Kim, Seong Cheon;Jeon, Jeong Hyeon;Chun, Young Nam
Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.29
no.3
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pp.287-296
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2013
To decompose carbon dioxide, which is a representative greenhouse gas, a plasma torch was designed and manufactured. To examine the characteristics of carbon dioxide decomposition via plasma discharge, a case wherein pure carbon dioxide was supplied and a case wherein methane and/or $TiCl_4$ were injected as additives were investigated and compared. The carbon dioxide and methane conversion rate, energy decomposition efficiency, produced gas concentration, carbon monoxide and hydrogen selectivity, carbon-black and $TiO_2$ were also investigated. The maximum carbon dioxide conversion rate was 28.9% when pure carbon dioxide was supplied; 44.6% when $TiCl_4$ was injected as am additive; and 100% percent when methane was injected as an additive. Therefore, this could be explained that the methane injection showed the highest carbon dioxide decomposition. Furthermore, the carbon-black and $TiO_2$ were compared with each commercial materials through XRD and SEM. It was found that the carbon-black that was produced in this study is similar for commercial materials. It was found that the $TiO_2$ that was produced in this study is suitable for photocatalyst and pigment because it has mixed anataze and rutile.
A method determining the plasma concentration of clotiazepam was developed by using gas chromatography/mass spectrometry with an ion-trap detector and was validated for applying pharmacokinetics to human volunteers orally taken 5 mg dose of clotiazepam. The detection limit was 1 ng/ml and the limit of quantitation was 5 ng/mt. Intraday reproducibility and accuracy bias % were less than 8.2 and 10.2% with inter-day variations for those being within 7.0 and 13.8%, respectively. The recovery of clotiazepam was higher than 87%. The principal pharmacokinetic parameters were determined from the plasma concentration-time plot by non-compartmental or two-compartmental analysis. In non-compartmental analysis, the elimination half-life of 10.4 hr and the area under the curve of 651.3 ng hr/ml were determined, and the maximal concentration (158.6 ng/ml) in the plasma was obtained at 0.56 hr post-dose. The developed method can be appropriate to apply pharmacokinetics and bioequivalence of clotiazepam.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.11
no.5
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pp.202-205
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2010
In this study, the etch properties of $Al_2O_3$ thin films deposited by atomic layer deposition were investigated as a function of the $O_2$ content in $BCl_3$/Ar inductively coupled plasma. The experiments were performed by comparing the etch rates and selectivity of $Al_2O_3$ over the hard mask materials as functions of the input plasma parameters, such as the gas mixing ratio, DC-bias voltage, ratio-frequency (RF) power and process pressure. The highest obtained etch rate was 477 nm/min at an RF power of 700 W, $O_2$ to $BCl_3$/Ar gas ratio of 15%, DC-bias voltage of -100 V and process pressure of 15 mTorr. The deposition occurred on the surfaces when the amount of $O_2$ added to the $BCl_3$/Ar gas was too high at a low DC-bias voltage or high process pressure. X-ray photoelectron spectroscopy was used to investigate the chemical reactions on the etched surface.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.40
no.3
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pp.144-148
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2007
To prepare the transparent electrode for electronic devices such as flat panel or flexible displays, solar cells, and touch panels; tin doped $In_2O_3$ (ITO) films with low resistivity and a high transparency were fabricated using a facing target sputtering (FTS) system at the various oxygen gas flow rate. The carrier concentration and mobility of ITO films were measured by Hall Effect measurement. And the transmittance was measured using the UV-VIS spectrometer. As a result, we can obtain the ITO thin films prepared at 10% oxygen gas flow ratio, thickness 150 nm with transmittance 85% and resistivity $8.1{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and surface roughness 5.01 nm.
Kim, Mun-Yeong;Baek, Yeong-Sik;Tae, Heung-Sik;Lee, Yong-Hyeon;Lee, Jeong-Hui;Lee, Ho-Jun
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.48
no.9
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pp.616-621
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1999
A planar inductively coupled $CH_4/H_2/Ar$plasma was used to investigate dry etch characteristics of GaN as a function of input power, RF bias power, and etch gas composition. Etch rate of GaN increased with input power up to 600 W and was saturated at the higher power. Also, the etch rates increased with increasing RF bias power, composition of $CH_4$ and Ar gas. We achieved the maximum etch rate of $930{\AA}$/min at the input power 400 W, RF bias power 250 W, and operational pressure 10 mTorr. This paper shows that smooth etched surface having roughness less than 1 nm in rms can be obtained by using planar inductively coupled plasma with $CH_4/H_2/Ar$ gas chemistry.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.8
no.6
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pp.229-233
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2007
In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics(etch rate, selectivity) of $HfO_2$ thin films in the $CH_4/Ar$ inductively coupled plasma. It was found that variations of input power and negative dc-bias voltage are investigated by the monotonic changes of the $HfO_2$ etch rate as it generally expected from the corresponding variations of plasma parameters. At the same time, a change in either gas pressure or in gas mixing ratio result in non-monotonic etch rate that reaches a maximum at 2 Pa and for $CH_4(20%)/Ar(80%)$ gas mixture, respectively. The X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed an efficient destruction of the oxide bonds by the ion bombardment as well as showed an accumulation of low volatile reaction products on the etched surface. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the $CH_4-containing$ plasmas.
