Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.179-179
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2012
Low pressure radio-frequency glow discharges are investigated using theoretical modeling and various experimental diagnostic methods. In the calculations, global models and transformer models are developed to understand the chemical kinetics as well as the electrical properties such as the effective collision frequency, the heating mechanism and the power transferred to the plasma electrons. In addition, Boltzmann equation solver is used to compensate the effect of the electron energy distribution function (EEDF) shape in the global model, and the general expression of energy balance for non-Maxwellian electrons is developed. In the experiments, a number of traditional plasma diagnostic methods are used to compare with calculated results such as Langmuir probe, optical emission spectroscopy (OES), optical absorption spectroscopy (OAS) and two-photon absorption laser-induced fluorescence (TALIF). These theoretical and experimental methods are applied to understand several interesting phenomena in low pressure ICP discharges. The chemical and physical properties of low pressure ICP discharges are described and the applications of these methods are discussed.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.53
no.1
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pp.20-23
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2004
In this paper, the emission properties of electrodeless fluorescent lamp were discussed using the inductively coupled plasma. To transmit the electromagnetic energy into the chamber, a RF power of 13.56 [MHz] was applied to the antenna and considering the Ar gas pressure and the RF electric power change, the emission spectrum, Ar I line, luminance were investigated. At this time, the input parameter for ICP RF plasma, Ar gas pressure and RF power were applied in the range of 10∼60 [mTorr], 10∼300 [W], respectively. From emission intensity and lumnance intensity results, the mode transition from E-mode to H-mode was observed. This implies that this method can be used to find an optimal RF power for efficient light illumination in an electrodeless fluorescent lamp.
Ceria based electrolytes were fabricated by a plasma spraying method. The porosity which was crated during the plasma spraying process was infiltrated with Ce0.8Gd0.2O2 sol by ultrasonic treatment and heat treatment at 90$0^{\circ}C$ in order to improve physical and electrical properties. The porosity decreased from 9.8% to 6.5% and gas permeability at 80$0^{\circ}C$ decreased from 16.7$\times$10-3 to 5.7$\times$10-3 cm3(STP)/cm2.s.cmHg as the number of treatment increased 10 cycles. The ionic conductivity was also increased about 30% after 10 times of sealing.
Sintered alumina ceramic substrate has been used for the insulating substrate for thick Hybrid IC owing to its cheapness and good insulating properties. Some of thick HIC's are important to eliminate the heat emitted from the parts that are mounted on the ceramic substrate. Sintered ceramic substrate can not transfer and emit the heat efficiently. It's been tried to do plasma spray coating of alumina ceramic on the metal substrates that have a good heat emission property. The most important properties to commercialize this ceramic coated metal substrate are surface roughness and deposition efficiency. In this study, plasma spray coating parameters are optimized to minimize the surface roughness and to maximize the deposition efficiency using Taguchi experimental method. By this optimization, the deposition efficiency was greatly improved from 35% at the frist time to 75% finally.
The reliability of fluorine doped silicon oxide (SiOF) films for intermetal dielectrics in multilevel interconnections of ultra-large scale integrated circuits (ULSIs) is investigated. SiOF films were deposited by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition (ECRPECVD) using H-free source gases, i.e., SiF4 and O2. The effect of post plasma treatment on the moisture absorption and dielectric properties of SiOF films was carried out I terms of air exposure time, The reliability test of Cu/TiN/SiOF/Fi specimen was carried out in terms of temperature by rapid thermal annealing (RTA) in N2 ambient. After O2 plasma treatment,, no appreciable peak directly related to moisture absorption was detected. The capacitance-voltage (C-V) characteristics of the O2 plasma treated SiOF film showed that the film remained to hold the sound dielectric properties even after boiling treatment. The Cu/TiN/SiOF/Si system was found to be reliable up to $600^{\circ}C$.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.41
no.5
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pp.483-491
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1992
Plasma silicon oxynitride film has been applied as a final passivation layer for semiconductor devices, because it has high resistance to humidity and prevents from alkali ion's penetration, and has low film stress. Structure properties of plasma silicon oxynitride film have been studied experimentally by the use of FT-IR, AES, stress gauge and ellipsometry. In this experiment,Si-N bonds increase as NS12TO/(NS12TO+NHS13T) gas ratio increases. Peaks of Si-N bond, Si-H bond and N-H bond were shifted to high wavenumber according to NS12TO/(NS12TO+NHS13T) gas ratio increase. Absorption peaks of Si-H bond were decreased by furnace anneal at 90$0^{\circ}C$. The atomic composition of film represents that oxygen atoms increase as NS12TO/(NS12TO+NHS13T) gas ratio increases, to the contrary, nitrogen atoms decrease.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.254-255
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2005
In this work, the effects of plasma treatment on surface properties of semi conductive silicone rubber were investigated in terms of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The adhesion characteristics of semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber were studied by measuring the T-peel strengths. As a result, semiconductive silicone rubber surfaces treated with plasma discharge led to and increase in oxygen-containing functional groups, resulting in improving the degree of adhesion of the semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber. these results are probably due to the modifications of surface functional groups or polar component of surface free energy of the semi conductive silicone rubber.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.55
no.2
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pp.77-83
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2022
Nanocrystalline MoN coatings were prepared by inductively coupled plasma magnetron sputtering (ICPMS) changing the plasma power from 0 W to 200 W. The properties of the coatings were analyzed by x-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, atomic force microscopy, nanoindentation tester and semiconductor characterization system. As the ICP power increases, the crystal structure of the MoN coatings changed from a mixed phase of γ-Mo2N and α-Mo to a single phase γ-Mo2N. MoN coatings deposited by ICPMS at 200 W showed the most compact microstructure with the highest nanoindentation hardness of 27.1 GPa. The electrical resistivity of the coatings decreased from 691.6 μΩ cm to 325.9 μΩ cm as the ICP power increased.
A brief review on the thermal plasma synthesis of nano-sized powders is presented according to the application materials, such as, metals, ceramics, glasses, carbonaceous materials and other functional composites, such as, supported metal catalyst and core-shell structured nano materials. As widely adopted plasma sources available for thermal plasma synthesis of nanosized powders, three kinds of plasma torches, such as transferred and non-transferred DC and RF plasma torches, are introduced with the main features of each torch system. In the basis of the described torch features and the properties of suggested materials, application results including synthesis mechanism are reviewed in this paper.
Effect of plasma power on PECVD process were investigated in this study. TiN and TiCN films were deposited on nitrided STD11 steel with 600W, 1,200W and 1,600W plasma power. As the plasma power was increased, the preferred orientation was reinforced from (200) to (111) and the hardness of films was improved. The low plasma power was, however, effective for improving of adhesion force of films. Regarding above properties, TiN and TiCN films were deposited by gradient plasma power. It was possible to get high hardness as well as adhesion force through gradient plasma power.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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