• 제목/요약/키워드: Pt$TiO_{2}$

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PMN-PT-BT/Ag 복합체 제조 및 기계적, 유전적 특성 (Preparation of PMN-PT-BT/Ag Composite and its Mechanical and Dielectric Properties)

  • 임경란;정순용;김창삼;남산
    • 한국세라믹학회지
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    • 제39권9호
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    • pp.846-850
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    • 2002
  • 강유전체 물질인 PMN-PT-BT의 기계적 특성을 향상시키기 위한 Ag와의 복합체 제조를 MgO 졸로 분말 표면을 코팅하여 소결시 Ag의 이동을 제어하는 방법으로 시도하였다. PbO, $Nb_2O_5,\;TiO_2,\;BaCO_3$와 MgO 대신 $Mg(NO_3)_2$을 사용하여 볼밀로 혼합한 후, 건조된 분말을 950$^{\circ}C$/1h 열처리하여, 단일 페로브스카이트 상을 얻었다. 이 분말에 3.0 몰%의 $Ag_2O$을 혼합한 후, 550$^{\circ}C$/1h 열처리로 Ag 입자를 생성시키고, 이 혼합 분말에 1.0wt%의 MgO 졸을 첨가한 다음 550$^{\circ}C$/1h 열처리하여 표면 개질된 분말을 얻었다. 이 분말을 산소 분위기에서 1000$^{\circ}C$/4h 열처리한 소결체는 소결 밀도 7.84/$cm^3$, 실온 유전율 18400, 유전손실 2.4%, 비저항 $0.24{\times}10^{12}{\Omega}{\cdot}cm$의 수한 유전 특성과 굽힘강도 $120.7{\pm}11.26$ MPa와 파괴인성 $0.87{\pm}0.002\;MPam^{1/2}$을 보여 주었다. 결정립의 크기는 ∼4${\mu}m$이며, SEM과 SIMS 분석은 Ag는 ∼1${\mu}m$ 크기로, 과잉의 MgO는 ∼0.5${\mu}m$로 분포되어 있음을 알 수 있었다.

변조된 TiO2 광촉매를 이용한 벽지제조와 대기 중의 NO 제거 효과 (Preparation of Wall Paper Coated with Modified TiO2 and Their Photocatalytic Effects for Removal of NO in Air)

  • 권태리;류완호;이철우;이원묵
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제43권1호
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    • pp.1-8
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    • 2005
  • 본 연구에서는 광촉매의 광자효율을 증가시키고, 물성을 변화시켜 광촉매 성능을 향상시키기 위하여, 자동차 폐 촉매에서 추출된 귀금속 용액 또는 $H_2PtCl_6$ 용액을 수열합성법에 의해 제조된 $TiO_2$와 상업용 $TiO_2$인 P-25(Degussa Co.)를 함침시켜 변조된 광촉매를 제조하였다. 그리고 변조된 광촉매는 ICP-AES, EDS, UV-DRS, XRD, XANES, SEM에 이용하여 물성분석 하였다. 그리고 폐 자동차 촉매전환기의 추출용액을 함침시킨 광촉매를 변조하여 band-gap energy를 1.76eV(705 nm)의 가시광 영역까지 조절하였다. 변조된 광촉매는 PVC가 주성분인 벽지 코팅제와 농도별로 혼합하여 광화학반응을 위한 기능성 도료를 제조하였다. 이 도료를 사용하여 광촉매가 코팅된 기능성 벽지를 제조하였으며, 제조된 벽지의 광촉매 성능을 평가하였다. 반응모델 물질로 NO를 이용하여 촉매 조성, 반응물 농도, 벽지의 촉매 담지량, 반응시간에 따른 광 화학반응속도를 측정하였다. 그 결과 폐 자동차 촉매전환기의 추출용액으로 변조된 $TiO_2$의 광촉매 활성이 크게 증가하였음을 알 수 있었고 그 중에서도 P-25에 추출용액을 함침시킨 P-25(w)의 광촉매가 가장 우수한 광촉매활성도를 나타내었다.

조성비에 따른 Pb[(Zr,Sn)Ti]NbO3 박막의 강유전 특성 (Ferroelectric Properties of Pb[(Zr,Sn)Ti]NbO3 Thin Films with Various Composition Ratio)

