Cutrent technological development toward miniaturization requires smaller components. These components usually generate complex multi-DOF motions other than simple 1-DOF motlon. Therefore it is essential to develop measurement methodology for 6-DOF motions. In this paper, a new 6-DOF measurement system for milli-struchlre is presented. This methodology basically employs the Optical Beam Deflection Method (OBDM) with a diffraction grating. A laser beam is emitted toward the difliaction grating which could be attached on the surface of a milli-structue and the incident ray is dif'||'&'||'acted in several directions. Among these difliacted beams, $0^{th}$ and $\pm$$1^{th}4" order difkicted rays are detected by 4 Quadrant Photodiodes. From coordinate values fram each detector, we can get information for 6-DOF motions with lineariration method, Required resolutions for milli-struchue measurement are suh-micrometer in translation and arcsec in rotation. Experimental results indicate that proposed system has possibility to satisfy this requirement.
An optical technique to align the laser beam with the rotation axis of a cylindrical microstructure is developed for laser microfabrication. The sample surface is first set normal to the rotation axis by applying a simple reflection law of geometrical optics and then the laser beam is aligned with the rotation axis using translation stages with quadrant photodiodes. Principle and the configuration of the alignment technique are described. An application of the present technique to laser microstereolithography showed that it could be effectively used for fabrication of micro cylindrical structures.
In this paper, the system for monitoring process of aluminum laser welding was developed using the light signal emitted from the plasma which comes from interaction between material and laser. Photodiode for monitoring system was selected based on the spectrum analysis of light from plasma and keyhole. Behavior of plasma and keyhole was analyzed through the sensor signals. Value of sensor signal represented the light intensity and fluctuation of signal indicated the stability of plasma and keyhole. For the relation between welding condition and sensor signals, the input power and weld geometry greatly effected on the average of each sensor signals. Using the feature values of signals, estimation model for tensile strength of weld was formulated with neural network algorithm. Performance of this model was verified through coefficient of determination and average error rate.
A novel silicon retina chip based on the information processing in the vertebrate retina was designed. The chip has a novel wiring structure in which all pixels are connected through the channel of MOS transistors, which simplifies a wiring structure compared with conventional resistive networks. The proposed structure minimizes the pixel area and certainly increases a fill factor since each pixel consists of only two photodiodes and three MOS transistors. It also enables the chip to operate over a wide range of light intensity by adjusting its conductance with the gate voltage. Simulation results with SPICE showed that the chip could extract the edge of input images successfully.
2.5Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과 Br:Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 ADP는 10nA 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39 V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 ADP를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5Gbps 속도에서 $2^{23}-1$의 길이를 갖는 입력 광신호에 대해 $ 10^{-10}$ Bit Error Rate에서 -31.0dBm의 수신감도를 얻었다.
The spectroscopic characteristic of 9 items in the urinalysis strip are measured to develop the urine analysis system. From experimental results, we determined the wavelength range which could accurately distinguish the degrees of 9 test items. Simulation is performed to distinguish the primary color reaction in the urinalysis strips using reflectance of urine strips, luminous intensity of LEDs, and spectral sensitivity of photodiodes. The simulation results agree well with experimental results by using UV-Visible spectrophotometer.
High-density image sensors have microlens array to improve photosensitivity. It is conventionally fabricated by reflow process. The reflow process has some weak points. UV imprinting process can be proposed as an alternative process to integrate microlens array on photodiodes. In this study, the UV imprionting process to integrate microlens array on image sensor was developed using W transparent flexible mold and simulated image sensor substrate. The UV transparent flexible mold was fabricated by replicating master pattern using siliconacrylate photopolymer. The releasing property and shape accuacy of siliconacrylate mold was analysed. After UV imprinting process, replication quality and align accuracy was analysed.
본 논문에서는 편광기를 부착한 차동검출기의 부하저항으로 디지털가변저항을 사용하여 잡음소거 능력을 개선하였다. 이 구조에서는 차동검출기를 구성하는 2개의 포토다이오드에서 검출된 잡음전압의 크기가 항상 동일한 값이 되도록 디지털 가변저항의 크기를 제어하여 잡음광을 소거한다. 이 방식에서는 고정된 부하저항을 사용한 구조에 비하여 신호대잡음비가 약 23 dB 더 향상되었다.
The demands for reliable particle cloud temperature measurement exist in many process industries and scientific researches. Particle cloud temperature measurements depend on radiation thermometry at two or more color bands. In this study, we developed a sensitive, fast response and compact online infrared two-color probe to measure the temperature of a particle cloud in a phase of two field flow (solid-gas). The probe employs a detector contained two InGaAs photodiodes with different spectral responses in the same optical path, which allowed a compact probe design. The probe was designed to suit temperature measurements in harsh environments with the advantage of durability. The developed two-color probe is capable of detecting particle cloud temperature as low as $300^{\circ}C$, under dynamic conditions.
PIN-Photodiodes were fabricated with CO2 laser annealed SOI and their electric characteristics were measured. Dark current decreased and photocurrent-dark current ratio increased as the grain size of polycrystalline silicon in intrinsic region increased. In case of the largest grain, 10-20um, dark current was 30 n A (at - 4V) and photocurrent was proportional to light intensity.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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