• 한국통신학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.1290-1298
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• 1992

본 논문은 fitting 파라미터를 배제하고 2차원적 Poisson 방정식을 도출해서 short-channel MOSFET의 model 식을 완전히 해석적으로 성립시켰다. 이로 인해 포화영역, 문턱전압, 강반전에 대한 것이 동시에 표현되는 정확한 드레인 전류가 유도되었다. 더욱이 이 model은 short-channel과 body효과, DIBL효과, 그리고 carrier운동에 대한 것도 설명할 수 있으며 온도와 $n^+$접합, 산화층에 관련되는 문턱전압도 표현할 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권9호
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• pp.2553-2556
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• 2010

On the basis of a simple modified Poisson-Boltzmann (SMPB) theory, taking into account the finite ionic size, the analytic expression for the effect of ionic size on the diffuse layer potential drop at negative charge densities has been given for the simple 1:1 electrolyte. It is shown that the potential drop across the diffuse layer depends on the size of the ions in the electrolyte. For a given electrolyte concentration and electrode charge density, the diffuse layer potential drop in a small ion system is smaller than that in a large ion system. It is also displayed that the diffuse layer potential drop is always less than the value of the Gouy-Chapman (GC) theory, and the deviation increases as the electrode charge density increases for a given electrolyte concentration. These theoretical results are consistent with the results of the Monte-Carlo simulation [Fawcett and Smagala, Electrochimica Acta 53, 5136 (2008)], which indicates the importance of including steric effects in modeling diffuse layer properties.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제9권1호
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• pp.247-253
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• 2014

In this paper, a new two dimensional (2D) analytical modeling and simulation for a Dual Material Double Gate tunnel field effect transistor (DMDG TFET) is proposed. The Parabolic approximation technique is used to solve the 2-D Poisson equation with suitable boundary conditions and analytical expressions for surface potential and electric field are derived. This electric field distribution is further used to calculate the tunnelling generation rate and thus we numerically extract the tunnelling current. The results show a significant improvement in on-current characteristics while short channel effects are greatly reduced. Effectiveness of the proposed model has been confirmed by comparing the analytical results with the TCAD simulation results.

• 복합신소재구조학회 논문집
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• 제1권2호
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• pp.29-35
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• 2010

탄성계수와 함께 포아송비는 구조의 거동을 결정하는 중요 구조인수중의 하나이다. 따라서 구조응답의 불확실성에 미치는 포아송비의 독립적 영향에 대한 평가가 필요하다. 본 연구에서는 포아송비의 불확실성이 복합적층판의 거동에 미치는 영향을 산정하기 위한 정식화를 제안한다. 포아송비의 영향은 동일 차수인 임의인수의 영향을 포함하는 부행렬을 통하여 얻을 수 있으며, 이는 대상 인수의 평균을 중심으로 한 Taylor전개를 통하여 구할 수 있다. 제안방법의 검증을 위하여 예제 평판을 해석하였고, 그 결과를 몬테카를로 해석에 의한 결과와 비교하였다. 두 방법을 통하여 얻은 결과는 상화 잘 일치하는 결과를 나타내어, 제안한 방법이 적절함을 제시하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.1537-1542
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• 2011

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널도핑이 비산형분포를 가질 때 게이트 산화막의 두께를 변화시키면서 문턱전압이하특성을 분석하였다. 이중게이트 MOSFET는 차세대 나노소자로서 단채널효과를 감소시킬 수 있다는 장점 때문에 많은 연구가 진행 중에 있다. 이에 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과로서 잘 알여진 문턱전압 이하 스윙의 저하에 대하여 비선형도핑분포를 이용한 포아송방정식의 분석학적 모델로 분석하고자 한다. 또한 나노소자인 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터 중 가장 중요한 게이트 산화막의 두께에 대하여 문턱전압이하 특성을 분석하였다. 본 논문에서 사용한 분석학적 포아송방정식의 포텐셜모델 및 전송모델의 타당성을 입증하기 위하여 수치해석학적 결과값과 비교하였으며 이 모델을 이용하여 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하였다.

