Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07b
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pp.1034-1037
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2003
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$. The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ ($<200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC varies with $T_f$.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.8
no.6
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pp.1355-1362
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2007
In this paper, these setting can be useful in the microprocessor and sensor that designed to improve the efficiency of the photovoltaic system the photovoltaic position tracker device, and compared the normal photovoltaic system of fixed form with the photovoltaic system of solar position tracked form. Moreover, this is compared the catalogue of solar cell module and the simulation through a mathematics modelling with the solar cell's characteristic interpreting and that is composed an power conversion system with boost converter and voltage source inverter. This device can be used to the constant voltage control method for maximum power point tracking in boost converter control. Experiment Results is shown that using a SPWM(Sinusoidal Pulse Width Modulation) control method in inverter control.
Microcrystalline silicon(c-Si:H) thin-film solar cells are prepared with intrinsic Si-layer by hot wire CVD. The operating parameters of solar cells are strongly affected by the filament temperature ($T_f$) during intrinsic layer. Jsc and efficiency abruptly decreases with elevated $T_f$ to $1400^{\circ}C$. This deterioration of solar cell parameters are resulted from increase of crystalline volume fraction and corresponding defect density at high $T_f$ The heater temperature ($T_h$) are also critical parameter that controls device operations. Solar cells prepared at low $T_h$ (<$200^{\circ}C$) shows a similar operating properties with devices prepared at high $T_f$, i.e. low Jsc, Voc and efficiency. The origins for this result, however, are different with that of inferior device performances at high $T_f$. In addition the phase transition of the silicon films occurs at different silane concentration (SC) by varying filament temperature, by which highest efficiency with SC vanes with $T_f$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.97-97
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2010
We demonstrate the hybrid polymer-quantum dot based multi-functional device (Organic bistable devices, Light-emitting diode, and Photovoltaic cell) with a single active-layer structure consisting of CdSe/ZnS semiconductor quantum-dots (QDs) dispersed in a poly N-vinylcarbazole (PVK) and 1,3,5-tirs- (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene (TPBi) fabricated on indium-tin-oxide (ITO)/glass substrate by using a simple spin coating technique. The multi-functionality of the device as Organic bistable device (OBD), Light Emitting Diode (LED), and Photovoltaic cell can be successfully achieved by adding an electron transport layer (ETL) TPBi to OBD for attaining the functions of LED and Photovoltaic cell in which the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level of TPBi is positioned at the energy level between the conduction band of CdSe/ZnS and LiF/Al electrode (band-gap engineering). Through transmission electron microscopy (TEM) study, the active layer of the device has a p-i-n structure of a consolidated core-shell structure in which semiconductor QDs are uniformly and isotropically adsorbed on the surface of a p-type polymer core and the n-type small molecular organic materials surround the semiconductor QDs.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.14
no.9
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pp.4447-4454
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2013
In October 2011, a commercialized 100kW class floating photovoltaic system positive plant was installed at Hapcheon dam a multi-purpose reservoir the first time ever in the nation. Floating photovoltaic system differs in water float, mooring device and underwater cable process from land photovoltaic system. As for land and building photovoltaic power generation equipments, many installation cases and skilled experiences are available, and thus installation is not difficult. However, commercial power generation floating photovoltaic system, which is attempted for the first time in the nation, requires to be designed and installed through a series of processes like technical review and verification of data by process in comparison with similar cases. The structure of floating photovoltaic system, an equipment for float photovoltaic module and other electrical equipment, is required to withstand weather environments like wind or typhoon etc and yet not affect water quality negatively, and for implementation of this system, construction efficiency and economy etc should be considered comprehensively. In this paper, the techniques of installing floating photovoltaic structure, mooring device, underwater cable, electrical equipment and remote monitoring control system are explained. The 100kW floating PV system is operating with 15% average capacity factor.
