Sol-Gel 법으로 제조된 후막 PZT의 두께, 전극형상 및 분극 공정에 따른 $e_{31,f}$ 특성
(Transverse Piezoelectric Coefficient ($e_{31,f}$ ) of Thick PZT films Fabricated by Sol-Gel Method with Thicknesses, Electrode Shapes and Poling Process)
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- 대한기계학회:학술대회논문집
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- 대한기계학회 2003년도 춘계학술대회
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- pp.1326-1331
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- 2003