Ham, Yong-Hyun;Baek, Kyu-Ha;Park, Kun-Sik;Shin, Hong-Sik;Yun, Ho-Jin;Kwon, Kwang-Ho;Do, Lee-Mi
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2009.10a
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pp.1399-1401
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2009
In this article, we reported the results of etching polymonochloro-para-xylylene (parylene-C) thin films using inductively coupled plasma and $CF_4/O_2$ gas mixture. The $CF_4$ gas fraction increased up to the approximately 16 %, the polymer etch rate increased in the range of 277 - 373 nm/min. It confirmed that the etch rate of the parylene-C mainly depended on the O radical density in the plasma. Using a contact angle measurement, the contact angle increased with increasing the $CF_4$ fraction. Moreover, the contact angle was highly related a $CF_x$ functional group on parylene films.
The analytical method of antispasmodic agent tiropramide {$(\pm)\alpha$-(benzoylamino)-4-[2-(diethylamino)ethoxy]-N,N-dipropylbenzenepropanamide hydrochloride} was developed by gas chromatography/nitrogen-phosphorus detector (GC/NPD) in human plasma. Two kinds of tiropramide tablets were orally administered to volunteers by Latin square crossover design, and blood was withdrawn as designed schedule. The plasma of 1 mL was loaded on Sep-pak $C_{18}$ cartridge and eluted with methanol after washing with 30% methanol. The residue dissolved in 100 $\mu$L of methanol after evaporation was analyzed by GC/NPD. Precision (CV%) of intra-day was located within 2.6% and accuracy was less than 9.7%. Inter-day precision was below 8.7% and accuracy was relatively good as less than 14%. Plasma samples obtained from human volunteers were analyzed for the determination of tiropramide concentration by using this method. The method was sensitive, rapid and suitable enough to be applied for pharmacokinetic and bioequivalence studies of tiropramide in human volunteers.
Kim, Hyun;Jang, Sang-Hun;Tae, Heung-Sik;Chien, Sung-Il;Lee, Dong-Ho
Journal of Sensor Science and Technology
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v.15
no.4
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pp.284-290
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2006
This study uses neon, xenon, and helium gas mixture microdischarge to determine the effects of priming particles on the neon emission characteristics in an alternate current plasma display panel (AC PDP). The infrared (823 nm) and neon emission (585 nm) intensities are measured and compared in the blue cells in the case of new discharge with priming particles or conventional discharge without priming particles, respectively. It is found that the priming particles can produce a plasma discharge effectively even under the weak electric field condition, thereby resulting in reducing the neon emission intensity remarkably without sacrificing the IR emission intensity. As a result, it is found that the Ne emission intensity is reduced by about 46.4 % but the blue visible emission intensity is increased by about 15.2 % when compared with the conventional discharge without priming particles.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers P
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v.59
no.4
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pp.417-422
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2010
Atmosphere Plasma of Gas Discharge (APGD) has been used in plasma sources for material processing such as etching, deposition, surface modification and so on due to having no thermal damages. The APGD researches on AC source with high frequency have been mainly processed. However, DC APGD studies have been not. In order to understand APGD further, it is necessary to study on fundamental properties of DC APGD. In this paper, we developed a one-dimensional fluid simulation model with capacitively coupled plasma chamber at the atmosphere pressure (760 [Torr]). Nine kinds of Ar discharge particles such as electron (e), positive ions ($Ar^+$, $Ar_2^+$) and neutral particles ($Ar_m^*$, $Ar_r^*$, $Ar_h^*$, $Ar_2^*$(1), $Ar_2^*$(3) and Ar gas) are considered in the computation. The simulation was worked at the current range of 1~15 [mA]. The characteristics of voltage-current were calculated and the structure of Joule heating were discussed. The spatial distributions of Ar DC APGD and the mechanism of power consumption were also investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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