  • 최우창;최혁환;이명교;권태하
    • 센서학회지
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    • 제11권1호
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    • pp.48-53
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    • 2002
  • 강유전 물질인 $Pb_{0.99}[(Zr_{0.6}Sn_{0.4})_{1-x}Ti_x]_{0.98}Nb_{0.02}O_3$(PNZST) 박막을 10 mole%의 과잉 PbO가 첨가된 타겟을 이용하여 $La_{0.5}Sr_{0.5}CoO_3$(LSCO)/Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판상에 RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. Ti의 조성비를 변화시키면서 증착된 박막에 대하여 그 결정성과 전기적 특성을 조사하였다. 80 W의 RF 전력, $500^{\circ}C$의 기판온도에서 증착한 후, $650^{\circ}C$, 공기중에서 10초 동안 급속 열처리된 박막이 가장 우수한 페로브스카이트상으로 결정화되었다. 또한. Ti의 조성비가 10 mole%를 가지는 PNZST이 가장 우수한 결정성과 강유전 특성을 나타내었다. 이러한 박막으로 제작된 PNZST 커패시터는 약 $20\;{\mu}C/cm^2$정도의 잔류분극과 약 50 kV/cm 정도의 항전계를 나타내었으며, $2.2{\times}10^9$의 스위칭 후에도 잔류분극의 감소는 10% 미만이었다.

고주파 소자용 $BaTi_4O_9$ 박막의 미세구조와 유전특성 연구 (Microstructure and Dielectric Properties of $BaTi_4O_9$ Thin Film for Microwave Devices)

  • 장보윤;이석진;남산;이확주
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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    • pp.125-129
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    • 2004
  • [ $BaTi_4O_9$ ] thin film were grown on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate using rf magnetron sputter, and the microstructure and dielectric properties of the thin films were investigated. For the film grown at $350^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$, the $BaTi_5O_{11}$ Phase was formed. However, the $BaTi_4O_9$ phase was formed when the growing temperature exceeded $450^{\circ}C$ The dielectric constant of the $BaTi_4O_9$ thin film grown at $550^{\circ}C$ and rapidly thermal annealed at $900^{\circ}C$ was about 40 at low frequency range($100kHz{\sim}1MHz$) and 36 at microwave range($1{\sim}10GHz$) which is very close to that of the bulk $BaTi_4O_9$ phase. The dissipation factor was very low, about 0.005 at low frequency as well as microwave range.

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$BaTiO_3$ 박막 커패시터의 유전특성 (The dielectric characteristics of $BaTiO_3$ thin capacitor)

  • 홍경진;김태성;능전준일
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제8권5호
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    • pp.580-586
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    • 1995
  • 최근 커패시터의 전극은 Pt, Au등으로 이용되고 있다. 이러한 전극의 전기적 특성은 우수하나 고가이다. 본 연구에서는 전극의 저가격화 측면에서 알루미늄 전극 위에 BaTiO$_{3}$를 증착하고 기관의 온도를 실온에서 600[.deg. C]까지 변화시켜 RF스퍼터링법으로 제작하였다. BaTiO$_{3}$세라믹의 유전특성은 구성하고 있는 입자의 강유전 분역 밀도와 입자의 크기에 의존하므로 입자가 성장되는 온도영역에서 입자의 크기와 유전율간의 관계를 연구하였다. 또한 BaTiO$_{3}$박막 커패시터의 유전상수는 BaTiO$_{3}$세라믹과 알루미늄기관의 계면에서 산화특성이 일어나기 때문에 기관온도의 변화에 의해 조사되었다. 기관의 온도를 증가시킴에 따라 결정면의 피크와 강도는 증가하였으며, 유전특성은 결정입자의 크기가 0.8[.mu.m]일때 가장 양호하였다. 유전율값은 기판 온도가 400[.deg. C]일 때 가장 크게 나타났다. 결과적으로, 알루미늄 전극에 BaTiO$_{3}$세라믹을 증착하여 저가의 적층용 세라믹 콘덴서를 제조할 수 있음을 알았다.

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Y2O3가 첨가된 PZN-BT-PT 세라믹의 유전 및 전기적 특성에 관한 연구 (A Study on the Dielectric, Electrical Properties of the PZN-BT-PT Ceramics)

  • 유주현;이두희;홍재일;강원구;박창엽
    • 대한전기학회논문지
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    • 제41권3호
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    • pp.253-260
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    • 1992
  • In this study, the dielectric, structural and electrical properties of Pb(ZnS11/3TNbS12/3T)OS13T-BaTiOS13T-PbTiOS13T system ceramics were investigated with respect to the variation of YS12TOS13T addition amount. As the YS12TOS13T addition amount is increased, the resistivity at 100$^{\circ}C$ and the resonant/antiresonant frequencies and the frequency constant are slowly increased, and the grain growth is restrained until 0.4 wt% YS12TOS13T addition amount but continuously increased with the addition amount more than 0.4 wt% YS12TOS13T. As the YS12TOS13T addition amount is increased, the density, the diffuseness of dielectric constant and the induced polarization are increased until 0.4 wt% YS12TOS13T addition.