A photovoltaic panel is a device that, through the photovoltaic effect, converts luminous energy into electric energy. Photovoltaic generation system used infinity of solar energy, cost of fuel is needless and there in no air pollution or waste occurrence. This paper summarizes the results of these efforts by offering a photovoltaic system structure in 30[kW] large scale applications installed in Mokpo National University dormitory roof. The status of photovoltaic system components, are inter-connection and safety equipment monitoring system will be summarized as this article. This describes configuration of utility interactive photovoltaic system which generated power supply for dormitory. In this paper represent 30[kW] utility photovoltaic system examination result.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2009.11a
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pp.5.1-5.1
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2009
Organic photovoltaic (OPV)cells have attracted considerable attention due to their potential for flexible, lightweight, and low-cost application of solar energy conversion. Since a 1% power conversion efficiency (PCE) OPV based on a single donor-acceptor heterojunction was reported by Tang, the PCE has steadily improved around 5%. It is well known that a high parallel (shunt)resistance and a low series resistance are required simultaneously to achieve ideal photovoltaic devices. The device should be free of leakage current through the device to maximize the parallel resistance. The series resistance is attributed to the ohmic loss in the whole device, which includes the bulk resistance and the contact resistance. The bulk resistance originated from the bulk resistance of the organic layer and the electrodes; the contact resistance comes from the interface between the electrodes and the active layer. Furthermore, it has been reported that the bulk resistance of the indium tin oxide (ITO) of the devices dominates the series resistance of OPVs for a large area more than $0.01\;cm^2$. Therefore, in practical application, the large area of ITO may significantly reduce the device performance. In this work, we investigated the effect of sheet resistance ($R_{sh}$) of deposited ITO on the performance of OPVs. It was found that the device performance of polythiophene-fullerene (P3HT:PCBM) bulk heterojunction OPVs was critically dependent on Rsh of the ITO electrode. With decreasing $R_{sh}$ of the ITO from 39 to $8.5\;{\Omega}/{\square}$, the fill factor (FF) of OPVs was dramatically improved from 0.407 to 0.580, resulting in improvement of PCE from $1.63{\pm}0.2$ to $2.5{\pm}0.1%$ underan AM1.5 simulated solar intensity of $100\;mW/cm^2$.
Kim, S.K.;Lee, H.D.;Chung, D.H.;Oh, H.S.;Hong, J.I.;Park, J.W.;Kim, T.W.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.04a
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pp.123-126
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2003
Recently, there is a growing concern on the photovoltaic effects using organic materials. This is a phenomena which converts the solar energy into the electrical one. We have fabricated a device structure of $ITO/PEDOT:PSS/CuPc/C_{60}/BCP/AI$. The PEDOT:PSS layer is made by spin coating, and the other organic layers are made by thermal vapor deposition. By measuring the current-voltage characteristics with an illumination of light, we have obtained value of Voc=0.38V, Jsc=$0.5mA/cm^{2}$. And a fill factor and efficiency are about 0.314 and 0.083%, respectively. A 500W xenon lamp(ORIEL) is used for a light source, and the light intensity illuminated into the device was about 10mW.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.505-506
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2007
Organic photovoltaic effects were studied in a device structure of ITO/CuPc/Al and ITO/CuPc/$C_{60}$/BCP/Al. A thickness of CuPc layer was varied from 10 nm to 50 nm, we have obtained that the optimum CuPc layer thickness is around 40 nm from the analysis of the current density-voltage characteristics in CuPc single layer photovoltaic cell. From the thickness-dependent photovoltaic effects in CuPc/$C_{60}$ heterojunction devices, higher power conversion efficiency was obtained in ITO/20nm CuPc/40nm $C_{60}$/Al, which has a thickness ratio (CuPc/$C_{60}$) of 1:2 rather than 1:1 or 1:3. Light intensity on the device was measured by calibrated Si-photodiode and radiometer/photometer of International Light Inc(IL 14004).
In this paper, to make sure that the photovoltaic solar cell module of the system can be normal for output in each solar cell module, input and output unit is installed in the bypass device, and then through the voltage and current monitoring to determine abnormality of the solar cell module, in the case of abnormal occurring, the bypass device can be pass to the next solar module of the serial structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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