• 멤브레인
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• 제13권1호
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• pp.37-46
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• 2003

하전된 멤브레인 미세기공으로 유체가 흐르는 경우는 계면동전기 효과가 작용하게 된다. 비선형 Poisson-Boltzmann 전기장과 흐름에 의해 유발되는 전기장 사이의 정전상호작용을 운동방정식의 외부작용 힘으로 고려하였다. 유한차분법으로 정전위 분포를 우선 산출하고, 이어서 Green 함수로 슬릿형 기공에 대한 Navier-Stokes 식의 해석해를 구하였다. 계면동전기적 유동에 의한 흐름전위를 관련된 물리화학적 인자들의 함수로 유도되는 해석적인 명확한 표현으로 제시하였다. 전기이중층, 표면전위, 그리고 기공벽면의 하전조건의 영향에 따른 유속분포와 흐름전위 변화를 고찰하였다 계산결과, 전기이중층 두께나 표면전위가 증가함에 따라 평균유속은 감소하는 반면에 흐름전위는 증가하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권5호
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• pp.21-28
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• 2007

본 논문에서는 2차원 Poisson 방정식의 풀이에 의한 submicron 급 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 전류-전압 특성 도출에 관한 해석적 모델을 제안하였다. InAlAs 및 InGaAs층 내에서 2차원 Poisson 방정식의 해법으로 2차원적 전위 변화를 채널 전류의 연속조건과 consistent하게 도출하기 위해서 InGaAs 영역에 형성된 양자우물 형태의 채널을 통해 흐르는 전자에 대한 전계-의존 이동도를 고려하였다. 도출된 표현식은 동작 전압 전 구간의 영역과 장/단 채널 소자에 대하여 일괄적으로 적용될 수 있을 것으로 보이며, 본 논문에서 제안한 단 채널 n-InAlAs/InGaAs HEMT의 2차원 전계 효과에 대한 해석적 모델은 기존의 모델에서 submicron 대의 짧은 채널 길이일 때 정확도가 저하되거나 Early 효과에 대한 설명이 미흡한 것에 비해 드레인 전압의 증가에 따른 드레인 포화 전류의 증가 및 문턱전압의 감소 현상 등을 보다 물리적으로 적절히 설명할 수 있음을 보이고 있다.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제8권1호
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• pp.107-111
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• 2010

This paper has presented the dependence of the threshold voltage on back gate bias and drain voltage for FinFET. The FinFET has three gates such as the front gate, side and back gate. Threshold voltage is defined as the front gate bias when drain current is 1 micro ampere as the onset of the turn-on condition. In this paper threshold voltage is investigated into the analytical potential model derived from three dimensional Poisson's equation with the variation of the back gate bias and drain voltage. The threshold voltage of a transistor is one of the key parameters in the design of CMOS circuits. The threshold voltage, which described the degree of short channel effects, has been extensively investigated. As known from the down scaling rules, the threshold voltage has been presented in the case that drain voltage is the 1.0V above, which is set as the maximum supply voltage, and the drain induced barrier lowing(DIBL), drain bias dependent threshold voltage, is obtained using this model.

• Journal of Korea Trade
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• 제23권2호
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• pp.76-87
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• 2019

Purpose - This study empirically analyzes the effects of the European Union-South Korea Free Trade Agreement on Korean exports in major sectors. Design/Methodology - This study is based on the augmented gravity model with a panel data set covering 51 countries between the years 2000 and 2015. Findings - Main findings of the present study is that the agreement has affected the chemical sector the most. Fixed effects estimation predicted a positive trade effect of 38.3%, while Poisson maximum likelihood estimation predicted an impact of 4.75% in the chemical export sector. Regression results for the other sectors only show insignificant effects. Originality/value - The findings imply that the effects of the EU-South Korea free trade agreement on the Korean exports are quite specific compared to the European ones, meaning that the Korean government should focus on sector-specific programs to maximize the welfare benefits of the free trade agreement.

• East Asian Economic Review
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• 제26권2호
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• pp.143-169
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• 2022

This study investigates the effect of economic factors on immigration using the gravity model of immigration. Cross-sectional regression and panel data analyses are conducted from 2000 to 2019 using the OECD International Migration Database, which consists of 36 destination countries and 201 countries of origin. The Poisson pseudo-maximum-likelihood method, which can effectively correct potential biased estimates caused by zeros in the immigration data, is used for estimation. The results indicate that the economic factors strengthened after the global financial crisis. Additionally, this effect varies depending on the type of immigration (the income level of origin country). The gravity model applied to immigration performs reasonably well, but it is necessary to consider the country-specific and time-varying characteristics.