Mn-TiO2 촉매의 가시광촉매 특성 (The characteristics of Mn-TiO2 catalyst for visible-light photocatalyst)

  • 김문찬
    • 분석과학
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    • 제24권6호
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    • pp.493-502
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    • 2011
  • 본 연구에서는 가시광촉매의 특성을 나타낼 수 있는 촉매를 제조하여 촉매를 특성화 하였으며, toluene, xylene, MEK (methyl ethyl ketone), ammonia를 반응물로 하여 기존의 UV-광촉매와 분해능을 비교 실험하였다. UV-광촉매는 파장범위가 280~360 nm 근처에서 광촉매가 활성화된다. 그러나 가시광촉매는 가시광영역인 400~750 nm의 파장영역에서도 광촉매가 활성화 된다. 이것을 UV-Vis 흡수도로 파악하였다. 그리고 가시광촉매의 성능을 향상시키기 위하여 여러 가지 재료로 도핑하는데, 여기서는 망간에 Pt를 부가하여 성능향상을 꾀하였다. Pt를 첨가한 가시광 촉매의 경우 성능이 향상되었음을 알 수 있었다. 그리고 바인더로 MTMS (methyl tri methoxy silane)를 사용하였으며 바인더양에 따른 접촉각을 측정하였다. MTMS 함량이 증가할수록 접촉각이 커졌다. 따라서 친수성이 줄어든 것으로 나타났다. 그리고 Mn-$TiO_2$ 촉매의 항균성이 매우 우수한 것으로 나타났다.

Resistive Switching Characteristics of TiO2 Films with -Embedded Co Ultra Thin Layer

  • Do, Young-Ho;Kwak, June-Sik;Hong, Jin-Pyo
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제8권1호
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    • pp.80-84
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    • 2008
  • We systematically investigated the resistive switching properties of thin $TiO_2$ films on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates that were embedded with a Co ultra thin layer. An in-situ sputtering technique was used to grow both films without breaking the chamber vacuum. A stable bipolar switching in the current-voltage curve was clearly observed in $TiO_2$ films with an embedded Co ultra thin layer, addressing the high and low resistive state under a bias voltage sweep. We propose that the underlying origin involved in the bipolar switching may be attributed to the interface redox reaction between the Co and $TiO_2$ layers. The improved reproducible switching properties of our novel structures under forward and reverse bias stresses demonstrated the possibility of future non-volatile memory elements in a simple capacitive-like structure.

소결 온도 변화에 따른 $TiO_2$ 전극의 AFM 표면형상 비교 및 DSC 효율 특성 (AFM morphology of $TiO_2$ electrode with differential sintering temperature and efficiency properties Dye-Sensitized solar cells)

  • 김현주;이동윤;구보근;이원재;송재성
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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    • pp.461-462
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    • 2005
  • In order to improve the efficiency of dye-sensitized solar cell (DSC), $TiO_2$ electrode screen-printed on transparent conducting oxide (TCO) substrate was sintered in variation with different temperature(350 to $550^{\circ}C$). $TiO_2$ electrode on fluorine doped tin oxide (FTO) glass was assembled with Pt counter electrode on FTO glass. I-V properties of DSC were measured under solar simulator. Also, effect of sintering temperature on surface morphology of $TiO_2$ films was investigated to understand correlation between its surface morphology and sintering temperature. Such surface morphology was observed by atomic force microscopy (AFM). From the measurement results, at sintering temperature of $500^{\circ}C$, both efficiency and fill factor of DSC were mutually complementary, enhancing highest fill factor and efficiency. Consequently, it was considered that optimum sintering temperature of $\alpha$-terpinol included $TiO_2$ paste is at $500^{\circ}C$.

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회분식 반응기에서 TiO2 광촉매의 MEK 분해특성-금속담지영향 (Characteristics of MEK Degradation using TiO2 Photocatalyst in the Batch-type Reactor-Metal Doping Effect)

  • 장현태;차왕석
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제16권2호
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    • pp.1579-1584
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    • 2015
  • 광촉매반응에서 티타니아에 금속물질을 담지하면 광촉매표면이 변화되며 담지된 금속물질은 반응속도를 증가시킨다. 회분식 광반응기를 이용하여 $TiO_2$ 광촉매에 대한 금속물질 담지와 담지된 촉매의 소성조건 영향을 조사하였다. 광분해 효율을 증진시키기 위해 $TiO_2$ 촉매에 여러 종류의 금속물질을 담지하였다. 모든 실험에서의 수분함량은 3wt%, 반응기 온도는 $40^{\circ}C$이었다. $TiO_2$에 팔라듐을 담지한 경우가 가장 우수하였으며, Pt와 W을 첨가한 경우도 양호하였다. Pd/$TiO_2$ 촉매에 백금 또는 텅스텐을 부가적으로 담지하여도 제거효율에서의 증가는 없었다. 적절한 소성조건을 얻기위해 소성온도와 소성시간에 대하여 다양하게 실험을 수행하였으며, 실험결과 최적의 소성조건은 소성온도 $400^{\circ}C$, 소성시간 1시간이었다.