본 논문에서는 우주 플라즈마 환경에서 정전기의 충전/방전 미카니즘 및 이에 대한 시스템 영향과 저궤도 위성 시스템의 설계규격에 대하여 고찰하였다. 우주의 플라즈마 환경에서 위성시스템에 대한 정전기 방전의 문제는 시스템 개발초기에 주의 깊게 다루어져야 한다. 일반적으로 정전기 방전과 관련한 시스템 설계는 전자파양립 성 규격에 나타나 있으며, 이들 규격에는 접지, 본딩, 차폐, 전도성 코팅, 전기적인 인터페이스 설계 등이 있다. 우주환경에서 충전은 위성체 표면위의 각각의 위치에 차등전위를 증가시키게 된다. 만약 이러한 충전이 스레쉬홀드까지 지속된다면, 경우에 따라서 위성 시스템에 심각한 영향을 줄 수 있다. 이러한 현상은 임무, 전기적/기계적 구성, 전원 및 궤도환경에 따라 결정된다. 그러므로 관련된 규격은 시스템 설계 및 운용환경에 맞게 테일로어링(tailoring) 되어야 하며, 시스템의 안전성을 위한 설계에 주의를 기울여야 한다.
$TaN_x$ film is grown by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) using t-butylimido tris(dimethylamido) tantalum as a metalorganic source with various reactive gas species, such as $N_2+H_2$ mixed gas, $NH_3$, and $H_2$. Although the pulse sequence and duration are the same, aspects of the film growth rate, microstructure, crystallinity, and electrical resistivity are quite different according to the reactive gas. Crystallized and relatively conductive film with a higher growth rate is acquired using $NH_3$ as a reactive gas while amorphous and resistive film with a lower growth rate is achieved using $N_2+H_2$ mixed gas. To examine the relationship between the chemical properties and resistivity of the film, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is conducted on the ALD-grown $TaN_x$ film with $N_2+H_2$ mixed gas, $NH_3$, and $H_2$. For a comparison, reactive sputter-grown $TaN_x$ film with $N_2$ is also studied. The results reveal that ALD-grown $TaN_x$ films with $NH_3$ and $H_2$ include a metallic Ta-N bond, which results in the film's higher conductivity. Meanwhile, ALD-grown $TaN_x$ film with a $N_2+H_2$ mixed gas or sputtergrown $TaN_x$ film with $N_2$ gas mainly contains a semiconducting $Ta_3N_5$ bond. Such a different portion of Ta-N and $Ta_3N_5$ bond determins the resistivity of the film. Reaction mechanisms are considered by means of the chemistry of the Ta precursor and reactive gas species.
본 연구에서는 전자석 코일 마그네트론 소스를 가지는 비대칭 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 보호 코팅 소재로 사용되어지는 비정질 탄소박막을 제작하였다. 내부 전자석 코일의 전류를 고정하고 외부 전자석 코일의 전류를 다양하게 변화시켜 탄소 박막을 제작하였고, 제작되어진 박막들의 경도, 마찰계수, 접착력, 표면 거칠기 등의 트라이볼로지 특성들을 측정하였고, 라만과 HRTEM을 이용하여 구조적 특성을 평가하였으며, 이들 상호간에 관계를 규명하였다. 결과로서, 제작되어진 탄소박막의 경도, 마찰계수, 접착 특성은 외부 전자석 코일 전류가 증가함에 따라 향상되었으며, 이러한 결과는 박막내에 결합력이 강한 $sp^2$ 결합과 클러스터의 형성과 관련된다. 전자석 코일 전류의 증가는 전자와 이온 밀도의 증가시키고, 기판에서 이온의 충돌의 증가와 기판온도 향상을 야기한다. 이러한 현상의 박막내에 증가되어진 $sp^2$ 결합과 클러스터들의 형성은 탄소박막의 트라이볼로지 특성 향상에 기여하였다.
Recently, the amount of heat generated in devices has been increasing due to the miniaturization and high performance of electronic devices. Cu-graphite composites are emerging as a heat sink material, but its capability is limited due to the weak interface bonding between the two materials. To overcome these problems, Cu nanoparticles were deposited on a graphite flake surface by electroless plating to increase the interfacial bonds between Cu and graphite, and then composite materials were consolidated by spark plasma sintering. The Cu content was varied from 20 wt.% to 60 wt.% to investigate the effect of the graphite fraction and microstructure on thermal conductivity of the Cu-graphite composites. The highest thermal conductivity of 692 W m-1K-1 was achieved for the composite with 40 wt.% Cu. The measured coefficients of thermal expansion of the composites ranged from 5.36 × 10-6 to 3.06 × 10-6K-1. We anticipate that the Cu-graphite composites have remarkable potential for heat dissipation applications in energy storage and electronics owing to their high thermal conductivity and low thermal expansion coefficient.
