• 한국염색가공학회지
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• 제27권4호
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• pp.261-269
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• 2015

Two new D-${\pi}$-A dyes were synthesized by the condensation reaction between active methyl and aromatic aldehyde and its biothiol sensing properties in DMSO/water were investigated by UV-vis spectroscopy. Upon addition of $Hg^{2+}$, the solution of D-${\pi}$-A dyes showed color change and the absorption band shows a formation of a dye-$Hg^{2+}$ coordination complex. These dyes exhibited high selectivity for $Hg^{2+}$ as compared with other cations. The dye-$Hg^{2+}$ could be recovered by adding glutathion(GSH). The absorption intensity of dye-$Hg^{2+}$ increased only by the addition of glutathione(GSH). The competition experiments revealed that no obvious interference was observed by performing the titration with the mixture of glutathione(GSH) and other amino acids. The results indicated that these D-${\pi}$-A dyes were highly selective for glutathione(GSH) detection.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제2권1호
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• pp.71-77
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• 1998

본 논문에서는 LMS와 CMA 알고리즘에 의한 적응 배열안테나의 training 원리와 제어방법을 기술하고 수렴특성, 지향성 패턴의 적응성, SINR 및 신호파의 재현 특성을 비교 분석한다. LMS와 CMA 적응 안테나 원리를 적용한 선형 $\lambda$/4 간격 4소자 배열안테나에 $\pi$/4 QPSK 신호파를 인가했을때 정상상태에서 SINR가 각각 13.8［dB］와 12.8［dB］로써 CMA에 비하여 LMS가 우수한 SINR와 빠른 수렴특성을 보였으며 간섭파의 방향에 적응하여 강한 영점을 잘 형성하는 것으로 나타났다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제27권2호
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• pp.33-38
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• 2020

광전기화학적 물분해에서 광전극으로 이용되는 GaN은 전해질에 대해 높은 안정성을 가지고 있으며 물의 산화 환원준위를 포함하고 있어 외부전압 없이 물분해가 가능하다. 그러나 GaN 광전극의 경우, 재료 자체의 효율이 낮아 상용화하기에는 부족한 실정이다. 본 연구에서는 광효율을 향상시키기 위해 Cobalt phosphate(Co-pi) 촉매를 광전기증착(Photoelectro-deposition)방법을 통하여 GaN 광전극에 도입하였다. Co-pi 촉매 증착 후 SEM, EDS, XPS분석을 진행하여 Co-pi의 증착 여부 및 증착 정도를 확인하고, Potentiostat를 이용해 PEC 특성을 분석하였다. SEM 이미지를 통해 Co-pi가 GaN 표면 위에 20~25 nm 사이즈의 클러스터 형태로 고르게 증착되어 있는 것을 확인하였다. EDS 및 XPS 분석을 통해 GaN 표면의 입자가 Co-pi임을 확인하였다. 이 후 측정된 PEC 특성에서 Co-pi를 증착 시킨 후 0.5 mA/㎠에서 0.75 mA/㎠로 향상된 광전류밀도 값을 얻을 수 있었다. 향상된 원인을 밝히기 위하여, 임피던스 및 Mott-Schottky 측정을 진행하였고, 측정 결과, 50.35 Ω에서 34.16 Ω으로 감소한 분극저항(R_p)과 증가된 donor 농도(N_D) 값을 확인하였다. 물분해 전 후, 표면 성분을 분석한 결과 물분해 후에도 Co-pi가 남아있음으로써 Co-pi 촉매가 안정적이라는 것을 확인하였다. 이를 통해, Co-pi가 GaN의 효율 향상을 위한 촉매로서 효과가 있음을 확인하였고, 다른 광전극에 촉매로써 적용시켰을 경우, PEC 시스템의 효율을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

• 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
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• 제53권11호
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• pp.664-670
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• 2004

This paper presents a new velocity estimation strategy of a non-salient permanent magnet synchronous motor (PMSM) drive without high frequency signal injection or special PWM pattern. This approach is based on the d-axis current regulator output voltage of the drive system that has the information of rotor position error. The rotor velocity can be estimated through a rotor position tracking PI controller that controls the position error to zero. For zero and low speed operation, PI controller gains of rotor position tracking controller have a variable structure according to the estimated rotor velocity. In order to boost the bandwidth of PI controller around zero speed, a loop recovery technique is applied to the control system. The proposed method only requires the flux linkage of permanent magnet and is insensitive to the parameter estimation error and variation. The designers can easily determine the possible operating range with a desired bandwidth and perform the vector control even at low speeds. The experimental results show the satisfactory operation of the proposed sensorless algorithm under rated load conditions.

