• International Journal of Precision Engineering and Manufacturing-Green Technology
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• 제5권5호
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• pp.605-612
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• 2018

This work investigates the relationships between the static mechanical properties of Ti-6Al-4V manufactured through selective laser melting (SLM) and post-process heat treatments, namely stress relieve, annealing and hot isostatic pressing (HIP). In particular, Ti-6Al-4V parts were fabricated in three different build orientations of X, Z, and $45^{\circ}$ to investigate the multi-directional mechanical properties. The results showed that fully densified Ti-6Al-4V parts with densities of up to 99.5% were obtained with optimized SLM parameters. The microstructure of stress relieved and mill annealed samples was dominated by fine ${\alpha}^{\prime}$ martensitic needles. After HIP treatment, the martensite structure was fully transformed into ${\alpha}$ and ${\beta}$ phases (${\alpha}+{\beta}$ lamellar). Within the realm of tensile properties, the yield and ultimate strength values were found statistically similar with respect to the built orientation for a given heat treatment. However, the ductility was found orientation dependent for the HIP samples, where a lower value was observed for samples built in the X direction.

• 한국재료학회지
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• 제3권3호
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• pp.310-315
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• 1993

P-type(100)Si Wafer 위에 400$\AA$의 Ta를 증착하여 열산화법으로 ${Ta_2}{O_5}$박막을 형성시킴 후 RTA후처리를 통하여 절연파괴전장 특성 개선을 이루고자 하였다. 유전상수에 미치는 RTA후처리의 영향은 미약하지만 절연파괴전장을 나타내었으나 결정화 온도 이하의 RTA온도에서는 절연파괴전장이 5.4MV/cm로 RTA효과가 크게 나타났다. 이러한 RTA효과는 RTA온도 $575^{\circ}C$에서 flat band voltage shift가 RTA 시간에 따라 변화가 없는 것으로 미루어 보아 RTA효과는 계면 변화에 의한 것이 아님을 알 수 있었으며, RBS 분석을 통하여 ${Ta_2}{O_5}$1박막의 치밀화에 의한 것임을 확인할 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제11권4호
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• pp.225-229
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• 2002

LPCVD로 $560^{\circ}C$와 $650^{\circ}C$ 온도에서 실리콘 박막을 제작하였다. 온도에 따른 천이온도를 살펴보았으며, 비정질로 제작된 실리콘 박막을 $900^{\circ}C$와 $1100^{\circ}C$에서 열처리하였다. 제작된 박막에 대해서 XRD, SEM, ellipsometer, $Tektak^3$, Tencer FLX-2320등 그 외 장비를 사용하여, 박막의 결정 방향, 표면 거칠기, 활성화 에너지, 잔류 응력 등을 조사하였다. 본 실험을 통해 $560^{\circ}C$에서 비정질로 증착시키고 $900^{\circ}C$ -$1100^{\circ}C$ 열처리 통해 얻은 다결정실리콘 박막은 처음부터 다결정으로 제작한 박막에 비해 낮은 잔류 응력과 표면 거칠기를 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2013년도 춘계학술대회
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• pp.772-775
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• 2013

사파이어 위에 MOCVD로 성장한 p-GaN 위에 PECVD로 $SiO_2$ $2500{\AA}$을 증착하여 열처리실험을 진행하였다. 열처리 후 $SiO_2$ 보호막을 식각하여, 정공 농도를 측정하고, 이를 열처리 전의 데이터 값과 비교, 분석하였다. 또한, 분위기가스인 $N_2$와 $O_2$의 비율, 급속 열처리 온도 ($650^{\circ}C$와 $750^{\circ}C$) 및 시간(1분~15분)에 따른 정공의 이동도와 농도의 변화를 측정하였으며, 상온 및 저온 PL 측정을 통하여 후열처리에 따른 시료의 광학적, 구조적 성질을 조사하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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• pp.7-8
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• 2006

The effects of heat treatment on the electrical properties of SGOI were examined. We proposed the optimized heat treatments for improving the interfacial electrical properties in SGOI-MOSFET. By applying the additional pre-RTA(rapid thermal annealing) before gate oxidation and post-RTA after dopant activation, the driving current, the transconductance, and the leakage current were improved significantly.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제7권2호
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• pp.70-73
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• 2001

