른 전이 금속박막 층을 추가 증착하여 저항변화 특성에 접합한 조건을 찾는 연구를 진행하였다. 하부 전극과 상부 전극 물질로는 Si 100 wafer 위에 Pt 또는 TiN을 사용하였다. 저항변화 특성을 평가하기 위해 Agilent E5270B를 이용하여 current-voltage (I-V)를 측정하였다. X-ray Diffraction (XRD)를 이용하여 증착 된 전기금속 박막 물질의 결정성을 관찰했으며, Atomic Force Microscopy (AFM)을 이용하여 증착 된 샘플의 표면을 관찰했다. SEM과 TEM을 통해서는 sample의 미세구조를 확인 하였다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.7 no.6
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• pp.1284-1291
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• 2006

This work examined improving the activity of photocatalyts by novel metal doping for the degradation of volatile organic compounds, such as formaldehyde and acetone. The activity was determined with type of dopant novel metal and volatile organic compounds. The palladium-doped $TiO_2$ was found to be improved the decomposition of acetone. The photocatalytic degradation rate for acetone was increased with decreasing temperature to $45^{\circ}C$. The optmum temperature of photocatalytic degradation rate for formaldehyde was $75^{\circ}C$. The enhancement of reaction rate with novel metal were 1.0 wt.% of palladium for acetone, 1.0 wt.% of plaitnum for formaldehyde.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.6
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• pp.573-581
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• 1993

0.10Pb(Sb$_{1}$2/Sn$_{1}$2/)O$_{3}$-0.25PbTiO$_{3}$-0.65PbZrO$_{3}$ 세라믹을 소결온도 및 시간을 각각 1200-1250[.deg.C]에서 2, 4, 6시간으로 변화시켜 제작하였으며 시편의 소결조건 및 MnO$_{2}$(0~0.30mol%)첨가량에 따른 잡음특성을 관찰하였다. 초전계수 및 전압감도는 1250[.deg.C]에서 2시간 소결시킨 시편에서 각각 3.49x$10^{-8}$[C/$cm^{2}$K], 147[V/W]의 최대값을 나타내었다. 초전형 적외선 검출기의 잡음특성에 있어 증폭기의 전류잡음 .DELTA.V$_{i}$가 총 잡음전압에 대해 지배적인 경향을 나타내었으며 MnO$_{2}$가 0.24[mol%] 첨가된 1250[.deg.C]에서 2시간 소결시킨 시편에서 가장 양호한 pop-corn잡음특성을 나타내었다.다.

• Ceramist
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• v.3 no.1
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• pp.45-52
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• 2000

전자싸이클로트론공명플라즈마 화학기상증착법(ECR-PECVD)에 의한 Pt 및 $RuO_2$ 기판에서의 PZT 박막의 증착특성 및 전기적 특성을 조사하였다. $RuO_2$ 기판에서는 Pt 기판에 비하여 Pb-관련 이차상이 형성되기 쉬웠고, PZT 페로브스카이트 핵생성이 어려웠다. 하지만, $RuO_2$ 기판에서도 금속유기 원료기체의 정확한 유량조절(특히, $Pb(DPM)_2$ 유량)과 Ti-oxide 씨앗층의 도입을 통하여 $450^{\circ}C$의 비교적 낮은 증착온도에서 단일한페로브스카이트 박막 제조가 가능하였으며, $RuO_2$ 기판에서도 미세구조가 향상된 PZT 박막의 경우 $10^{-6}A/cm^2@100kV/cm$의 우수한 누설전류 특성을 나타내었다. 4 가지 전극배열의 PZT 커패시터들 중에서 $RuO_2//RuO_2$ 커패시터는 누설전류밀도가 $10^{-4}A/cm^2@100kV/cm$ 정도로 높았지만, 피로현상은 나타나지 않았다. 일방향 전계 (unipolar) 피로특성에서 나타난 polarization-shift 현상과 양방향 전계 (bipolar) 피로특성의 온도의존성 결과는 PZT 박막내 charged defect의 이동이 어려움을 나타내었다. Bipolar 신호에 의한 피로현상은 인가전계에 의한 분극반전 과정에서 Pt 계면에서 charged defect의 형성과 관련이 있는 것으로 판단되었다. 또한, 상하부 전극물질 이 다른 경우에는 상하부 계면의 charged defect 밀도에 차이가 생겨 내부전계가 형성되는 것으로 판단되었다.