• 한국조명전기설비학회지:조명전기설비
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• 제11권2호
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• pp.89-93
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• 1997

산업의 자동화에 따라 PI 제어기에 의해 제어되는 직류 서보 전동기는 정밀한 제어가 요구된다. 하지만 시스템의 특성이 변화하면 정밀한 제어는 어렵게 된다. 이를 해결하기 위한 한 방법으로 본 논문에서는 전동기 속도제어 시스템을 위한 규칙기반 자동동조 PI 제어기를 제안하였다. 규칙은 Ziegler-Nichols의 계단응답과 전문가 지식을 기초로 하였다. 제어 매개변수는 오차, 기울기, 가장 큰 기울기의 점, 허용 오버슈트에 의해서 결정된다. 제어의 정밀성은 시뮬레이션에 의해 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.1337-1344
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• 2007

이동 통신 단말기 내장형 안테나의 급전 부분에 역 파이 형태의 급전부를 채택함으로써 이득이 증가함을 보인다. PIFA, IFA 등과 같은 안테나 급전 부분을 수정하여 안테나와 같은 방향으로 전류가 흐를 수 있도록 하면 T 정합 이론을 적용할 수 있다. 따라서 T 정합 이론을 근거로 하는 역 파이 급전은 안테나의 방사 저항을 높이고 더불어 이득도 증가시킬 수 있다. 역 파이 급전 이론의 타당성을 밝히기 위하여 기존의 GSM/ DCS 2중 대역 PIFA에 적용하여 제반 특성을 측정한다. 측정 결과, 공진 주파수의 이동은 없으며, 채널별 평균 이득은 역 파이 급전 PIFA가 기존 PIFA에 비해 GSM 대역에서는 $0.23{\sim}0.84$ dB, DCS 대역에서는 $0.01{\sim}1.74$ dB 향상됨을 보인다.

• Korean Journal of Mathematics
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• 제22권1호
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• pp.29-36
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• 2014

The limiting diffusion of special diploid model can be defined as a discrete generator for the rescaled Markov chain. Choi([2]) defined the operator of projection $S_t$ on limiting diffusion and new measure $dQ=S_tdP$. and showed the martingale property on this operator and measure. Let $P_{\rho}$ be the unique solution of the martingale problem for $\mathcal{L}_0$ starting at ${\rho}$ and ${\pi}_1,{\pi}_2,{\cdots},{\pi}_n$ the projection of $E^n$ on $x_1,x_2,{\cdots},x_n$. In this note we define $$dQ_{\rho}=S_tdP_{\rho}$$ and show that $Q_{\rho}$ solves the martingale problem for $\mathcal{L}_{\pi}$ starting at ${\rho}$.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.1125-1131
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• 2004

We have investigated the generation of pretilt angle for a nematic liquid crystal (NLC) alignment with rubbing alignment method on the two kinds of polyimide (PI) surfaces using thin plastic substrates. The NLC pretilt angles generated on thin plastic substrates are higher than that on the glass substrate. We study that AFM (atomic force microscope) image of rubbed PI surface with polymer film has formed the micro-groove. Also, EO characteristics of the TN-LCD with a rubbed PI surface based on polymer are almost the same as that of the TN-LCD with a rubbed PI surface based on glass.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.31-33
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• 2002

This paper is presents dynamic analysis of slotless PM linear synchronous motor using 3-D analytical method and improvement of controllability using PI control system. In oredr to calculate dynamic characteristic, back-EMF waveform and inductance are caculated by PM's magnetic field and winding's magnetic filed respectively. PMLSM simulated by PI control system.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.50-50
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• 2007

We report the effect of the film thickness on electrical properties of Ti(N) film resistors. The applications of titanium nitride thin film resistor in $\Pi$-type attenuators are also characterized. As film thickness decreases from 100 to 30 nm, temperature coefficient of resistance significantly decreases from -60 to -148 ppm/K, while sheet resistance increases from 37 to $270\;{\Omega}/{\square}$. The characterizations of 20dB-attenuators using thin film resistors are improved in comparison with those using thick film resistors. The $\Pi$-type attenuators using Ti(N) thin film resistors exhibit a attenuation of -19.94 dB and voltage standing wave ratio of 1.16 at a frequency of 2.7 GHz.