일차전지 환원극의 활물질로 널리 사용되고 있는 불화탄소는 낮은 전기 전도도, 표면 에너지 및 전해질 투과도 등의 요인에 의하여 Li/CFX 일차전지의 율속 성능 저하를 초래한다. 따라서 본 연구에서는 산소 플라즈마를 이용한 표면처리를 통하여 표면이 개질된 불화탄소를 리튬 일차전지의 환원극으로 사용하여 전지 성능을 향상시키고자 하였다. XPS 및 XRD 분석을 통해 산소 플라즈마 처리에 의해 변화된 불화탄소의 표면 화학적 특성 및 결정 구조 변화를 분석하였으며, 이에 따른 리튬 일차전지의 전기 화학적 특성에 대한 변화를 분석하고 고찰하였다. 그 결과, 탄소 대 불소비율(F/C) 비율이 가장 낮은 산소 플라즈마 처리 조건(7.5 min)에서 반이온성 C-F 결합이 가장 많이 형성되었다. 또한, 이 조건에서 제조된 불화탄소를 환원극의 활물질로 사용한 일차전지는 가장 높은 3 C의 율속 특성을 보였으며, 고율속에서도 비교적 높은 용량(550 mAh/g)을 유지하였다. 본 연구를 통하여, 산소 플라즈마 처리를 통해 불화탄소의 불소함량 및 탄소-불소 간의 결합 유형을 조정하여 고율속 성능을 가진 리튬 일차전지를 제조할 수 있었다.
The tribological performance of A1$_2$O$_3$/NiCr coating deposited on steel (SH45C) was investigated under lubrication. The parameters of sliding wear consist of normal load and coating thickness. Test result showed that there was no evidence of an improved bonding strength in the coating. However, the wear resistance of the A1$_2$O$_3$/NiCr coaling was significantly greater than that of the Al$_2$O$_3$ coating. It was eviclent that the residual stress for the A1$_2$O$_3$coating was higher than that of the A1$_2$O$_3$/NiCr coating from the Scratch test failure of coating. The bond coating played an important role in decreasing the residual stress. Also, it was found that the residual stress had d notable influence on the wear mechanism.
Kim, Woo-Jung;Kim, Jung-Gu;Park, Se-Jun;Lee, Kwang-Ryeol
Corrosion Science and Technology
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제4권6호
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pp.226-230
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2005
Si incorporated diamond-like carbon (Si-DLC) films ranging from 0 to 2 at.% contents were deposited on STS 316L substrates for orthopedic implants by means of r.f. plasma-assisted chemical vapor deposition (r.f. PACVD) technique, using mixtures of benzene ($C_6H_6$) and silane ($SiH_4$) as the precursor gases. This study provides the reliable and quantitative data for assessment of the effect of Si incorporation on corrosion property in the simulated body fluid environment through the electrochemical test. It was found that corrosion to resistance of Si-DLC coatings with increasing Si content are improved owing to high $sp^3$ bonding.
In this work, we report the physical properties of amorphous $Al_2O_3$ thin films by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) using trimethyl-aluminium (TMA) as the Al precursor at low temperatures. The thin films were deposited on Si substrates. The composition and the bonding structure of the amorphous $Al_2O_3$ films were studied using Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), Ellipsometer and UV-visible Spectrophotometer and MOCON.
A thin section of the methanogenic archaebacterium, Methanoplanus limicola, shows that the surface glycoprotein array (S-layer) is separated from plasma membrane by a distinct inter-space, approximately 4.0-6.0nm wide. We report our structural study of the S-layer by electron crystallographic techniques. Image analysis and thin sections of the S-layer treated with and without triton disclosed that retention of the single layer crystal requires the presence of detergent to avoid hydrophobic bonding.
Amorphous carbon nitride films deposited on Si(001) substrates by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique using CH$_4$and $N_2$as reaction gases were thermally annealed at various temperatures under$ N_2$atmosphere, then their physical properties were investigated particularly as a function of annealing temperature. Above $600^{\circ}C$ a small amount of crystalline $\beta$-$C_3$$N_4$ phase evolves, while the film surface becomes very rough due to agglomeration of fine grains on the surface. As the annealing temperature increases, both the hardness and the $sp^3$ bonding nature are enhanced. In contrast to our expectation, higher annealing temperature results in a relatively higher friction mainly due to big increase in roughness at that temperature.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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