• 제목/요약/키워드: Power Diode

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A Self-Excited Induction Generator with Simple Voltage Regulation Suitable for Wind Energy

  • Ahmed Tarek;Nishida Katsumi;Nakaoka Mutsuo
    • Journal of Power Electronics
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    • 제4권4호
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    • pp.205-216
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    • 2004
  • In this paper, a three-phase induction machine-based wind power generation scheme is proposed. This scheme uses a low-cost diode bridge rectifier circuit connected to an induction machine via an ac load voltage regulator (AC-LVR) to regulate dc power transfer. The AC-LVR is used to regulate the DC load voltage of the diode bridge rectifier circuit which is connected to the three-phase self-excited induction generator (SEIG). The excitation of the three-phase SEIG is supplied by the static VAR compensator (SVC). This simple method for obtaining a full variable-speed wind turbine system by applying a back-to-back power converter to a wound rotor induction generator is useful for wind power generation at widely varying speeds. The dynamic performance responses and the experimental results of connecting a 5kW 220V three-phase SEIG directly to a diode bridge rectifier are presented for various loads. Moreover, the steady-state simulated and experimental results of the PI closed-loop feedback voltage regulation scheme prove the practical effectiveness of these simple methods for use with a wind turbine system.

단위 역률을 갖는 3상 강압형 다이오드 정류기에서 고조파 주입에 의한 DC 리플전압 저감 기법 (A DC Ripple Voltage Suppression Scheme by Harmonic Injection in Three Phase Buck Diode Rectifiers with Unity Power Factor)

  • 고종진
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2000년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.305-308
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    • 2000
  • A technique to suppress the low frequency ripple voltage of the DC output in three phase buck diode rectifiers is presented in this paper. The proposed pulse frequency modulation methods and duty ratio modulation methods are employed to regulate the output voltage of the buck diode rectifiers and guarantee zero-current -switching(ZCS) of the switch over the wide load range The proposed control methods used in this paper provide generally good performance such as low THD of the input line current and unity power factor. IN addition control methods can be effectively used to suppress the low frequency ripple voltage appeared in the dc output voltage. The harmonic injection technique illustrates its validity and effectiveness through the simulations.

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소프트 스위칭 Single Stage AC-DC Full Bridge Boost 컨버터 (Soft Switching Single Stage AC-DC Full Bridge Boost Converter)

  • 김은수;조기연;김윤호;조용현;박경수;안호균;박경수
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 1999년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.493-496
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    • 1999
  • A new soft switching single stage AC-DC full bridge boost converter with unit input power factor and isolated output is presented in this paper. Due to the use of a non-dissipative snubber on the primary side, a single stage high-power factor isolated full bridge boost converter has a significant reduction of switching losses in the main switching devices. The non-dissipative snubber adopted in this study consists of a snubber capacitor Cr, a snubber inductor Lr, a fast recovery snubber diode Dr, and a commutation diode Dr, and a commutation diode Dp. This paper presents the complete operating principles, theoretical analysis and experimental results.

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RC(Reverse Conduction) IGBT를 적용한 Inverter Module에 대한 연구 (The Study of Inverter Module with applying the RC(Reverse Conduction) IGBT)

  • 김재범;박시홍
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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    • pp.359-359
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    • 2010
  • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 란 MOS(Metal Oxide Silicon) 와 Bipolar 기술의 결정체로 낮은 순방향 손실(Low Saturation)과 빠른 Speed를 특징으로 기존의 Thyristor, BJT, MOSFET 등으로 실현 불가능한 분양의 응용처를 대상으로 적용이 확대 되고 있고, 300V 이상의 High Power Application 영역에서 널리 사용되고 있는 고효율, 고속의 전력 시스템에 있어서 필수적으로 이용되는 Power Device이다. IGBT는 출력 특성 면에서 Bipolar Transistor 이상의 전류 능력을 가지고 있고 입력 특성 면에서 MOSFET과 같이 Gate 구동 특성을 갖기 때문에 High Switching, High Power에 적용이 가능한 소자이다. 반면에, Conventional IGBT는 MOSFET과 달리 IGBT 내부에 Anti-Parallel Diode가 없기 때문에 Inductive Load Application 적용시에는 별도의 Free Wheeling Diode가 필요하다. 그래서, 본 논문에서 별도의 Anti-Parallel Diode의 추가 없이도 Inductive Load Application에 적용 가능한 RC IGBT를 적용하여 600V/15A급 Three Phase Inverter Module을 제안 하고자 한다.

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A Novel Boost PFC Converter Employing ZVS Based Compound Active Clamping Technique with EMI Filter

  • Mohan, P. Ram;Kumar, M. Vijaya;Reddy, O.V. Raghava
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제8권1호
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    • pp.85-91
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    • 2008
  • A Boost Power Factor Correction (PFC) Converter employing Zero Voltage Switching (ZVS) based Compound Active Clamping (CAC) technique is presented in this paper. An Electro Magnetic Interference (EMI) Filer is connected at the line side of the proposed converter to suppress Electro Magnetic Interference. The proposed converter can effectively reduce the losses caused by diode reverse recovery. Both the main switch and the auxiliary switch can achieve soft switching i.e. ZVS under certain condition. The parasitic oscillation caused by the parasitic capacitance of the boost diode is eliminated. The voltage on the main switch, the auxiliary switch and the boost diode are clamped. The principle of operation, design and simulation results are presented here. A prototype of the proposed converter is built and tested for low input voltage i.e. 15V AC supply and the experimental results are obtained. The power factor at the line side of the converter and the converter efficiency are improved using the proposed technique.

