The need of space-resolved x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) has developed scanning photoelectron microscopy (SPEM). SPEM provides space-resolved XPS data from a spot of a sample as well as images of specific element, chemical state, valency distribution on the surface of a sample. Based on technical advancement of tight x-ray focusing, sample positioning accuracy, and electron analyzer efficiency, SPEM is now capable of providing ~100 nm space resolution for typical XPS functionality, and SPEM has become actively applied for the investigation of chemical state, valency, and electronic structure on the surface of newly discovered materials, such as graphene layers, dichalcogenide 2D-materials, and heterogenous new functional materials.
We theoretically investigated the coherent control of Autler-Townes splitting in photoelectron spectroscopy of K2 molecule within an ultrafast laser pulse by solving the time-dependent Schrodinger equation using a quantum wave packet method. It was theoretically shown that we can manipulate the splitting of photoelectron spectroscopy by altering the laser intensity. Furthermore, it was found that the percentages of each peak in photoelectron spectroscopy can be controlled by changing the envelope of the laser pulse.
International Union of Geodesy and Geophysics Korean Journal of Geophysical Research
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v.25
no.1
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pp.35-46
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1997
Theory and observations relating to the photoelectrons are reviewed. The photoelectrons play a very important role in the photochemistry and energetics of the upper atmosphere. It is a dominant heating source for the ambient electrons in the ionosphere. This paper covers the solar EUV flux calculation, local photoelectron production rates and the two-stream approximation of the photoelectron transport in the upper atmosphere. Some data are compiled and tabulated for reference.
To improve device yield and throughput, faults in plasma processing equipment should be quickly and accurately diagnosed. Despite many useful information of ex-situ sensor measurements, their applications to recognize plasma faultshave not been investigated. In this study, a new technique to identify fault causes by recognizing X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) using neural network and continuous wavelet transformation (CWT). The presented technique was evaluated with the plasma etch data. A totalof 17 experiments were conducted for model construction. Model performance was investigated from the perspectives of training error, testing error, and recognition accuracy with respect to various thresholds. CWT-based BPNN models demonstrated a higher prediction accuracy of about 26%. Their advantages over pure XPS-based models were conspicuous in all three measures at small networks.
To obtain the relation in the electrochemical reduction of $CO_2$ in aqueous $KHCO_3$ colution between an activity for the product and the nature of Cu electrode, the electrode surface was characterized by using two methods: X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and photoelectron emission (PE) measurement. Electrolyses were performed with Cu electrodes pretreated in several ways. The distribution of the products changed drastically with electrolysis time and the pretreatment method. The features in XPS spectra were closely connected with the product distribution. The oxide film at the electrode surface was gradually reduced to bare Cu metal with electrolysis time, resulting in a variation of the product distribution. PE was measured by verying the wavelength of incident light at several temperatures. The dependence of PE on the measurement temperature changed greatly before and after electrolysis.
Kim, Yong-Shin;Jung, Young-Jae;Kang, Wee-Kyung;Jung, Kyung-Hoon
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.23
no.2
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pp.189-194
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2002
Two-photon resonant third photon ionization of atomic bromine $(4p^5\;^2P_{3/2}\;and\;^2P_{1/2})$ has been studied using a photoelectron imaging spectroscopy in the wavelength region 250 - 278 nm. The technique has yielded simultaneously both relative branching ratios to the three levels of $Br^+(^3P_2,\;^3P_{0.1}\;and^1D_2)$ with $4p^4$ configuration and the angular distributions of outgoing photoelectrons. The product branching ratios reveal a strong propensity to populate particular levels in many cases. Several pathways have been documented for selective formation of $Br^+(^3P_2)$ and $Br^+(^3P_{0.1})$ ions. In general, the final ion level distributions are dominated by the preservation of the ion core configuration of a resonant excited state. Some deviations from this simple picture are discussed in terms of the configuration interaction of resonant states and the autoionization in the continuum. The photoelectron angular distributions are qualitatively similar for all transitions, with a positive $A_2$ anisotropy coefficient of 1.0-2.0 and negligible $A_4$ in most cases, which suggests that the angular distribution is mainly determined by the single-photon ionization process of a resonant excited state induced from the third photon absorption.
The electronic structures of Al/RbF/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminium ($Alq_3$) and $Al/CaF_2/Alq_3$interfaces were investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). For both systems, the UPS showed a significant valence band shift following the deposition of the thin fluoride layers on $Alq_3$. However, the formation of gap state in valence region and the extra peak N 1s core level spectra showed different trends, suggesting that the alkali fluoride and alkali-earth fluoride interlayer have different reaction mechanisms at the interface between Al cathode and $Alq_3$. In addition, the deposition of Al has considerably less effect on the valence band shift compared to the deposition of both RbF and $CaF_2$. These results suggest that the charge transfer across the interface and the resulting gap state formation may have lesser effect on the enhancement of organic light-emitting device performance than the observed valence band shift, which is thought to lower the electron injection barrier.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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