Phase transformation of TiSi$_2$ confined in sub-micron area of which the size is around or smaller than the grain size of C49 TiSi$_2$ phase is studied. It has been known that the C49 to C54 phase change is massive transformation that occurs abruptly starting from C54 nuclei located at triple point grain boundaries of C49 phase. When the C49 phase is confined in sub-micron area, however, the massive phase transformation is observed to be hindered due to the lack of the triple point grain boundaries of C49 phase. Heat treatment at higher temperatures starts to decompose the C49 phase, and the resulting decomposed Ti atoms diffuse to, and react with, the underneath Si material to form C54 phase that exhibits spherical interface with silicon. The newly formed C54 grains can also trigger the massive phase transformation to convert the remaining undecomposed C49 grains to C54 grains by serving as nuclei like conventional C54 nuclei located at triple point grain boundaries.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권1호
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• pp.44-50
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• 1993

In an attempt to improve the electrical characteristics of tantalum pentoxide dielectric film, silicon substrate was reacted with a nitrogen plasma to form a silicon nitride of 50.angs. and then tantalum pentoxide thin films were formed by reactive sputtering in the same chamber. Breakdown field and leakage current density were measured to be 2.9 MV/cm and 9${\times}10^{8}\;A/cm^{2}$ respectively in these films whose thickness was about 180.angs.. With annealing at rectangular waveguides with a slant grid are investigated here. In particular, 900.deg. C in oxygen ambient for 100 minutes, breakdown field and leakage current density were improved to be 4.8 MV/cm and 1.61.6${\times}10^{8}\;A/cm^{2}$ respectively. It turned out that the electrical characteristics could also be improved by oxygen plasma post-treatment and the conduction mechanism at high electric field proved to be Schottky emission in these double-layered films.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.13-14
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• 2007

투명전극으로 사용되는 ITO는 우수한 전기적, 광학적 특성으로 인하여 널리 사용되고 있다. 하지만, ITO는 저온공정의 어려움과 ITO의 원료물질인 In의 수급이 불안정하여 원자재의 가격이 높고, 수소 플라즈마에 노출시 열화로 인한 광학적 특성의 변화가 문제점으로 지적되고 있다. 본 논문에서는 ITO 투명전극을 대체하기 위한 실험으로 Al 이 도핑된 ZnO(ZnO:Al) 박막을 상온에서 유리기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터 법을 이용하여 제조하였다. 증착된 박막은 ITO물질을 대체하기 위한 투명전극으로의 응용을 위해 후 열처리를 실시하였다. 설정된 열처리 온도는 각각 400도와 300도로 설정하였고 열처리 시간에 따른 변화를 관찰하였다. 열처리된 시편은 각각 XRD, SEM, Hall, U/V 측정을 하여 변화를 관찰하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.246-246
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• 2011

졸-겔 스핀코팅(sol-gel spin-coating)법을 이용하여 실리콘 기판에 ZnO 박막을 증착하였다. 증착된 졸 용액을 전열처리(pre-heat treatment) 후, 다른 속도로 상온까지 냉각시켰다. ZnO 박막의 특성 분석을 위하여 atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Raman, photoluminescence (PL)을 이용하였다. 전열처리 후 5$^{\circ}C$/min의 속도로 천천히 냉각시킨 ZnO 박막은 산맥구조(mountain chain structure)로 표면이 매우 거친 반면, 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막은 매우 매끄러운 표면을 나타내었다. 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막의 c-축 배향성(c-axis preferred orientation)이 느리게 냉각시킨 ZnO 박막의 배향성보다 더 우세하게 나타났고, 결정성도 우수하였다. 뿐만 아니라, 빠르게 냉각시킨 ZnO 박막의 광학적 특성이 느리게 냉각시킨 ZnO 박막의 특성보다 우수하게 나타났다. 후열처리(post-heat treatment)에 의해 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성이 더욱 향상되었다.

• 한국자기학회지
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• 제19권6호
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• pp.197-202
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• 2009

코닝유리(Corning glass) 기판 위에 이온빔 증착법으로 제작한 버퍼(Ta)/코네틱(Conetic; NiFeCuMo) 박막에 대해 버퍼층에 의존하는 결정성장과 열처리 효과를 조사하였다. 또한 코네틱층을 증착할 때에 인가한 자기장 방향으로 용이축과 곤란축의 자기저항 곡선으로부터 얻은 보자력과 포화자기장값을 버퍼층 유무에 따라 서로 비교하였다. Ta 박막의 두께가 5 nm이고 코네틱 박막의 두께가 50 nm일 때에 보자력은 0.12 Oe으로 작았으며, MH 히스테리시스 곡선에서 얻은 자화율($\chi$)은 1.2 ${\times}\;10^4$으로 우수한 연자성의 특성을 가졌다. 저자기장에 민감한 거대자기저항 스핀밸브(GMR-SV; giant magneoresistance-spin valve)나 자기터널링접합(MTJ; megnetic tunnel junction) 박막구조에서 자유층으로 연자성의 특성이 우수한 코네틱 박막을 사용할 수 있는 가능성을 확인하였다.