양성자 주입기술을 이용한 PT형 전력다이오드의 스위칭 특성 향상 (Switching Characteristics Enhancement of PT Type Power Diode using Proton Irradiation Technique)

  • 김병길;최성환;이종헌;배영호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제19권3호
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    • pp.216-221
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    • 2006
  • Lifetime control technique by proton implantation has become an useful tool for production of modern power devices. In this work, punch-through type diodes were irradiated with protons for the high speed power diode fabrication. Proton irradiation which was capable of controlling carrier's lifetime locally was carried out at the various energy and dose conditions. Characterization of the device was performed by current-voltage, capacitance-voltage and reverse recovery time measurement. We obtained enhanced reverse recovery time characteristics which was about $45\;\%$ of original device reverse recovery time and about $73\;\%$ of electron irradiated device reverse recovery time. The measurement results showed that proton irradiation technique was able to effectively reduce minority carrier lifetime without degrading the other characteristics.

난반사체를 이용한 다이오드 횡여기 Nd:YAG 레이저의 최적화 설계 및 분석 (Optimum design and analysis of a diode side-primped Nd:YAG laser with a diffusive reflector)

  • 이성만;윤미정;김선국;김현수;차병헌;문희종
    • 한국광학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.489-495
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    • 2001
  • 난반사체를 이용한 다이오드 횡여기 Nd:YAG 레이저 헤드의 설계코드를 개발하여 레이저 결정 내 홉수된 빔의 균일성과 최대 레이저 출력을 갖는 설계요소의 조건에 관해 분석하고, 수치해석 방법으로 열렌즈 효과를 고려한 레이저 공진기의 레이저 출력을 계산하고 실험치와 비교 분석하였다. 1,080W의 여기광 출력에서 측정된 약 504 W의 레이저 출력은 열렌즈 효과를 고려하여 수치 해석적으로 계산된 레이저 출력과 레이저 공진기의 안정영역에서 거의 일치함을 확인하였다.

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S-대역 펄스 2 kW RF 리미터 (Pulse 2 kW RF Limiter at S-band)

  • 정명득
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권7호
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    • pp.791-796
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    • 2012
  • RF 리미터(limiter)는 원하지 않는 신호로부터 수신단을 보호하기 위해 사용되는 소자로서, 임계값 이상의 모든 입력신호에 대해 일정한 출력을 제공한다. 다이오드를 사용하는 RF 리미터는 작은 신호는 통과시키는 반면, 어떤 임계값 이상의 신호는 감쇄시켜서 전달한다. 현대의 레이더 시스템에서 수신기를 보호하기 위해 사용되는 RF 리미터는 새로운 간섭 위협이나 복잡한 전자파 환경의 도전으로부터 극복할 수 있는 절대 필요한 역할을 수행한다. 본 논문은 고출력 RF 리미터를 구현하기 위해 PIN 다이오드와 Limit 다이오드의 조합으로 구성된 회로를 제안한다. PIN 다이오드는 스위치의 격리도(isolation) 특성을 이용하는 것과 같이 다이오드의 격리도 특성을 이용하는 개념을 적용한다. S-대역에서 200 us 펄스폭을 갖는 2 kW RF 리미터를 개발하였다. 그 측정 결과는 예측한 값과 잘 일치함을 알 수 있다.

GaAs PIN Diode를 이용한 3:1 대역폭 스위치 모듈 (3:1 Bandwidth Switch Module by Using GaAs PH Diode)

  • 정명득;이경학;박동철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제13권5호
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    • pp.451-458
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    • 2002
  • 6-18 GHz 주파수대역에서 사용되는 흡수형의 SP3T 및 SP8T 스위치 모듈을 설계 및 제작하였다. 스위치 모듈에 사용된 MMIC 칩의 에피구조는 저 손실과 고 전력용으로 설계되었다. 최대입력전력은 SP3T 스위치 모듈이 2 W이고 SP8T 스위치 모듈이 1 W이다. 200 nsec의 고속 스위칭을 위한 구동회로를 모듈에 내장하였다. 모듈의 최대삽입손실은 SP3T 및 SP8T에 대해 각각 2.8 dB, 4.2 dB로 측정되었다. 입ㆍ출력포트간 분리도는 모두 55 dB 이상을 얻을 수 있었다. 두 스위치 모듈은 전자전 시스템에 적용하기 위한 관련 환경시험을 모두 통과하였다.

금코팅 유리관 반사체를 이용한 다이오드 여기 고출력 고효율 Nd:YAG 레이저 (Efficient Diode Pumped High Power Nd:YAG Laser with a Gold Coated Flow Tube)

  • 이종민;문희종;이종훈;한재민;이용주
    • 한국광학회지
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    • 제9권3호
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    • pp.186-190
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    • 1998
  • 직경이 10mm인 유리관의 외벽을 금으로 코팅하여 반사체로 사용되고 최대 출력이 140W인 레이저 다이오드바 (laser diode bar) 3개를 여기 광원으로 이용한 고출력 Nd:YAG 레이저를 설계 제작하였다. 레이저봉의 지름은 6mmdlqu 길이는 130mm이다. 투과율이 11%인 출력경과 전반사경을 사경하여 선형공진기를 구성하고 연속발전시켰을 때 약 130W의 Nd:YNG 레이저 연속출력을 얻었으며 이 때 측정된 기울기 43%, 광변환 효율은 31%에 도달하였다. 레이저빔의 빔질인자(beam quality factor)M2는 최대 다이오드 츨력에서 약85로 관측되었으며 레이저 발진시에 측정한 열렌즈 초점거리의 역수와 여기광의 출력비는 5.3∼7.4D/kWpump 이었다.

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